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公开(公告)号：CN111910102B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010675602.2
申请日：2020-07-14
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种铜银复合材料导线及其制备方法，原料按照质量份数比包括：银粉2～10份、铜银锶合金粉5～50份、铜粉90～98份，银粉+铜粉的总份数为100份；其中：铜银锶合金粉中，银的为2～10wt％，锶为5～50ppm，余量为铜。本发明的制备方法中采用无水乙醇、胶体二氧化硅和胶体石墨复配而成球磨助剂，一方面保证了粉料球磨的效果，另一方面残留在压制坯锭中的石墨可在合金保护熔炼过程中进一步去除残余氧，提高材料的纯度，而二氧化硅则浮于溶体表面，不会造成杂质引入。
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公开(公告)号：CN110923645B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201911149311.3
申请日：2019-11-21
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种组织可控的超高纯钴板的制备方法及其应用，制备方法包括：冷压成型、高真空度垂熔、高真空度电子束熔炼炉、氩气室不锈钢包套、道次锻造变形量和总变形量协同控制的三维高速等温热锻开坯、变角度交叉控制轧制和热处理，车削加工，包装等步骤，制备的超高纯钴纯度≥99.995％，平均晶粒度为10～40μm，板材中fcc结构的β‑Co的含量超过50％，透磁率大于70％，透磁率不均匀性小于1％。本发明所设计的制备方法，能够有效控制成品的晶粒尺寸和晶粒度的分布，调控成品组织分布，这为其用作高品质靶材提供了原材料保障。
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公开(公告)号：CN110735068B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201911149326.X
申请日：2019-11-21
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种钴钽锆合金靶材的制备方法及其应用，属于特种材料制备技术领域，制备方法包括：通过成分设计、高真空垂熔+高真空电子束熔炼、三维等温热锻开坯和变角度控制轧制工艺等，以控制合金的组织结构及靶材性能，制备出高品质的钴钽锆合金靶材，所述的钴钽锆合金靶材，氧含量≤15ppm，平均晶粒度为5～20μm，靶材中相分布均匀，透磁率大于40％，透磁率不均匀性小于2％。本发明所设计的工艺，能够有效控制成品靶材的氧含量、组织结构均匀性及磁性能，这为其溅射出高品质薄膜提供了原材料保障。
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公开(公告)号：CN108788132A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810747352.1
申请日：2018-07-09
Applicant: 中南大学
Abstract: 一种铜碳复合材料原位反应制备方法。该方法选用核壳结构的铜粉与碳粉混合得到混合粉末，在高温下热压烧结制备碳铜复合材料。本发明采用具有核壳结构的Cu‑Cu2O与石墨粉进行混合，在高温热压烧结过程中Cu2O与石墨之间发生原位氧化还原反应，实现铜与石墨之间的牢固结合，最大限度降低两相界面对材料电导率的影响，并大幅提高复合材料的机械性能。相比于采用铜粉和碳粉直接混合烧结后所得的铜碳复合材料，本发明制得的铜碳复合材料致密度提高2％‑6％，抗压强度提高20‑60％。本方法工艺比较简单，制备的碳铜复合材料基体与碳两相分部均匀且结合较好，具有优异的电学、力学性能和摩擦磨损性能。
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公开(公告)号：CN105543533A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510926780.7
申请日：2015-12-14
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明属于金属新材料技术领域，公开了一种高强度高导电率铜镁系合金及其制备方法，通过添加钙和微量硼元素达到优于传统铜镁合金的高强度高导电率的目的。该合金化学成分组成：Mg：0.2-0.8wt％；Ca：0.05-0.5wt％；B：0.005-0.01wt％；余量是Cu和不可避免的杂质。制备过程包括：(1)非真空感应熔炼、(2)铸造、(3)铣面、(4)冷加工、(5)中间退火、(6)冷精加工、(7)成品退火等。本发明合金组分合理，生产工艺简单，铸造和加工性能优异。本发明生产的合金与现有的铜镁合金相比，其强度、导电率更高，抗高温软化能力更强，可应用于航空航天、高速轨道交通、电子信息等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103215470B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310158846.3
