一种用于干式电解抛光的装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113755939A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202111232865.7

    申请日:2021-10-22

    IPC分类号: C25F3/16 C25F7/00

    摘要: 本发明公开了一种用于干式电解抛光的装置,该装置包括动力装置、轨迹运动装置、夹紧装置、阴极介质装置以及机架。其中,动力装置、轨迹运动装置以及阴极介质装置均固定在机架上,动力装置中的偏心轴与轨迹运动装置中的直线轴承固件封口端相连,夹紧装置中的绝缘体与轨迹运动装置中的直线轴承固件开口端相连。工作时,夹紧装置和阴极导电圆筒连通直流电源。该装置通过轨迹运动装置将动力装置的转动转换为夹紧装置的圆周平动,夹紧装置夹住工件在阴极介质装置中运动,使工件能与固体介质充分接触,同时消除了直流电路在在转动运动中的线路布置难题。该装置结构简单、实用,且相较于传统的液式电解抛光绿色环保。

    一种模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法

    公开(公告)号:CN113808678B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202111142666.7

    申请日:2021-09-28

    IPC分类号: G16C20/10

    摘要: 本发明公开了一种模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法,该方法包括以下步骤:(1)生成初始微观组织;(2)模拟晶粒长大行为。本发明是一种基于物理机制的晶粒长大行为模拟方法,可以准确地模拟GH4169合金晶粒长大行为,为合理制定GH4169合金热处理工艺提供技术支撑。

    一种模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法

    公开(公告)号:CN113808678A

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202111142666.7

    申请日:2021-09-28

    IPC分类号: G16C20/10

    摘要: 本发明公开了一种模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法,该方法包括以下步骤:(1)生成初始微观组织;(2)模拟晶粒长大行为。本发明是一种基于物理机制的晶粒长大行为模拟方法,可以准确地模拟GH4169合金晶粒长大行为,为合理制定GH4169合金热处理工艺提供技术支撑。

    一种用于干式电解抛光的装置

    公开(公告)号:CN215976123U

    公开(公告)日:2022-03-08

    申请号:CN202122550847.5

    申请日:2021-10-22

    IPC分类号: C25F3/16 C25F7/00

    摘要: 本实用新型公开了一种用于干式电解抛光的装置,该装置包括动力装置、轨迹运动装置、夹紧装置、阴极介质装置以及机架。其中,动力装置、轨迹运动装置以及阴极介质装置均固定在机架上,动力装置中的偏心轴与轨迹运动装置中的直线轴承固件封口端相连,夹紧装置中的绝缘体与轨迹运动装置中的直线轴承固件开口端相连。工作时,夹紧装置和阴极导电圆筒连通直流电源。该装置通过轨迹运动装置将动力装置的转动转换为夹紧装置的圆周平动,夹紧装置夹住工件在阴极介质装置中运动,使工件能与固体介质充分接触,同时消除了直流电路在在转动运动中的线路布置难题。该装置结构简单、实用,且相较于传统的液式电解抛光绿色环保。