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公开(公告)号：CN115894082A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310221986.4
申请日：2023-03-09
申请人： 中南大学
IPC分类号： C04B41/88
摘要： 本发明公开了一种(ZrHfTiTaNb)C‑W金属高熵陶瓷改性C/C复合材料及其制备方法，将含原料粉末B1的浆料A1刷涂进C/C多孔体中，烧结处理，于C/C多孔体表面形成(ZrHfTiTaNb)C界面层，再将含原料粉末B2的浆料A2刷涂进C/C多孔体中，反应烧结，重复浆料A2的刷涂‑反应烧结，即得(ZrHfTiTaNb)C‑W金属高熵陶瓷改性C/C复合材料；本发明所制备的复合材料致密度高，无明显缺陷，所制得的复合材料高强高韧，抗烧蚀性能高，采用刷涂的制备方法，工艺简单高效。
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公开(公告)号：CN115353414A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210912167.X
申请日：2022-07-29
申请人： 中南大学
IPC分类号： C04B41/87
摘要： 本发明公开了一种SiC与碳氮化物互穿抗烧蚀涂层及其制备方法，所述互穿抗烧蚀涂层设置于碳材料表面，所述互穿抗烧蚀涂层由SiC相与碳氮化物相组成，所述SiC相与碳氮化物相呈网络互穿结构。所述互穿抗烧蚀涂层通过先原位生成多孔SiC涂层，再通过高流动性熔盐包裹金属氮化物运输至多孔SiC孔中经过沉积碳扩散，形成与SiC互穿的碳氮化物。本发明所提供的互穿抗烧蚀涂层具有低热膨胀、高熔点、高强度的综合特点。本发明可在远低于Si、Hf熔点的温度制备抗烧蚀碳氮化物互穿界面涂层，工艺简单高效。
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公开(公告)号：CN111233518A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010105647.6
申请日：2020-02-20
申请人： 中南大学
IPC分类号： C04B41/89
摘要： 本发明提供了一种金属网格优化的抗烧蚀ZrHfC/SiC复相陶瓷涂层的制备方法及抗烧蚀复合材料，该方法包括：S1、将高熔点金属网和包含Hf粉的浆料无次序地置于炭基体上，经干燥处理形成预制涂层；S2、采用包含Zr粉和Si粉的混合粉料，在形成预制涂层的基体上通过加热蒸镀并反应，得到抗烧蚀ZrHfC/SiC复相陶瓷涂层。所述抗烧蚀ZrHfC/SiC复相陶瓷涂层中含有ZrxHf1-xC、高熔点金属硅化物、ZrSi2和SiC相，外层主要为ZrxHf1-xC，高熔点金属硅化物和ZrSi2相弥散分布于涂层中部，SiC相分布在基体与外层间。本发明能制备耐高温、抗烧蚀ZrHfC/SiC复相陶瓷涂层，工艺简单高效。
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公开(公告)号：CN115894082B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310221986.4
申请日：2023-03-09
申请人： 中南大学
IPC分类号： C04B41/88
摘要： 本发明公开了一种(ZrHfTiTaNb)C‑W金属高熵陶瓷改性C/C复合材料及其制备方法，将含原料粉末B1的浆料A1刷涂进C/C多孔体中，烧结处理，于C/C多孔体表面形成(ZrHfTiTaNb)C界面层，再将含原料粉末B2的浆料A2刷涂进C/C多孔体中，反应烧结，重复浆料A2的刷涂‑反应烧结，即得(ZrHfTiTaNb)C‑W金属高熵陶瓷改性C/C复合材料；本发明所制备的复合材料致密度高，无明显缺陷，所制得的复合材料高强高韧，抗烧蚀性能高，采用刷涂的制备方法，工艺简单高效。
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公开(公告)号：CN115369336B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211299442.1
申请日：2022-10-24
申请人： 中南大学
IPC分类号： C22C49/02 , C22C49/14 , C22C101/10
摘要： 本发明公开了一种W‑Cu‑ZrC‑HfC金属陶瓷改性C/C复合材料的制备方法，所述复合材料由包裹热解碳层的碳纤维束，以及填充于碳纤维束之间的金属陶瓷相组成，所述金属陶瓷相为W‑Cu‑ZrC‑HfC，其中W、Cu弥散分布于ZrC、HfC中。制备方法为：将C/C多孔体进行预氧化处理获得C/C‑COOH，将C/C‑COOH多孔体采用硅烷偶联剂进行表面修饰，获得C/C‑硅烷，然后于C/C‑硅烷表面刷涂含WC的浆料，固化处理，获得C/C‑WC，最后将C/C‑WC用(ZrHf)2Cu粉料包埋，然后于1200℃~1500℃进行熔渗反应，即得W‑Cu‑ZrC‑HfC金属陶瓷改性C/C复合材料。
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公开(公告)号：CN114988905B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210844919.3
