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公开(公告)号：CN113075391A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110399689.X
申请日：2021-04-14
申请人： 中南大学
摘要： 本发明提出一种混凝土约束收缩试验装置及其试验方法，用于待测混凝土试件在长度方向进行主动约束且在约束条件下测量其收缩变形量，包括底板、沿所述底板的长度方向相对设置的两端板、设置在所述端板边角处的角钢以及设置在所述底板上的位移传感器；所述位移传感器设置在所述端板远离所述底板的两侧；两所述端板共同组成一个约束所述待测混凝土试件沿长度方向的收缩变形装置；所述待测混凝土试件包括预埋在所述待测混凝土试件顶部的两薄片以及预埋在所述待测混凝土试件两端的钢筋；所述钢筋用于约束混凝土收缩，所述薄片用于观测待测混凝土试件中间部位的收缩变形量；本发明构造简单，操作方便，结果精准度高。
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公开(公告)号：CN110544736B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910880826.4
申请日：2019-09-18
申请人： 中南大学
摘要： 本发明提供了一种GaN基LED芯片的制备方法，包括：在衬底1上依次外延生长n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p‑GaN层，形成GaN LED外延层；在GaN LED外延层上刻蚀多个沟槽，形成由衬底1连接的多个芯片；在多个芯片上表面制备衬底3；将衬底1去除；将结构倒转，在多个芯片的n‑GaN层上表面制取一层蓝膜；在衬底3下表面进行光刻，利用光刻胶保护芯片对应区域，光刻后暴露出芯片和芯片之间的沟槽区域；利用湿法刻蚀去除芯片与芯片之间沟槽区域的衬底3；去除光刻胶，得到分立在蓝膜上的多个GaN基LED芯片。上述方法简单可行，能提高LED良率，对LED芯粒无损伤，从而不损伤LED芯粒亮度。
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公开(公告)号：CN110544736A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910880826.4
申请日：2019-09-18
申请人： 中南大学
摘要： 本发明提供了一种GaN基LED芯片的制备方法，包括：在衬底1上依次外延生长n-GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p-GaN层，形成GaN LED外延层；在GaN LED外延层上刻蚀多个沟槽，形成由衬底1连接的多个芯片；在多个芯片上表面制备衬底3；将衬底1去除；将结构倒转，在多个芯片的n-GaN层上表面制取一层蓝膜；在衬底3下表面进行光刻，利用光刻胶保护芯片对应区域，光刻后暴露出芯片和芯片之间的沟槽区域；利用湿法刻蚀去除芯片与芯片之间沟槽区域的衬底3；去除光刻胶，得到分立在蓝膜上的多个GaN基LED芯片。上述方法简单可行，能提高LED良率，对LED芯粒无损伤，从而不损伤LED芯粒亮度。
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公开(公告)号：CN113075391B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110399689.X
申请日：2021-04-14
申请人： 中南大学 , 中铁十八局集团有限公司
摘要： 本发明提出一种混凝土约束收缩试验装置及其试验方法，用于待测混凝土试件在长度方向进行主动约束且在约束条件下测量其收缩变形量，包括底板、沿所述底板的长度方向相对设置的两端板、设置在所述端板边角处的角钢以及设置在所述底板上的位移传感器；所述位移传感器设置在所述端板远离所述底板的两侧；两所述端板共同组成一个约束所述待测混凝土试件沿长度方向的收缩变形装置；所述待测混凝土试件包括预埋在所述待测混凝土试件顶部的两薄片以及预埋在所述待测混凝土试件两端的钢筋；所述钢筋用于约束混凝土收缩，所述薄片用于观测待测混凝土试件中间部位的收缩变形量；本发明构造简单，操作方便，结果精准度高。
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公开(公告)号：CN112018221A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010953229.2
申请日：2020-09-11
申请人： 中南大学
摘要： 本发明公开了一种面向3D显示的出射圆偏振光垂直结构微腔Micro-LED及其制备方法，本发明这种微腔Micro-LED可以出射圆偏偏振光，采用圆偏振光进行3D偏光显示，只要设置好圆偏振眼镜的光轴位置就可以消除由于眼镜倾斜带来的图案的串扰问题。本发明通过减薄芯片厚度，并通过导电层上的光栅和n-GaN层上的介质膜反射镜作为谐振腔端面，形成垂直方向的谐振微腔结构，将抑制侧壁出光，提高正面出光方向性。同时谐振微腔结构将选择特定波长，使其发光光谱变窄，光谱纯度更高，这将有利于提高Micro-LED显示的阈值。并且光栅有偏振选择出光性，经过此结构出射光为线偏振光。顶部集成微纳结构，相当于1/4波片，将线偏振光转换为圆偏振光。
