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公开(公告)号：CN112851384B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110121982.X
申请日：2021-01-29
申请人： 中南大学
发明人： 王春齐
摘要： 本发明公开了一种基于碳化硅纤维增强低温烧结陶瓷基复合材料的制备方法，包括以下步骤：步骤一：陶瓷基料的配制；步骤二：陶瓷基浆料的球磨；步骤三：预浸料的制备；步骤四：胚体的压制；步骤五：烧结，得到碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料。本发明利用添加低温烧结助剂方式降低通用陶瓷的烧结温度，再采用碳化硅纤维与低温烧结陶瓷基浆料混合，通过低温烧，最终得到碳化硅纤维增强低温烧结陶瓷基复合材料。解决了普通日用陶瓷或建筑陶瓷抗热振性能差、易碎等缺陷，又克服传统陶瓷基复合材料工艺控制复杂，工艺周期长，成本高等缺点，具有低成本、高性能、易工业化制备等优点。
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公开(公告)号：CN108409348B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201810225632.6
申请日：2018-03-19
申请人： 中南大学
IPC分类号： C04B35/80 , C04B35/622 , C04B35/565 , C23C14/35 , C23C14/06 , C23C14/56 , C23C14/02 , D06M11/74 , D06M11/77 , D06M11/80 , D06M11/79 , D06M11/44 , D06M11/53
摘要： 本发明公开了一种纤维表面沉积界面层的设备及其方法，设备包括放丝装置、静电散丝装置、磁控溅射装置、固态胶粘装置、收丝装置；所述收丝装置和放丝装置分别位于磁控溅射装置的两侧，所述静电散丝装置位于放丝装置与磁控溅射装置之间，所述固态胶粘装置位于收丝装置与磁控溅射装置之间；当设备工作时，所述纤维束从放丝装置放丝出来，运动至静电散丝装置被散丝，以散丝的状态进入磁控溅射装置，经磁控溅射沉积获得界面层后，经固态胶粘装置集束，最终纤维束由收丝装置收丝。利用本发明制备方法所得SiC纤维表面界面层厚度分布均匀、厚度可控，对纤维的损伤小，且为类石墨烯结构弱界面层，可以大副提高复合材料的力学性能。
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公开(公告)号：CN112266256A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011180951.3
申请日：2020-10-29
申请人： 中南大学
发明人： 王春齐
摘要： 本发明公开了一种基于连续碳/碳化硅纤维混杂增强陶瓷基复合材料整体涡轮叶盘的制备方法，本发明的方法通过上浆设备使碳和碳化硅纤维实现束间混杂；再利用化学气相渗透法在连续C/SiC混杂纤维表面制备BN与PyC交替的多界面层；采用平面极坐标织造方法编织涡轮叶盘预制体二维单元层，然后采用层叠法层铺覆，中间采用Z向穿刺、缝合，完成预制体编制及定型；再采用PIP法对涡轮盘预制体预致密化；最后，对涡轮盘叶片进行整体加工和采用化学气相渗透法制备防氧化涂层。由于纤维表面涂层均匀，预制体经向和纬向两个主应力方向上有连续C/SiC混杂纤维，在高温有氧条件下，由于C纤维优先氧化牺牲能有效保护SiC纤维，从而有效提高了整体涡轮叶盘在下高温承载性能。
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公开(公告)号：CN108281548B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201810122783.9
申请日：2018-02-07
申请人： 中南大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明的目的是公开一种双极性双稳态忆阻器，其包括上电极、下电极以及两电极之间的阻态转变层，其阻态转变层由二氧化钛纳米线阵列和涂布于纳米线阵列上的二氧化钛薄膜构成。本发明的阻态转变层是由二氧化钛纳米线和二氧化钛薄膜构成，二氧化钛纳米线具有高密度特性，制备成为忆阻器，可实现忆阻器的高密度存储，提高忆阻器的响应速度，降低忆阻器的功耗；在二氧化钛纳米线涂布一层二氧化钛薄膜，可避免纳米线参差不齐，与金属上电极接触不充分而引起的漏电流，从而提高忆阻器稳定性。
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公开(公告)号：CN110137351A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910429755.6
申请日：2019-05-22
申请人： 中南大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种氮掺杂二氧化钛阵列忆阻器及其制备方法，属于忆阻器制备技术领域，该忆阻器包括基底FTO、介质层和金属上电极，所述介质层为氮掺杂金红石晶型二氧化钛阵列，其中，N与Ti的原子数量比为0.5％～15％。本发明采用盐酸溶液水热工艺，以钛酸四丁酯为钛源，加入氮源，采用FTO玻璃为基底，通过调节水热温度，保温时间，溶液酸度和钛浓度改变纳米棒直径和长度，通过氮掺杂提供更多空穴缺陷，制备得到的掺氮二氧化钛具有较高的电子和离子迁移效率，提高器件开关速度和器件记忆时间。本发明制备方法简单，成本低，产品形貌质量高，纳米棒尺寸容易控制，氮掺杂量可以调节，有利于规模化生产。