申请日：2013-05-03
Applicant: 中南大学
Abstract: 本专利涉及一种孔结构参数可控的开孔泡沫铜的制备方法。该方法包括：(1)将纯铜粉与造孔剂颗粒(尿素)按一定比例混合均匀；(2)将步骤(1)所得的混合粉末压制成孔隙分布均匀的样品坯料；(3)将坯料置入一定温度的自行设计的带收集系统的气体保护烧结炉中，使造孔剂充分分解；(4)利用自行设计的带收集系统的气体保护烧结炉对步骤(3)所得的样品进行高温烧结，制得具有孔形貌规则、孔隙分布均匀的开孔泡沫铜。本发明适用于制备高孔隙率(60％-95％)的开孔泡沫铜。其制备工艺简单，成本低廉，所制备的产品为开孔结构，孔参数可控，比表面积大，烧结质量好，力学性能稳定，可应用于电池电极、热导管、热沉、热交换器部件的制造。
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公开(公告)号：CN118019357A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311808847.8
申请日：2023-12-26
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种有机磁性纳米颗粒层人工突触器件及其制备方法，用于人工智能领域，该人工突触器件包括绝缘衬底上一对平行的金属电极和一层电子传输层，所述电子传输层是由镶嵌有磁性纳米颗粒的有机薄膜构成，所述绝缘衬底包括但不限于：本征硅片、玻璃、钛酸锶等常用绝缘衬底。本发明专利中采用有机薄膜传导电子，利用金属纳米颗粒形成微电容电级，实现多电导态及其脉冲电流的可调控性；利用磁性材料实现磁场调控和非易失性，赋予器件多场可调控特性。本发明专利提供的一种基于有机磁性纳米颗粒层的人工突触器件，通过脉冲电流或磁场，实现器件的多导态(多阻态)，模拟生物突触的可塑性。
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公开(公告)号：CN111910102A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010675602.2
申请日：2020-07-14
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种铜银复合材料导线及其制备方法，原料按照质量份数比包括：银粉2～10份、铜银锶合金粉5～50份、铜粉90～98份，银粉+铜粉的总份数为100份；其中：铜银锶合金粉中，银的为2～10wt％，锶为5～50ppm，余量为铜。本发明的制备方法中采用无水乙醇、胶体二氧化硅和胶体石墨复配而成球磨助剂，一方面保证了粉料球磨的效果，另一方面残留在压制坯锭中的石墨可在合金保护熔炼过程中进一步去除残余氧，提高材料的纯度，而二氧化硅则浮于溶体表面，不会造成杂质引入。
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公开(公告)号：CN108788132B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201810747352.1
申请日：2018-07-09
Applicant: 中南大学
Abstract: 一种铜碳复合材料原位反应制备方法。该方法选用核壳结构的铜粉与碳粉混合得到混合粉末，在高温下热压烧结制备碳铜复合材料。本发明采用具有核壳结构的Cu‑Cu2O与石墨粉进行混合，在高温热压烧结过程中Cu2O与石墨之间发生原位氧化还原反应，实现铜与石墨之间的牢固结合，最大限度降低两相界面对材料电导率的影响，并大幅提高复合材料的机械性能。相比于采用铜粉和碳粉直接混合烧结后所得的铜碳复合材料，本专利制得的铜碳复合材料致密度提高2％‑6％，抗压强度提高20‑60％。本方法工艺比较简单，制备的碳铜复合材料基体与碳两相分部均匀且结合较好，具有优异的电学、力学性能和摩擦磨损性能。
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公开(公告)号：CN111910101B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010674702.3
申请日：2020-07-14
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种高纯度高强高导铜基靶材及其制备方法，原料按照重量份数比为：高纯银粉0.1～1.0份、高纯铜银锶合金粉1～10份、余量为铜粉99～99.9份，银粉+铜粉总共100份；其中：铜银锶合金粉合金中银的含量为0.1～1.0％，锶的含量为5～20ppm，余量为铜。本发明采用粉末冶金的方法对铜粉和银粉进行冷等静压制坯，可确保铜和银的比例保持一致，又可以避免熔炼过程中发生银的偏析。本发明提出的制备方法，在制备高纯坯锭之前先进行多道次区域熔炼获得合金母坯，可保证后续靶材成品的高纯度。
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