一种碳化硼中子吸收体加工工艺

    公开(公告)号:CN104310399B

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201410525345.9

    申请日:2014-10-09

    IPC分类号: C01B31/36

    摘要: 本发明涉及一种制备用于吸收杂散中子的中子吸收体的工艺,尤指一种原料来源广、加工成本低、工艺简单且加工成品应用于准直器内部有效吸收杂散中子的一种碳化硼中子吸收体加工工艺,所述的加工工艺包括以下步骤:1)选取原料,2)选取模具,3)搅拌原料,4)加压填模,5)固化成型,6)脱模成型;本发明的碳化硼中子吸收体的原料容易获取,所采用的加工工艺步骤简单,一般采用冷压成型即可,成本大大降低,成型过程不存在难题,在热压的情况下更能大大缩短成型或固化时间,提高固化速度,提高产率,本发明加工所得的碳化硼中子吸收体可达到很好的吸收中子效果,是一种适用于工业发展并能带来长期经济效益的碳化硼中子吸收体加工工艺。

    一种碳化硼中子吸收体

    公开(公告)号:CN104310400B

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201410525417.X

    申请日:2014-10-09

    IPC分类号: C01B31/36

    摘要: 本发明涉及一种用于吸收杂散中子的中子吸收体,尤指一种由成本低、来源广的原料制成的吸收体并实现不影响探测器的探测以及在放射状中子准直器中吸收杂散中子目标的一种碳化硼中子吸收体,所述的碳化硼中子吸收体的原料主要包括碳化硼粉末、胶体和固化剂,所述的胶体与固化剂的含量比值为5:2,胶体与碳化硼粉末的含量比值为1:19-1:4;本发明的碳化硼中子吸收体的原料易获取,采用的配方解决氢元素影响中子吸收的问题,成本降低,克服了现阶段使用的碳化硼陶瓷材料价格较为昂贵、原料较难获取的缺点,但本发明所得的碳化硼中子吸收体可达到碳化硼陶瓷材料能达到的效果或达到更好效果,是一种广泛应用能带来长期经济效益的中子吸收体。

    一种碳化硼中子吸收体

    公开(公告)号:CN104310400A

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201410525417.X

    申请日:2014-10-09

    IPC分类号: C01B31/36

    摘要: 本发明涉及一种用于吸收杂散中子的中子吸收体,尤指一种由成本低、来源广的原料制成的吸收体并实现不影响探测器的探测以及在放射状中子准直器中吸收杂散中子目标的一种碳化硼中子吸收体,所述的碳化硼中子吸收体的原料主要包括碳化硼粉末、胶体和固化剂,所述的胶体与固化剂的含量比值为5:2,胶体与碳化硼粉末的含量比值为1:19-1:4;本发明的碳化硼中子吸收体的原料易获取,采用的配方解决氢元素影响中子吸收的问题,成本降低,克服了现阶段使用的碳化硼陶瓷材料价格较为昂贵、原料较难获取的缺点,但本发明所得的碳化硼中子吸收体可达到碳化硼陶瓷材料能达到的效果或达到更好效果,是一种广泛应用能带来长期经济效益的中子吸收体。

    一种碳化硼中子吸收体加工工艺

    公开(公告)号:CN104310399A

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201410525345.9

    申请日:2014-10-09

    IPC分类号: C01B31/36

    摘要: 本发明涉及一种制备用于吸收杂散中子的中子吸收体的工艺,尤指一种原料来源广、加工成本低、工艺简单且加工成品应用于准直器内部有效吸收杂散中子的一种碳化硼中子吸收体加工工艺,所述的加工工艺包括以下步骤:1)选取原料,2)选取模具,3)搅拌原料,4)加压填模,5)固化成型,6)脱模成型;本发明的碳化硼中子吸收体的原料容易获取,所采用的加工工艺步骤简单,一般采用冷压成型即可,成本大大降低,成型过程不存在难题,在热压的情况下更能大大缩短成型或固化时间,提高固化速度,提高产率,本发明加工所得的碳化硼中子吸收体可达到很好的吸收中子效果,是一种适用于工业发展并能带来长期经济效益的碳化硼中子吸收体加工工艺。

    用于制备中子散射实验无磁样品盒的钛锆合金及其应用

    公开(公告)号:CN106198584A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610561895.5

