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公开(公告)号:CN115584411B
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202211349729.0
申请日:2022-10-31
申请人: 中南大学
摘要: 本发明提供了一种高性能Cu‑Mo2C复合材料及其制备方法,为Mo2C和纯铜的复合材料,以重量份数计,包括以下组分:Mo2C2‑10份,Cu90‑98份,所述Mo2C为纳米级或亚微米级颗粒,所述Mo2C弥散分布在所述纯铜基体中,其制备方法,包括:球磨、冷压、热压烧结、变形处理四个步骤,通过球磨和热压烧结,将Mo2C硬质相加入到铜基体,球磨可以细化铜基体的晶粒、降低Mo2C颗粒的粒径,同时使Mo2C更加弥散分布,起到细晶强化和弥散强化的作用,使用硬质合金球磨罐和磨球可避免在球磨过程中引入杂质,采用热压烧结工艺可以自由设计Mo2C的含量,增强相尺寸形貌不受限制,最终制备的Cu‑Mo2C材料性能稳定。
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公开(公告)号:CN115612890A
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN202211368905.5
申请日:2022-11-03
申请人: 中南大学
IPC分类号: C22C9/00 , C22C32/00 , C22C1/05 , C22C1/059 , B22F3/02 , B22F3/14 , B22F3/18 , B22F3/24 , B22F9/04
摘要: 本发明公开了一种Mo2C颗粒增强CuCrZr复合材料,包括CuCrZr合金基体粉体以及弥散分布于所述CuCrZr合金基体粉体中的Mo2C颗粒,所述Mo2C颗粒的添加量为1‑10wt.%。本发明还提供一种上述的Mo2C颗粒增强CuCrZr复合材料的制备方法。本发明的Mo2C颗粒增强CuCrZr复合材料以Mo2C颗粒作为硬质增强相,得到的CuCrZr‑Mo2C复合材料表现出较好的高温稳定性、导电性能、力学性能等。本发明的Mo2C颗粒增强CuCrZr复合材料的制备采用球磨、冷压、热压烧结、固溶、冷轧和时效处理,各步骤相互配合,最终制备的CuCrZr‑Mo2C复合材料表现出优异的综合性能。
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公开(公告)号:CN118755991A
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202410855522.3
申请日:2024-06-28
申请人: 中南大学
IPC分类号: C22C9/00 , C22C32/00 , C22C1/05 , C22C1/059 , B22F3/14 , B22F3/105 , B22F3/18 , B22F3/24 , C22F1/02 , C22F1/08 , B22F9/04 , H01B1/02 , H01B13/00
摘要: 本发明公开了一种基于界面扩散的TiC颗粒增强CuCr复合材料的制备方法:将CuCr合金基体粉体和TiCx粉末进行球磨,得到混合粉体;然后将混合粉体依次进行烧结处理、真空热扩散处理、室温轧制变形处理和时效处理,得到基于界面扩散的TiC颗粒增强CuCr复合材料。本发明通过球磨处理使原料粉体充分混合均匀,通过烧结处理使复合材料充分致密,通过扩散热处理使Ti原子充分扩散形成界面过渡层,TiCx颗粒完全转变为TiC颗粒,通过轧制处理配合时效处理促进Cr的析出进而提高复合材料的力学性能和导电性能,上述工艺的整体组合,保证制备的复合材料具备优异的高温稳定性、优异的界面结合、高强度和高导电率等性能。
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公开(公告)号:CN115612890B
公开(公告)日:2024-01-19
申请号:CN202211368905.5
申请日:2022-11-03
申请人: 中南大学
IPC分类号: C22C9/00 , C22C32/00 , C22C1/05 , C22C1/059 , B22F3/02 , B22F3/14 , B22F3/18 , B22F3/24 , B22F9/04
摘要: 本发明公开了一种Mo2C颗粒增强CuCrZr复合材料,包括CuCrZr合金基体粉体以及弥散分布于所述CuCrZr合金基体粉体中的Mo2C颗粒,所述Mo2C颗粒的添加量为1‑10wt.%。本发明还提供一种上述的Mo2C颗粒增强CuCrZr复合材料的制备方法。本发明的Mo2C颗粒增强CuCrZr复合材料以Mo2C颗粒作为硬质增强相,得到的CuCrZr‑Mo2C复合材料表现出较好的高温稳定性、导电性能、力学性能等。本发明的Mo2C颗粒增强CuCrZr复合材料的制备采用球磨、冷压、热压烧结、固溶、冷轧和时效处理,各步骤相互配合,最终制备的CuCrZr‑Mo2C复合材料表现出优异的综合性能。
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公开(公告)号:CN115584411A
公开(公告)日:2023-01-10
申请号:CN202211349729.0
申请日:2022-10-31
申请人: 中南大学
摘要: 本发明提供了一种高性能Cu‑Mo2C复合材料及其制备方法,为Mo2C和纯铜的复合材料,以重量份数计,包括以下组分:Mo2C2‑10份,Cu90‑98份,所述Mo2C为纳米级或亚微米级颗粒,所述Mo2C弥散分布在所述纯铜基体中,其制备方法,包括:球磨、冷压、热压烧结、变形处理四个步骤,通过球磨和热压烧结,将Mo2C硬质相加入到铜基体,球磨可以细化铜基体的晶粒、降低Mo2C颗粒的粒径,同时使Mo2C更加弥散分布,起到细晶强化和弥散强化的作用,使用硬质合金球磨罐和磨球可避免在球磨过程中引入杂质,采用热压烧结工艺可以自由设计Mo2C的含量,增强相尺寸形貌不受限制,最终制备的Cu‑Mo2C材料性能稳定。
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