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公开(公告)号：CN110444615B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910739894.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基垂直结MSM紫外探测器及其制备方法，包括衬底，衬底一侧由内至外依次设有AlXGa1‑XN紫外光吸收层、电极，所述电极为正常叉指电极的一半，沉积在AlXGa1‑XN紫外光吸收层的表面，衬底另一侧设有区域电极，所述区域电极和叉指电极的材质相同，区域电极为层状，且区域电极、衬底、AlXGa1‑XN紫外光吸收层的横截面积相等。本发明通过将单个叉指电极沉积在紫外光吸收层上面，减少了金属电极对部分入射光的阻挡和吸收，在衬底下面制备区域电极，使得产生的光生载留子在垂直方向迁移收集，而不是在侧方向迁移收集，减少了光生载流子迁移时间，从而提高探测器的响应度，降低响应时间，增大探测器响应度，提高了使用性能。
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公开(公告)号：CN110581125B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910886527.1
申请日：2019-09-19
Applicant: 中南大学
IPC: H01L25/16 , H01L31/02 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种集成CMOS探测器及制备工艺，属于半导体技术领域，本发明器件制作工艺简单，AlxGayIn2‑x‑yO3活性层生长工艺成熟，成本低，易于实施，可以大规模推广。在预先制作好CMOS电路和引出电极的Si衬底上，直接通过与Si基CMOS生长工艺兼容的方法生长AlxGayIn2‑x‑yO3材料作为探测器活性层。制作叉指电极与Si衬底的引出电极互连，且叉指电极在AlxGayIn2‑x‑yO3活性层材料的下面，入射光则从AlxGayIn2‑x‑yO3活性层材料上方入射，即相对叉指电极背入射，从而避免叉指电极对光的吸收。选择AlxGayIn2‑x‑yO3材料体系，可通过进一步调整Al,Ga,In各元素的组分，以及AlxGayIn2‑x‑yO3材料的生长位置，实现集成CMOS单芯片宽波段探测器阵列。
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公开(公告)号：CN110581206A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910880984.X
申请日：2019-09-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种GaN基Micro-LED及其制备方法，所述Micro-LED包括GaN基Micro-LED芯片和Si衬底；所述芯片由下到上设有介质膜和n-GaN层；所述n-GaN层表面具有上台阶部和下台阶部；所述n-GaN层的上台阶部依次设有MQW层、p-GaN层和反射镜电极，所述n-GaN层的下台阶部设有欧姆接触金属；所述GaN基Micro-LED芯片通过In柱阵列倒装焊接在Si衬底上。上述GaN基Micro-LED具有垂直方向的谐振微腔结构，发光半高宽窄、发光方向性好、发光速度快；Micro-LED由GaN基材料组成，芯片厚度经减薄后，光提取效率得到提高、体积更小、集成度更高。
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公开(公告)号：CN110581125A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910886527.1
申请日：2019-09-19
Applicant: 中南大学
IPC: H01L25/16 , H01L31/02 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种集成CMOS探测器及制备工艺，属于半导体技术领域，本发明器件制作工艺简单，AlxGayIn2-x-yO3活性层生长工艺成熟，成本低，易于实施，可以大规模推广。在预先制作好CMOS电路和引出电极的Si衬底上，直接通过与Si基CMOS生长工艺兼容的方法生长AlxGayIn2-x-yO3材料作为探测器活性层。制作叉指电极与Si衬底的引出电极互连，且叉指电极在AlxGayIn2-x-yO3活性层材料的下面，入射光则从AlxGayIn2-x-yO3活性层材料上方入射，即相对叉指电极背入射，从而避免叉指电极对光的吸收。选择AlxGayIn2-x-yO3材料体系，可通过进一步调整Al,Ga,In各元素的组分，以及AlxGayIn2-x-yO3材料的生长位置，实现集成CMOS单芯片宽波段探测器阵列。
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公开(公告)号：CN110544736B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910880826.4
申请日：2019-09-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种GaN基LED芯片的制备方法，包括：在衬底1上依次外延生长n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p‑GaN层，形成GaN LED外延层；在GaN LED外延层上刻蚀多个沟槽，形成由衬底1连接的多个芯片；在多个芯片上表面制备衬底3；将衬底1去除；将结构倒转，在多个芯片的n‑GaN层上表面制取一层蓝膜；在衬底3下表面进行光刻，利用光刻胶保护芯片对应区域，光刻后暴露出芯片和芯片之间的沟槽区域；利用湿法刻蚀去除芯片与芯片之间沟槽区域的衬底3；去除光刻胶，得到分立在蓝膜上的多个GaN基LED芯片。上述方法简单可行，能提高LED良率，对LED芯粒无损伤，从而不损伤LED芯粒亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110544736A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910880826.4
