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公开(公告)号：CN215955320U
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202122382856.8
申请日：2021-09-29
Applicant: 中南大学
Inventor： 蒋杰 , 谷丽娟
IPC: H01L43/08 , H01L43/02
Abstract: 本实用新型一个或多个实施例提供一种垂直栅控忆阻器，包括：基底；设置在所述基底上的栅介质层；间隔设置在所述栅介质层上的底电极层和栅极层；依次设置在所述底电极层上的中间层和顶电极层。本实用新型能够实现复杂的功能，制备工艺简单，方便控制，且更环保。
