公开(公告)号：CN107963667A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201711191657.0

申请日：2017-11-24

Applicant: 中南大学

Inventor： 施姣 ,  黄寒 ,  吴迪 ,  郑晓明 ,  韩欣彤 ,  谢叮咚 ,  蒋杰 ,  高永立

IPC: C01G39/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种无支撑MoS2纳米带的获取方法，包括以下步骤：旋涂PMMA溶液后进行烘烤，然后样品放在KOH腐蚀液中浸泡剥离PMMA层，将漂浮的、粘有MoO2为核、MoS2为壳的核壳结构的PMMA层捞取出来用去离子水清洗，将PMMA/MoO2@MoS2纳米棒/SiO2/Si基底在丙酮溶液中溶胶后得到无支撑MoS2。本发明不依赖于基底模板材质和结构，过程安全有效且不会破坏MoS2晶体结构，直接获取无支撑的MoS2纳米带。

公开(公告)号：CN107963667B

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201711191657.0

申请日：2017-11-24

Applicant: 中南大学

Inventor： 施姣 ,  黄寒 ,  吴迪 ,  郑晓明 ,  韩欣彤 ,  谢叮咚 ,  蒋杰 ,  高永立

IPC: C01G39/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种无支撑MoS2纳米带的获取方法，包括以下步骤：旋涂PMMA溶液后进行烘烤，然后样品放在KOH腐蚀液中浸泡剥离PMMA层，将漂浮的、粘有MoO2为核、MoS2为壳的核壳结构的PMMA层捞取出来用去离子水清洗，将PMMA/MoO2@MoS2纳米棒/SiO2/Si基底在丙酮溶液中溶胶后得到无支撑MoS2。本发明不依赖于基底模板材质和结构，过程安全有效且不会破坏MoS2晶体结构，直接获取无支撑的MoS2纳米带。