申请日：2022-07-19
申请人： 中南大学
摘要： 本发明公开了一种Al2O3填充Cf/PyC‑SiCNWs复合材料及其制备方法，将K2SiF6粉、Si粉、Al2O3粉、CaCl2粉、CsF粉，混合获得熔盐粉料A，将Cf/PyC多孔体包埋于熔盐粉料A中，然后于保护气氛下反应，冷却即得Al2O3填充Cf/PyC‑SiCNWs复合材料。本发明通过低温法制备的Al2O3填充Cf/PyC‑SiCNWs复合材料，含PyC‑SiCNWs双相界面，其中界面外层由SiCNWs与SiC纳米颗粒缠绕而成，界面内层为热解碳层组成，Al2O3填充在Cf/PyC‑SiCNWs复合材料的孔隙中，具有优异的抗氧化性能。
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公开(公告)号：CN114988888A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210929564.8
申请日：2022-08-04
申请人： 中南大学
IPC分类号： C04B35/628
摘要： 本发明公开了一种包裹碳纤维的SiC‑HfC‑Al2O3多层界面涂层的制备方法，所述多层界面涂层，从内至外，由SiC层、HfC层、Al2O3层组成。所述制备方法为：将含PyC层的碳纤维包埋于熔盐粉料A中，然后于保护气氛下进行第一次反应，冷却即得含SiC涂层的碳纤维；再将含SiC涂层的碳纤维包埋于熔盐粉料B中，然后于保护气氛下进行第二次反应、冷却，即得包裹碳纤维的SiC‑HfC‑Al2O3多层界面涂层；本发明能在低于Si、Hf、Al2O3熔点的温度制备抗烧蚀SiC‑HfC‑Al2O3多层界面涂层，工艺简单高效。
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公开(公告)号：CN116334508B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310627396.1
申请日：2023-05-31
申请人： 中南大学
IPC分类号： C22C47/04 , C22C1/10 , C22C29/02 , C22C29/16 , C22C47/08 , C22C49/02 , C22C49/14 , C04B35/56 , C04B35/58 , C04B35/626 , C22C101/10
摘要： 本发明公开了一种金属高熵陶瓷改性C/C复合材料及其制备方法，将C/C多孔体置于浸渍剂中浸渍，然后裂解，重复浸渍‑裂解，获得C/C‑SiC多孔体，然后将含原料粉末的刷涂浆料刷涂进C/C‑SiC多孔体中，烧结处理，然后重复刷涂‑烧结处理直至获得致密的金属高熵陶瓷改性C/C复合材料；本发明的制备方法，直接采用包含高熵陶瓷粉体、W粉、Cu粉的刷涂浆料作为基体原料，在烧结过程中，没有物料之间的化学反应，仅仅只是Cu的溶解，烧结温度低，不仅避免了反应过程中对碳纤维的损伤，提升了复合材料的性能，而且大幅降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN115369336A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211299442.1
申请日：2022-10-24
申请人： 中南大学
IPC分类号： C22C49/02 , C22C49/14 , C22C101/10
摘要： 本发明公开了一种W‑Cu‑ZrC‑HfC金属陶瓷改性C/C复合材料的制备方法，所述复合材料由包裹热解碳层的碳纤维束，以及填充于碳纤维束之间的金属陶瓷相组成，所述金属陶瓷相为W‑Cu‑ZrC‑HfC，其中W、Cu弥散分布于ZrC、HfC中。制备方法为：将C/C多孔体进行预氧化处理获得C/C‑COOH，将C/C‑COOH多孔体采用硅烷偶联剂进行表面修饰，获得C/C‑硅烷，然后于C/C‑硅烷表面刷涂含WC的浆料，固化处理，获得C/C‑WC，最后将C/C‑WC用(ZrHf)2Cu粉料包埋，然后于1200℃~1500℃进行熔渗反应，即得W‑Cu‑ZrC‑HfC金属陶瓷改性C/C复合材料。
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公开(公告)号：CN114988905A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210844919.3
申请日：2022-07-19
申请人： 中南大学
摘要： 本发明公开了一种Al2O3填充Cf/PyC‑SiCNWs复合材料及其制备方法，将K2SiF6粉、Si粉、Al2O3粉、CaCl2粉、CsF粉，混合获得熔盐粉料A，将Cf/PyC多孔体包埋于熔盐粉料A中，然后于保护气氛下反应，冷却即得Al2O3填充Cf/PyC‑SiCNWs复合材料。本发明通过低温法制备的Al2O3填充Cf/PyC‑SiCNWs复合材料，含PyC‑SiCNWs双相界面，其中界面外层由SiCNWs与SiC纳米颗粒缠绕而成，界面内层为热解碳层组成，Al2O3填充在Cf/PyC‑SiCNWs复合材料的孔隙中，具有优异的抗氧化性能。
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