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公开(公告)号：CN119768042A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411890546.9
申请日：2024-12-20
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种无势垒忆阻晶体管及其制备方法。Ss无势垒忆阻晶体管，包括：衬底层、固态电介质层以及半导体薄膜图案层；其中，所述衬底层为绝缘衬底时，所述半导体薄膜图案层通过物理掩模的方式沉积于所述衬底层上，所述固态电介质层部分的覆盖于所述半导体薄膜图案层及其空隙处；所述衬底层为导电衬底时，所述固态电介质层涂覆于所述衬底层上，所述半导体薄膜图案层通过物理掩模的方式沉积于所述固态电介质层上。本发明中的无势垒忆阻晶体管，不需要源漏电极，源极、沟道层和漏极都是重掺杂半导体薄膜图案材料形成，极大的简化了制备流程，降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN113831574B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111344907.6
申请日：2021-11-15
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜的润湿性和透光率双重可逆转变方法，属于激光应用技术领域，所述方法包括步骤：提供聚四氟乙烯薄膜，在聚四氟乙烯薄膜表面通过激光加工的方式制备出微纳结构，微纳结构的尺寸为100nm‑20μm；对具有微纳结构的聚四氟乙烯薄膜表面采用亲水性有机溶剂进行润湿或者干燥，可对薄膜表面的浸润性和透光率同时进行可逆转换。本发明采用激光加工技术对聚四氟乙烯的表面进行加工，制备出微纳结构，采用乙醇等有机溶剂进行润湿或者干燥后，能够进行材料的润湿性和透明度进行双重转换，此方法简单快速，制备程序简单，环保高效，且适用性广。
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公开(公告)号：CN107963667A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711191657.0
申请日：2017-11-24
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种无支撑MoS2纳米带的获取方法，包括以下步骤：旋涂PMMA溶液后进行烘烤，然后样品放在KOH腐蚀液中浸泡剥离PMMA层，将漂浮的、粘有MoO2为核、MoS2为壳的核壳结构的PMMA层捞取出来用去离子水清洗，将PMMA/MoO2@MoS2纳米棒/SiO2/Si基底在丙酮溶液中溶胶后得到无支撑MoS2。本发明不依赖于基底模板材质和结构，过程安全有效且不会破坏MoS2晶体结构，直接获取无支撑的MoS2纳米带。
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公开(公告)号：CN107963667B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201711191657.0
申请日：2017-11-24
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种无支撑MoS2纳米带的获取方法，包括以下步骤：旋涂PMMA溶液后进行烘烤，然后样品放在KOH腐蚀液中浸泡剥离PMMA层，将漂浮的、粘有MoO2为核、MoS2为壳的核壳结构的PMMA层捞取出来用去离子水清洗，将PMMA/MoO2@MoS2纳米棒/SiO2/Si基底在丙酮溶液中溶胶后得到无支撑MoS2。本发明不依赖于基底模板材质和结构，过程安全有效且不会破坏MoS2晶体结构，直接获取无支撑的MoS2纳米带。
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公开(公告)号：CN114014260B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202111396646.2
申请日：2021-11-23
Applicant: 中南大学
IPC: B81C1/00 , B81B1/00 , B81B7/04 , B23K26/352
Abstract: 本发明公开了一种耐摩擦超疏水表面材料及制备方法，包括以下步骤：提供一基底材料，使用激光在基底材料上加工出具有微纳结构的凹槽阵列；在加工后的基底材料表面覆盖一层聚四氟乙烯薄膜，使用激光沿第一方向将具有微纳尺寸的聚四氟乙烯颗粒嵌入凹槽阵列内；将聚四氟乙烯薄膜移除，并在基底材料的表面覆盖一层新的聚四氟乙烯薄膜，使用激光沿第二方向将新的聚四氟乙烯颗粒再次嵌入凹槽阵列内；移除新的聚四氟乙烯薄膜，获得耐摩擦超疏水表面材料。本发明使用激光将具有微纳尺寸的聚四氟乙烯颗粒嵌入凹槽阵列内，使得基底材料表面具有超疏水特性，经摩擦后仍具有较高的疏水性，方法操作简单、不会造成环境污染，且适用性广，适用于多种基底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114014260A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111396646.2
