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公开(公告)号：CN115094521B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210744882.7
申请日：2022-06-27
申请人： 中南大学
摘要： 本发明提供一种硼扩散反应系统及其工艺方法，硼扩散反应系统的原料管路与进气管路相连接，通过进气管路向反应炉管内输送原料气体；抽气管设置在反应炉管的炉尾处，抽气管位于反应炉管的管轴线位置；进气管路包括第一进气管路和第二进气管路，第一进气管路和第二进气管路的出气口位于炉口处，且第一进气管路和第二进气管路的出气口在反应炉管的竖直方向中分面内上下对称分布。本发明的供气系统结合工艺方法，通过优化硼源管道设置和工艺步骤，通过多次吹扫步骤，尤其是有氧推进后回压前具有吹扫步骤，减少粘附在反应室内壁上酸性气体，降低酸性气体对反应室的污染，提高了方阻均匀性、钝化效果、电池片电性能参数和良率。
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公开(公告)号：CN111690913B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202010710368.2
申请日：2020-07-22
申请人： 中南大学
IPC分类号： C23C16/511
摘要： 本发明涉及等离子体生产领域，尤其涉及一种微波屏蔽管及磁场增强平板PECVD设备，包括壳体、沿送料方向设置在壳体内部的至少两个等离子体发生装置，等离子体发生装置下方设置有基片台，等离子体发生装置内部设置有同轴圆波导，等离子体发生装置顶部设置有上进气管，等离子体发生装置底部两侧设置有下进气管；壳体底部连通有真空机组；同轴圆波导包括同轴设置的石英玻璃管、铜天线、微波屏蔽管，石英玻璃管在铜天线外侧，微波屏蔽管设置在石英玻璃管、铜天线之间，微波屏蔽管侧壁上下两端设有开口。本发明提供一种改善微波等离子体源所产生等离子体的长度、轴向均匀性以及稳定性的PECVD设备，以提升产能和性能。
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公开(公告)号：CN108183145A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201810046628.3
申请日：2018-01-18
申请人： 中南大学
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/0216 , H02S40/10
CPC分类号： Y02B10/12 , Y02E10/50 , H01L31/0488 , H01L31/02162 , H01L31/02167 , H02S40/10
摘要： 本发明公开了一种晶硅双玻光伏组件，从上到下依次为顶层玻璃，上层PVB胶膜，太阳能电池片，下层PVB胶膜和背面玻璃。其中顶层玻璃正面镀有自清洁膜和选择吸收光学膜，背面玻璃镀有选择吸收光学膜。所述晶硅双玻光伏组件大大提高了进入组件中的太阳光可以被电池片利用转化成为电能的部分，显著减少了不能产生光电效应而使电池温度升高的光波进入组件，有效降低了太阳能电池的工作温度，提升了光伏组件的转换效率，有益于晶硅双玻光伏组件发电量的增加。
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公开(公告)号：CN103641178A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310693429.9
申请日：2013-12-18
申请人： 中南大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种光伏电池用黄锡矿结构Cu2FeSnS4粉末的液相制备方法，包括如下步骤：按摩尔比CuCl2·2H2O：FeCl3·6H2O：SnCl4·5H2O：硫脲=2：(1-1.5)：(1-1.5)：(4-5)的原则称取后放入圆底三口烧瓶中混合，然后加入有机混合溶剂或有机单一溶剂；通入氮气做保护气，置于恒温油浴中加热至200-250℃，并保持0.5-12小时，随后自然冷却至室温；使用无水乙醇和蒸馏水依次洗涤产品，然后过滤，干燥，得到黑色粉末。该黄锡矿结构铜铁锡硫粉末材料的液相制备方法绿色无污染，反应时间短，所需温度低，操作简便，成本低廉，适合Cu2FeSnS4粉末用于光伏电池吸收层的产业化。
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公开(公告)号：CN102500293B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110327411.8
申请日：2011-10-25
申请人： 中南大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种太阳光伏电池用锌黄锡矿结构Cu2ZnSnS4粉末材料及其液相制备方法，包括如下步骤：按CuCl2·2H2O∶ZnCl2∶SnCl4·5H2O∶硫粉＝2∶(1-1.5)∶(1-1.5)∶(4-5)(摩尔比)的原则称取后放入圆底三口烧瓶中混合，然后加入有机溶剂三乙烯四胺溶液，放置3-5分钟，得到均匀的砖红色的溶液；通入氮气做保护气，置于恒温油浴中加热至120-240℃，并保持0.5-12小时，随后自然冷却至室温；使用无水乙醇和蒸馏水依次洗涤产品，然后过滤，干燥，得到黑色粉末。该锌黄锡矿结构铜锌锡硫粉末材料的液相制备方法绿色无污染，反应时间短，所需温度低，操作简便，成本低廉，适合Cu2ZnSnS4粉末(用于光伏电池吸收层)的大规模生产。
