公开(公告)号：CN114864735B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202210513849.3

申请日：2022-05-11

Applicant: 中南大学

Inventor： 蒋杰 ,  张艺 ,  黄卓慧 ,  银恺

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了基于飞秒激光的光电晶体管制备方法及晶体管阵列。包括步骤：S10，提供一顶面具有二氧化硅层的硅基层；S20，在二氧化硅层的上表面形成三层薄膜结构；S30，基于飞秒激光加工工艺依据预设图案信息，沿垂直于三层薄膜结构的表面方向从三层薄膜结构的上方进行刻蚀加工形成由多个叠层无结光电晶体管组成的晶体管阵列，相邻叠层无结光电晶体管经由沟槽分隔开来。本发明的基于飞秒激光的光电晶体管制备方法，通过使用飞秒激光微纳加工技术，省略了传统图案化过程中的光刻步骤，从而降低了晶体管器件的制备工艺成本，复合光敏材料与半导体材料，利用光生载流子注入半导体来提高器件电子及空穴的迁移率，获得更高的光电流响应。

公开(公告)号：CN114899107A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210527745.8

申请日：2022-05-16

Applicant: 中南大学

Inventor： 蒋杰 ,  张艺 ,  黄卓慧 ,  银恺

IPC: H01L21/428 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明公开了一种基于飞秒激光的多孔源栅电极垂直晶体管阵列的制备方法，包括以下步骤：在导电衬底上磁控溅射半导体层，并在半导体上旋涂聚苯乙烯微球溶液；待聚苯乙烯微球溶液中的溶剂挥发后，在其上磁控溅射导体层，并用有机溶剂溶解聚苯乙烯微球，即可在导体层中形成多孔结构；采用飞秒激光按照预先设定好的图案对半导体层和含有多孔结构的导体层打穿形成沟槽，并将离子液滴入沟槽和覆盖离子液在部分含有多孔结构的导体层上；在未覆盖离子液的区域引出源极和栅极，并将源极所在单元对应的底部导电衬底作为漏极。本申请减少了图案化过程中的不确定因素，易于集成形成晶体管阵列，且图案化过程简单，可进行多样化图案设计。

公开(公告)号：CN114864735A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210513849.3

申请日：2022-05-11

Applicant: 中南大学

Inventor： 蒋杰 ,  张艺 ,  黄卓慧 ,  银恺

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了基于飞秒激光的光电晶体管制备方法及晶体管阵列。包括步骤：S10，提供一顶面具有二氧化硅层的硅基层；S20，在二氧化硅层的上表面形成三层薄膜结构；S30，基于飞秒激光加工工艺依据预设图案信息，沿垂直于三层薄膜结构的表面方向从三层薄膜结构的上方进行刻蚀加工形成由多个叠层无结光电晶体管组成的晶体管阵列，相邻叠层无结光电晶体管经由沟槽分隔开来。本发明的基于飞秒激光的光电晶体管制备方法，通过使用飞秒激光微纳加工技术，省略了传统图案化过程中的光刻步骤，从而降低了晶体管器件的制备工艺成本，复合光敏材料与半导体材料，利用光生载流子注入半导体来提高器件电子及空穴的迁移率，获得更高的光电流响应。