    申请日:2016-07-13

    IPC分类号: G01N23/20 C22C14/00

    摘要: 本申请公开了一种用于制备中子散射实验无磁样品盒的钛锆合金及其应用。本申请的用于制备中子散射实验无磁样品盒的钛锆合金的通式为TixZry,其中钛和锆的原子数比例,即x:y=(2.08±0.1):1。本申请的钛锆合金材料,采用钛和锆的原子数比例为(2.08±0.1):1的钛锆合金,特别是钛锆合金Ti2.083Zr,使得制备的样品盒几乎不会产生干扰信号峰贡献在探测到的测试样品数据里,使得中子散射实验的数据质量更加可靠、可信。同时本申请的材料,强度大、无磁性,可批量生产并广泛应用于中子散射实验,特别是对磁性控制要求较高的实验,为中子散射技术的推广和应用奠定了基础。

    一种卧式对开平移中子屏蔽门

    公开(公告)号:CN108060868B

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201711422231.1

    申请日:2017-12-25

    摘要: 本发明涉及中子辐射防护技术领域,尤指一种实现电动平移开关的卧式对开平移中子屏蔽门;屏蔽门主要包括两扇与地面平行呈卧式放置的对开式门体,与地面平行呈卧式开设的门框和带滑轨的驱动平移系统,门体与滑轨可滑动连接安装在轨道上门框旁侧,驱动平移系统与门体连接,驱动门体往门框方向平移闭合和/或远离门框方向平移开启;在闭门时包络门框、屏蔽增强方形台阶配合形成Z形迷路,能有效减少中子泄露且结构紧凑节省空间;驱动平移系统中跑车轮组在门体上下两侧均匀对称分布,使屏蔽门开闭门具有良好的平稳性;减速器输出轴安装有电磁离合器,停电等特殊工况时离合器脱开,可通过人力开门,有利于人员应急逃离高辐射区,进而保证人身安全。

    一种用于中子散射的后端粗糙准直器支架及安装调试方法

    公开(公告)号:CN108303438B

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN201810073247.4

    申请日:2018-01-25

    IPC分类号: G01N23/202

    摘要: 本发明涉及中子散射科学与技术领域,尤指一种用于中子散射的后端粗糙准直器支架及安装调试方法;所述的后端粗糙准直器支架主要包括自下而上依次安装的固定基座、垂动板、平动板和上端支架,上端支架通过螺钉安装于平动板的上端面,垂动板与平动板之间通过垂直拉板组件紧固,固定基座与垂动板之间通过竖直调整机构连接,垂动板与平动板上安装有水平调整机构;本发明通过独立的水平调整机构和竖直调整机构获得三维独立调整的能力,通过调整垂直拉板组件可获得安装垂直度的调节;本发明结构简单,制造安装方便,且形状与后端粗糙准直器竖直投影一致,支架只需粗糙准直器正下方的空间即可实现安装调整,整体占用空间小。

    一种应用于中子散射腔的屏蔽体及其设计方法

    公开(公告)号:CN108345028B

    公开(公告)日:2019-09-06

    申请号:CN201810055760.0

    申请日:2018-01-20

    IPC分类号: G01T3/00 G01T7/00

    摘要: 本发明涉及中子辐射技术领域,尤指一种应用于中子散射腔的屏蔽体及其设计方法;所述的屏蔽体为采用中子吸收材料制作成的中子吸收体,中子吸收体由四个不规则形状的内壁屏蔽体和若干个空间屏蔽体装配而成,上壁屏蔽体、下壁屏蔽体、左壁屏蔽体和右壁屏蔽体分别安装在散射腔内的上壁、下壁、左壁和右壁,使得散射腔内壁上附着大面积中子吸收材料,其中上壁屏蔽体和下壁屏蔽体上设计有通气孔及沟槽;空间屏蔽体通过上壁屏蔽体和下壁屏蔽体上设计的沟槽安装在散射腔内,将散射腔分割成若干个不同空间;成功消除了中子被散射腔体和高温、高压及强磁场等样品环境设备杂散后形成的干扰信号,因而降低了谱仪背底,提升了中子散射数据的纯净度。

    一种悬挂式平移中子屏蔽门

    公开(公告)号:CN108131083B

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201711422259.5

    申请日:2017-12-25

    摘要: 本发明涉及中子辐射防护技术领域,尤指一种电动平移实现开关的悬挂式平移中子屏蔽门;屏蔽门主要包括门扇、门框和驱动平移系统,其中门框开设在墙体上,门扇悬挂式安装在门框旁侧,驱动平移系统与门扇连接安装在门扇上方,驱动门扇往门框方向平移闭合和/或远离门框方向平移开启;门板主体采用“三明治”式的夹层结构,包括正面钢板、背面钢板以及夹在中间的含硼聚乙烯板,采用悬挂承重安装方式可避免因地面沉降或者门轴倾斜或变形等原因造成门体卡死;在闭门时包络增强台阶门框配合形成迷路,另外门扇底部下沉,嵌入至地面凹槽内以形成迷路,从而能有效减少中子泄露,且结构紧凑节省空间;能同时满足电动和手动开启和关闭功能。