申请日：2019-09-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种GaN基LED芯片的制备方法，包括：在衬底1上依次外延生长n-GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p-GaN层，形成GaN LED外延层；在GaN LED外延层上刻蚀多个沟槽，形成由衬底1连接的多个芯片；在多个芯片上表面制备衬底3；将衬底1去除；将结构倒转，在多个芯片的n-GaN层上表面制取一层蓝膜；在衬底3下表面进行光刻，利用光刻胶保护芯片对应区域，光刻后暴露出芯片和芯片之间的沟槽区域；利用湿法刻蚀去除芯片与芯片之间沟槽区域的衬底3；去除光刻胶，得到分立在蓝膜上的多个GaN基LED芯片。上述方法简单可行，能提高LED良率，对LED芯粒无损伤，从而不损伤LED芯粒亮度。
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公开(公告)号：CN110444615A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910739894.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基垂直结MSM紫外探测器及其制备方法，包括衬底，衬底一侧由内至外依次设有AlXGa1-XN紫外光吸收层、电极，所述电极为正常叉指电极的一半，沉积在AlXGa1-XN紫外光吸收层的表面，衬底另一侧设有区域电极，所述区域电极和叉指电极的材质相同，区域电极为层状，且区域电极、衬底、AlXGa1-XN紫外光吸收层的横截面积相等。本发明通过将单个叉指电极沉积在紫外光吸收层上面，减少了金属电极对部分入射光的阻挡和吸收，在衬底下面制备区域电极，使得产生的光生载留子在垂直方向迁移收集，而不是在侧方向迁移收集，减少了光生载流子迁移时间，从而提高探测器的响应度，降低响应时间，增大探测器响应度，提高了使用性能。
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公开(公告)号：CN110581186B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910881040.4
申请日：2019-09-18
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种可调控光分布的MSM紫外探测器及其制备方法，属于半导体技术领域，所述探测器包括衬底和在衬底上依次生长的AlXGa1‑XN基紫外光吸收层和叉指电极；所述叉指电极与AlXGa1‑XN基紫外光吸收层形成肖特基接触；所述衬底背面设有微纳结构。所述探测器的制备方法包括：首先在衬底的正面外延生长AlXGa1‑XN基紫外光吸收层；然后在AlXGa1‑XN紫外光吸收层上制备叉指电极；再在衬底的背面进行研磨，得到光滑平整背面；最后在光滑平整背面制作微纳结构，得到MSM紫外探测器。上述制备方法简单、成本低廉，提高了MSM紫外探测器的响应度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN110571317B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910881409.1
申请日：2019-09-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种表面塑形倒装焊Micro LED及其制备方法，器件包括衬底一和LED外延材料；LED外延材料由上至下依次包括p‑GaN层、MQW层和n‑GaN层；p‑GaN层与MQW层的宽度相等且小于n‑GaN层的宽度，n‑GaN层的厚度从上至下逐渐增加，形成倾斜侧壁台阶结构；n‑GaN层的下表面设有微纳结构；LED外延材料通过微凸点结构倒装焊接在所述衬底一上。制备方法包括：制备LED外延材料、刻蚀形成倾斜侧壁台阶结构、将台阶结构倒装焊在衬底一上、剥离外延材料的衬底二、制备微纳结构，完成Micro LED器件的制备。所得Micro LED器件光提取效率高、显示亮度高、显示性能好。
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公开(公告)号：CN111725367A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010611853.4
申请日：2020-06-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构氮化物RC LED及其制备方法，由下到上包括导电衬底、氮化物DBR1、氮化物层1、多量子阱有源区层、氮化物层2、透明导电插入层、氮化物DBR2，所述导电衬底和氮化物DBR2上均设有金属电极。本发明中的氮化物DBR1和氮化物DBR2是利用磁控溅射制备的材料，其晶体结构是多晶甚至非晶的，因此可以减少应力和应力累计。本发明中氮化物DBR1和氮化物DBR2由AlxIn1-xN层和AlyIn1-yN层周期循环交替组合，可以根据DBR目标反射波长，调节AlyIn1-yN/AlxIn1-xDBR中Al成分，最大程度的减少对DBR目标反射波长光的吸收。本发明中导电Si衬底上制备导电AlyIn1-yN/AlxIn1-xN DBR中引入了掺杂元素，可以制备垂直电流注入型RC LED，提高RC LED性能。
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