申请日：2021-11-23
Applicant: 中南大学
IPC: B81C1/00 , B81B1/00 , B81B7/04 , B23K26/352
Abstract: 本发明公开了一种耐摩擦超疏水表面材料及制备方法，包括以下步骤：提供一基底材料，使用激光在基底材料上加工出具有微纳结构的凹槽阵列；在加工后的基底材料表面覆盖一层聚四氟乙烯薄膜，使用激光沿第一方向将具有微纳尺寸的聚四氟乙烯颗粒嵌入凹槽阵列内；将聚四氟乙烯薄膜移除，并在基底材料的表面覆盖一层新的聚四氟乙烯薄膜，使用激光沿第二方向将新的聚四氟乙烯颗粒再次嵌入凹槽阵列内；移除新的聚四氟乙烯薄膜，获得耐摩擦超疏水表面材料。本发明使用激光将具有微纳尺寸的聚四氟乙烯颗粒嵌入凹槽阵列内，使得基底材料表面具有超疏水特性，经摩擦后仍具有较高的疏水性，方法操作简单、不会造成环境污染，且适用性广，适用于多种基底。
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公开(公告)号：CN113831574A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111344907.6
申请日：2021-11-15
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜及润湿性和透光率双重可逆转变方法、制备方法，属于激光应用技术领域，所述制备方法包括步骤：提供聚四氟乙烯薄膜，在聚四氟乙烯薄膜表面通过激光加工的方式制备出微纳结构，微纳结构的尺寸为100nm‑20μm；对具有微纳结构的聚四氟乙烯薄膜表面采用亲水性有机溶剂进行润湿或者干燥，可对薄膜表面的浸润性和透光率同时进行可逆转换。本发明采用激光加工技术对聚四氟乙烯的表面进行加工，制备出微纳结构，采用乙醇等有机溶剂进行润湿或者干燥后，能够进行材料的润湿性和透明度进行双重转换，此方法简单快速，制备程序简单，环保高效，且适用性广。
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公开(公告)号：CN111965226A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010839543.8
申请日：2020-08-19
Applicant: 中南大学
IPC: G01N27/26 , G01N27/30 , G01N27/327
Abstract: 本发明公开了一种用于检测刀豆蛋白A的生物传感器及其制备方法和应用，所述生物传感器采用MoS2场效应晶体管，MoS2场效应晶体管包括设置于基底上的MoS2半导体层，金纳米颗粒通过物理吸附于MoS2半导体层表面，β-巯基乙胺通过Au-S键连接于金纳米颗粒表面，甘露糖与β-巯基乙胺的氨基共价键合构成甘露糖探针，甘露糖探针用于与刀豆蛋白A特异性结合。本发明的生物传感器可以免标记检测ConA，对ConA具有高的特异性，检测灵敏度高，为生物检测的大量、快速、准确重复检测奠定了一定的基础。
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公开(公告)号：CN114864735B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202210513849.3
申请日：2022-05-11
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了基于飞秒激光的光电晶体管制备方法及晶体管阵列。包括步骤：S10，提供一顶面具有二氧化硅层的硅基层；S20，在二氧化硅层的上表面形成三层薄膜结构；S30，基于飞秒激光加工工艺依据预设图案信息，沿垂直于三层薄膜结构的表面方向从三层薄膜结构的上方进行刻蚀加工形成由多个叠层无结光电晶体管组成的晶体管阵列，相邻叠层无结光电晶体管经由沟槽分隔开来。本发明的基于飞秒激光的光电晶体管制备方法，通过使用飞秒激光微纳加工技术，省略了传统图案化过程中的光刻步骤，从而降低了晶体管器件的制备工艺成本，复合光敏材料与半导体材料，利用光生载流子注入半导体来提高器件电子及空穴的迁移率，获得更高的光电流响应。
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公开(公告)号：CN114899107A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210527745.8
申请日：2022-05-16
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/428 , H01L21/8234
Abstract: 本发明公开了一种基于飞秒激光的多孔源栅电极垂直晶体管阵列的制备方法，包括以下步骤：在导电衬底上磁控溅射半导体层，并在半导体上旋涂聚苯乙烯微球溶液；待聚苯乙烯微球溶液中的溶剂挥发后，在其上磁控溅射导体层，并用有机溶剂溶解聚苯乙烯微球，即可在导体层中形成多孔结构；采用飞秒激光按照预先设定好的图案对半导体层和含有多孔结构的导体层打穿形成沟槽，并将离子液滴入沟槽和覆盖离子液在部分含有多孔结构的导体层上；在未覆盖离子液的区域引出源极和栅极，并将源极所在单元对应的底部导电衬底作为漏极。本申请减少了图案化过程中的不确定因素，易于集成形成晶体管阵列，且图案化过程简单，可进行多样化图案设计。
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