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公开(公告)号：CN110571317A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910881409.1
申请日：2019-09-18
申请人： 中南大学
摘要： 本发明提供了一种表面塑形倒装焊Micro LED及其制备方法，器件包括衬底一和LED外延材料；LED外延材料由上至下依次包括p-GaN层、MQW层和n-GaN层；p-GaN层与MQW层的宽度相等且小于n-GaN层的宽度，n-GaN层的厚度从上至下逐渐增加，形成倾斜侧壁台阶结构；n-GaN层的下表面设有微纳结构；LED外延材料通过微凸点结构倒装焊接在所述衬底一上。制备方法包括：制备LED外延材料、刻蚀形成倾斜侧壁台阶结构、将台阶结构倒装焊在衬底一上、剥离外延材料的衬底二、制备微纳结构，完成Micro LED器件的制备。所得Micro LED器件光提取效率高、显示亮度高、显示性能好。
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公开(公告)号：CN112018221B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202010953229.2
申请日：2020-09-11
申请人： 中南大学
摘要： 本发明公开了一种面向3D显示的出射圆偏振光垂直结构微腔Micro‑LED及其制备方法，本发明这种微腔Micro‑LED可以出射圆偏偏振光，采用圆偏振光进行3D偏光显示，只要设置好圆偏振眼镜的光轴位置就可以消除由于眼镜倾斜带来的图案的串扰问题。本发明通过减薄芯片厚度，并通过导电层上的光栅和n‑GaN层上的介质膜反射镜作为谐振腔端面，形成垂直方向的谐振微腔结构，将抑制侧壁出光，提高正面出光方向性。同时谐振微腔结构将选择特定波长，使其发光光谱变窄，光谱纯度更高，这将有利于提高Micro‑LED显示的阈值。并且光栅有偏振选择出光性，经过此结构出射光为线偏振光。顶部集成微纳结构，相当于1/4波片，将线偏振光转换为圆偏振光。
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公开(公告)号：CN110571317B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910881409.1
申请日：2019-09-18
申请人： 中南大学
摘要： 本发明提供了一种表面塑形倒装焊Micro LED及其制备方法，器件包括衬底一和LED外延材料；LED外延材料由上至下依次包括p‑GaN层、MQW层和n‑GaN层；p‑GaN层与MQW层的宽度相等且小于n‑GaN层的宽度，n‑GaN层的厚度从上至下逐渐增加，形成倾斜侧壁台阶结构；n‑GaN层的下表面设有微纳结构；LED外延材料通过微凸点结构倒装焊接在所述衬底一上。制备方法包括：制备LED外延材料、刻蚀形成倾斜侧壁台阶结构、将台阶结构倒装焊在衬底一上、剥离外延材料的衬底二、制备微纳结构，完成Micro LED器件的制备。所得Micro LED器件光提取效率高、显示亮度高、显示性能好。
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公开(公告)号：CN112038458A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010953224.X
申请日：2020-09-11
申请人： 中南大学
摘要： 本发明公开了一种偏光微结构Micro-LED及其在裸眼3D显示系统中的应用，其结构由下到上包括金属衬底、导电层、氮化物层一、多量子阱有源区层、氮化物层二、氧化物DBR、表面偏光微结构。本发明的偏光微结构Micro-LED不需要借助光栅，实现裸眼3D显示。利用LED由于其自发辐射性，其发光不具有相干性。通过减薄芯片厚度，并通过金属衬底和氮化物层二上的氧化物DBR反射镜作为谐振腔端面，形成垂直方向的谐振微腔结构，使其发光光谱变窄，且将抑制侧壁出光，提高正面出光方向性。同时顶部集成微纳结构，具有改变光束相位功能，将未偏转角度的光波前转换为斜射一定角度的光波前，实现出射光角度的改变，进而实现裸眼3D显示。
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公开(公告)号：CN111725368A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010613174.0
申请日：2020-06-30
申请人： 中南大学
摘要： 本发明公开了一种基于电镀技术的GaN基垂直结构微腔Micro-LED及其制备方法，本发明这种微腔Micro-LED发光半高宽窄，发光方向性好；通过减薄芯片厚度，并通过p-GaN层(5)的金属反射镜和n-GaN层的介质膜反射镜作为谐振腔端面，形成垂直方向的谐振微腔结构，将抑制侧壁出光，提高正面出光方向性，从而减小Micro-LED显示相邻像素之间的串扰效应。同时谐振微腔结构将选择特定波长，使其发光光谱变窄，光谱纯度更高，这将有利于提高Micro-LED显示的阈值，本发明垂直结构Micro-LED有源区面积大，n-GaN吸光较少；电流扩展较好，电压较低，电流密度较小，在光效，饱和电流，长期可靠性方面具有优势；其次Cu衬底具有良好的导电性和导热性，芯片热阻较小。
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