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公开(公告)号：CN104310399B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201410525345.9
申请日：2014-10-09
IPC分类号： C01B31/36
摘要： 本发明涉及一种制备用于吸收杂散中子的中子吸收体的工艺，尤指一种原料来源广、加工成本低、工艺简单且加工成品应用于准直器内部有效吸收杂散中子的一种碳化硼中子吸收体加工工艺，所述的加工工艺包括以下步骤：1）选取原料，2）选取模具，3）搅拌原料，4）加压填模，5）固化成型，6）脱模成型；本发明的碳化硼中子吸收体的原料容易获取，所采用的加工工艺步骤简单，一般采用冷压成型即可，成本大大降低，成型过程不存在难题，在热压的情况下更能大大缩短成型或固化时间，提高固化速度，提高产率，本发明加工所得的碳化硼中子吸收体可达到很好的吸收中子效果，是一种适用于工业发展并能带来长期经济效益的碳化硼中子吸收体加工工艺。
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公开(公告)号：CN104310400A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410525417.X
申请日：2014-10-09
IPC分类号： C01B31/36
摘要： 本发明涉及一种用于吸收杂散中子的中子吸收体，尤指一种由成本低、来源广的原料制成的吸收体并实现不影响探测器的探测以及在放射状中子准直器中吸收杂散中子目标的一种碳化硼中子吸收体，所述的碳化硼中子吸收体的原料主要包括碳化硼粉末、胶体和固化剂，所述的胶体与固化剂的含量比值为5：2，胶体与碳化硼粉末的含量比值为1:19-1:4；本发明的碳化硼中子吸收体的原料易获取，采用的配方解决氢元素影响中子吸收的问题，成本降低，克服了现阶段使用的碳化硼陶瓷材料价格较为昂贵、原料较难获取的缺点，但本发明所得的碳化硼中子吸收体可达到碳化硼陶瓷材料能达到的效果或达到更好效果，是一种广泛应用能带来长期经济效益的中子吸收体。
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公开(公告)号：CN104310400B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410525417.X
申请日：2014-10-09
IPC分类号： C01B31/36
摘要： 本发明涉及一种用于吸收杂散中子的中子吸收体，尤指一种由成本低、来源广的原料制成的吸收体并实现不影响探测器的探测以及在放射状中子准直器中吸收杂散中子目标的一种碳化硼中子吸收体，所述的碳化硼中子吸收体的原料主要包括碳化硼粉末、胶体和固化剂，所述的胶体与固化剂的含量比值为5：2，胶体与碳化硼粉末的含量比值为1:19-1:4；本发明的碳化硼中子吸收体的原料易获取，采用的配方解决氢元素影响中子吸收的问题，成本降低，克服了现阶段使用的碳化硼陶瓷材料价格较为昂贵、原料较难获取的缺点，但本发明所得的碳化硼中子吸收体可达到碳化硼陶瓷材料能达到的效果或达到更好效果，是一种广泛应用能带来长期经济效益的中子吸收体。
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公开(公告)号：CN104310399A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410525345.9
申请日：2014-10-09
IPC分类号： C01B31/36
摘要： 本发明涉及一种制备用于吸收杂散中子的中子吸收体的工艺，尤指一种原料来源广、加工成本低、工艺简单且加工成品应用于准直器内部有效吸收杂散中子的一种碳化硼中子吸收体加工工艺，所述的加工工艺包括以下步骤：1）选取原料，2）选取模具，3）搅拌原料，4）加压填模，5）固化成型，6）脱模成型；本发明的碳化硼中子吸收体的原料容易获取，所采用的加工工艺步骤简单，一般采用冷压成型即可，成本大大降低，成型过程不存在难题，在热压的情况下更能大大缩短成型或固化时间，提高固化速度，提高产率，本发明加工所得的碳化硼中子吸收体可达到很好的吸收中子效果，是一种适用于工业发展并能带来长期经济效益的碳化硼中子吸收体加工工艺。
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公开(公告)号：CN204594797U
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201520215042.7
申请日：2015-04-10
IPC分类号： G01N3/04
摘要： 本实用新型涉及一种测试中子透过率领域的辅助工具，尤指一种用于中子屏蔽材料测试中子透过率的可调性辅助夹具，主要包括支撑部和装夹部，支撑部包括支撑底座、横向调节支撑杆和纵向调节支撑杆，支撑底座由一对“倒Y”状支撑架组合形成四点定位的底座结构；其上轴段为内中通管状，顶部套设连接有可伸缩杆，形成纵向调节支撑杆；横向调节支撑杆的左右两轴端分别连接在一对支撑架的中腰处以形成桥接两支撑架的横杆；装夹部由安装在两侧的纵向调节支撑杆顶部的两个装夹座组成；本实用新型可调性能在于可随中子屏蔽材料的规格改变而任意调节，可控性强，同时降低了传统的制造多规格辅助夹具的成本，更符合现代化科技发展的环保节源的生产理念。
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公开(公告)号：CN204288826U
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201420835835.4
申请日：2014-12-25
IPC分类号： G21F3/00
摘要： 本实用新型涉及一种中子屏蔽体的屏蔽装置，尤指一种通过分层错开拼接以消除拼接缝隙的一种中子屏蔽体插片拼接装置，主要包括多块插片互相拼接形成中子屏蔽体，所述的拼接装置主要由两层插片组成，两层插片均由若干块小型插片相互拼接组成大型插片，其中，下层的小型插片上表面设置在上层的小型插片两两拼接时所形成的缝隙处；本实用新型采用双层错开插片拼接的结构，解决了在单层插片拼接时因产生缝隙而导致中子吸收不全或者吸收不良的问题；本实用新型结构简单，组装方便，在原拼接途径的基础上加以改进，利用同样简易的拼接途径结合稳定的结构设计，保证中子屏蔽并吸收的稳定性、安全性与高效性，从而保证中子谱仪能够顺利地完成后续工作。
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