咖啡环交叉富集拉曼芯片及其制备方法和其应用

    公开(公告)号:CN114965436A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210758881.8

    申请日:2022-06-30

    IPC分类号: G01N21/65 G01N21/01

    摘要: 本发明提供了一种咖啡环交叉富集拉曼芯片及其制备方法和其应用,该拉曼芯片包括具有陷光结构的芯片,芯片上设有疏水层,疏水层上设有纳米颗粒咖啡环,疏水层上还设有由纳米颗粒溶胶和待测污染物自组装形成的另一咖啡环,两个咖啡环之间有交叉点,在该点处纳米颗粒与污染物均具有最高浓度。本发明还公开了咖啡环交叉富集拉曼芯片的制备方法及其在三苯基氯化锡的检测应用。该芯片基于咖啡环交叉效应的富集策略和定位策略,通过双咖啡环交叉印记对检测区域快速锁定,大幅提升检测效率以及一致性,同时利用纳米颗粒在微纳结构内的组装大幅提升基底的增强性能。并利用陷光效应和超疏水作用提升检测限,以解决传统的表面增强拉曼散射基底灵敏度、稳定性和一致性无法兼容的问题。