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公开(公告)号：CN103165701A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310085106.1
申请日：2013-03-18
申请人： 中南大学
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/048
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种光伏电池组件，包括：基板、位于基板上的多片光伏电池片、以及设置于所述基板周边的边框；其中，所述多片光伏电池片阵列排布，且所述基板至少有一条边至所述多片光伏电池片的最短距离大于所述边框与所述基板高度差的两倍。该光伏电池组件摒弃了现有的对称性结构设计，利用对电池片布局的非对称性，从根本上去掉了电池组件表面下端的电池被灰尘遮挡的可能性，在实际安装条件下，大大提高了光伏电池组件的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101613091A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910304873.0
申请日：2009-07-27
申请人： 中南大学
摘要： 本发明提供了一种CIGS粉末、靶材、薄膜及其制备方法；所述的CIGS粉末为纯CuInxGa1－xSe2相，其中0＜x＜1；该CIGS靶材具有均一的CuInxGa1－xSe2相，由所述的CIGS粉末经冷等静压或模压成型后烧结而得；所述的CIGS薄膜的制备方法为：先由所述的CIGS靶材经磁控溅射方法沉积一层薄膜，再将该薄膜进行热处理。所得的CIGS靶材的相对密度达95％以上，成分均匀，具有均一的CuInxGa1－xSe2相，制作成本低廉且性能稳定。本发明提供的CIGS薄膜制备工艺，极大地简化了传统工艺，提高了原材料利用率和生产效率。
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公开(公告)号：CN101515580A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910043000.9
申请日：2009-03-31
申请人： 中南大学
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/314 , C23C14/34
摘要： 本发明公开了一种用于铜互连的SiCN扩散阻挡层薄膜，其特征在于，由包括质量百分比为10％～15％的N、15％～20％的C和余量为Si的原料通过磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该SiCN扩散阻挡层薄膜的工艺，具体方法为采用反应磁控溅射法。该SiCN薄膜经600℃退火5分钟后，其阻挡特性才失效。与传统Si3N4阻挡层相比，本发明的SiCN阻挡层薄膜材料，具有高效阻挡性能，与Si基片具有良好黏附性；同时因其较低的介电常数可明显减小RC延迟，有利于提高器件性能。
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公开(公告)号：CN114464707B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202210167071.5
申请日：2022-02-23
申请人： 中南大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/223 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种氢等离子体处理制备N型电池选择性发射极的方法，涉及太阳能电池技术领域。方法包括以下步骤：N型硅片在硼扩散过程中实现重掺杂；采用氢等离子体处理，通过掩膜版的方式，让暴露在氢等离子体环境中的硅片表面活性硼离子与氢离子结合形成中性稳定的硼氢对，从而降低PN结中活性B原子的掺杂浓度，形成低掺杂区域；而掩膜版下未暴露区域不反应，为高掺杂区域，从而实现选择性掺杂。本发明方法无需激光设备，不会对发射极造成损伤；且通过掩膜版的方式，能够实现重掺杂区域的尺度可控，有望实现产业化。
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公开(公告)号：CN115073011A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210456173.9
申请日：2022-04-27
申请人： 中南大学
摘要： 一种低铅玻璃粉，按质量百分比计，包括5‑15wt％PbO、20‑50wt％TeO2、5‑20wt％Bi2O3、5‑20wt％SiO2、5‑15wt％ZnO、1‑10wt％的含银化合物、5‑10wt％的含碱金属化合物或/和含碱土金属化合物。其制备方法为：将各组分原料加热保温，然后冷却、球磨，得到低铅玻璃粉。本发明还公开了一种应用于N型晶体硅TOPCon电池的背面银浆料，包括银粉、有机载体和前述低铅玻璃粉，并公开了该背面银浆料在N型晶体硅TOPCon电池中的应用。本发明在低铅玻璃粉中添加含银化合物可以降低玻璃对多晶硅层的损伤，从而使N型晶体硅TOPCon电池获得较高的开路电压以及光电转换效率。
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