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公开(公告)号：CN109930134A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910319448.2
申请日：2019-04-19
申请人： 中南大学
摘要： 本发明公开了一种引入掩膜板制备二氧化钛纳米棒阵列的方法，包括以下步骤：(1)将掩模板固定于基底材料表面，四周密封；(2)在基底上形成诱导层，然后去除掩模板；(3)将带图案诱导层的基底放入水热反应釜中，在水热反应中诱导生长与基底图案一致的二氧化钛纳米棒阵列；(4)对二氧化钛纳米棒阵列间隙进行选择性填充，采用真空蒸镀工艺，对二氧化钛纳米棒阵列制作上电极，得到用于传感器、能源存储单元或者电子电路的器件。本发明通过引入掩模板，生长导电诱导层，从而控制二氧化钛纳米棒阵列的垂直生长，防止二氧化钛纳米棒发生倾斜和搭接，得到多种图案规则排布的阵列结构，满足能源存储器件，特殊传感器和电子电路器件对二氧化钛结构的质量要求。
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公开(公告)号：CN108281548A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810122783.9
申请日：2018-02-07
申请人： 中南大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明的目的是公开一种双极性双稳态忆阻器，其包括上电极、下电极以及两电极之间的阻态转变层，其阻态转变层由二氧化钛纳米线阵列和涂布于纳米线阵列上的二氧化钛薄膜构成。本发明的阻态转变层是由二氧化钛纳米线和二氧化钛薄膜构成，二氧化钛纳米线具有高密度特性，制备成为忆阻器，可实现忆阻器的高密度存储，提高忆阻器的响应速度，降低忆阻器的功耗；在二氧化钛纳米线涂布一层二氧化钛薄膜，可避免纳米线参差不齐，与金属上电极接触不充分而引起的漏电流，从而提高忆阻器稳定性。
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公开(公告)号：CN106313405A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610831639.3
申请日：2016-09-19
申请人： 中南大学
IPC分类号： B29C43/52
CPC分类号： B29C43/52
摘要： 本发明公开了一种高/低温快速转换的模具系统，所述模具的上模板和下模板内分别设有蛇形管，上模蛇形管和下模蛇形管分别与高温循环系统和冷却循环系统形成独立的回路；其中，所述高温循环系统和冷却循环系统均采用循环的流体介质进行加热和冷却，并在高温循环系统的回路和低温循环系统的回路上分别设置切换阀门。本发明可通过高温(或低温)液体快速加热(或冷却)模具，实现模具的高/低温的快速转换，保证材料(或构件)在均匀的温度场下定型，使内应力分布均匀，保证制品性能稳定和防止变形；另一方面也能实现快速、安全脱模。
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公开(公告)号：CN112266257A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011184548.8
申请日：2020-10-29
申请人： 中南大学
发明人： 王春齐
IPC分类号： C04B35/80 , C04B35/84 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/628 , C04B41/87
摘要： 本发明公开了一种低成本制备基于连续C与SiC束间混杂纤维增强碳化硅复合材料的方法及其产品，包括以下步骤：将碳纤维和碳化硅纤维进行束间混杂；接着将束间混杂纤维表面制备涂层，得到含涂层的束间混杂纤维；将含涂层的束间混杂纤维进行预制体的编织，得到束间混杂纤维预制体；将束间混杂纤维预制体进行PIP法预致密化，得到多孔的混杂纤维增强碳化硅复合材料并对其进行机械加工，得到加工后的多孔的混杂纤维增强碳化硅复合材料；将加工后的多孔的混杂纤维增强碳化硅复合材料进行渗硅致密化，得到致密化的连续混杂纤维增强碳化硅复合材料；对致密化的连续混杂纤维增强碳化硅复合材料上制备抗氧化涂层，得到连续C+SiC束间混杂纤维增强碳化硅复合材料。
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公开(公告)号：CN109930134B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910319448.2
申请日：2019-04-19
申请人： 中南大学
摘要： 本发明公开了一种引入掩膜板制备二氧化钛纳米棒阵列的方法，包括以下步骤：(1)将掩模板固定于基底材料表面，四周密封；(2)在基底上形成诱导层，然后去除掩模板；(3)将带图案诱导层的基底放入水热反应釜中，在水热反应中诱导生长与基底图案一致的二氧化钛纳米棒阵列；(4)对二氧化钛纳米棒阵列间隙进行选择性填充，采用真空蒸镀工艺，对二氧化钛纳米棒阵列制作上电极，得到用于传感器、能源存储单元或者电子电路的器件。本发明通过引入掩模板，生长导电诱导层，从而控制二氧化钛纳米棒阵列的垂直生长，防止二氧化钛纳米棒发生倾斜和搭接，得到多种图案规则排布的阵列结构，满足能源存储器件，特殊传感器和电子电路器件对二氧化钛结构的质量要求。
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