-
公开(公告)号：CN119768042A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411890546.9
申请日：2024-12-20
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种无势垒忆阻晶体管及其制备方法。Ss无势垒忆阻晶体管，包括：衬底层、固态电介质层以及半导体薄膜图案层；其中，所述衬底层为绝缘衬底时，所述半导体薄膜图案层通过物理掩模的方式沉积于所述衬底层上，所述固态电介质层部分的覆盖于所述半导体薄膜图案层及其空隙处；所述衬底层为导电衬底时，所述固态电介质层涂覆于所述衬底层上，所述半导体薄膜图案层通过物理掩模的方式沉积于所述固态电介质层上。本发明中的无势垒忆阻晶体管，不需要源漏电极，源极、沟道层和漏极都是重掺杂半导体薄膜图案材料形成，极大的简化了制备流程，降低了工艺成本。
Search Results
1
records
(took 0.014 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
