一种少层石墨烯的制备方法

    公开(公告)号:CN104030276B

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201410251202.3

    申请日:2014-06-09

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明涉及一种层状碳材料的制备方法,特别涉及一种少层石墨烯的制备方法。本发明采用原位生长技术,在氧化石墨烯表面附着二氧化硅层,然后采用热处理实现氧化石墨烯的含氧官能团的脱除,最后将二氧化硅层选择性溶解、洗涤、干燥后可得少层石墨烯粉末。本发明提供的石墨烯粉体的制备方法具有效率高,易扩大生产、操作简单、成本低、过程易控制等优点。

    一种少层石墨烯的制备方法

    公开(公告)号:CN104030276A

    公开(公告)日:2014-09-10

    申请号:CN201410251202.3

    申请日:2014-06-09

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明涉及一种层状碳材料的制备方法,特别涉及一种少层石墨烯的制备方法。本发明采用原位生长技术,在氧化石墨烯表面附着二氧化硅层,然后采用热处理实现氧化石墨烯的含氧官能团的脱除,最后将二氧化硅层选择性溶解、洗涤、干燥后可得少层石墨烯粉末。本发明提供的石墨烯粉体的制备方法具有效率高,易扩大生产、操作简单、成本低、过程易控制等优点。

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