一种强流高压真空二极管

    公开(公告)号:CN112768328A

    公开(公告)日:2021-05-07

    申请号:CN202110110840.3

    申请日:2021-01-27

    IPC分类号: H01J19/44 H01J19/54 H01J21/04

    摘要: 本发明公开了一种强流高压真空二极管,目的是解决真空二极管绝缘子易产生沿面闪络问题。本发明由绝缘子、阳极、阴极、屏蔽环、法兰、密封圈构成,阴极、屏蔽环、绝缘子、阳极从内到外同轴嵌套,绝缘子外沿通过法兰与密封圈紧压在阳极内壁,屏蔽环拧在阴极的右端;阳极接地,侧面开有气孔,气孔外接真空机组。绝缘子为长锥形中空结构,隔离高功率脉冲驱动源的介质区与阳极筒内的真空区,绝缘子的中空部分插有阴极。屏蔽环为带有圆管的圆盘状金属结构,由圆管、圆盘、圆筒组成,屏蔽环能阻挡一部分沿磁力线回流的电子束,避免电子束轰击绝缘子表面。本发明解决了真空二极管绝缘子易产生沿面闪络,磁场导引下电子束易沿磁力线回流轰击阴极的问题。

    一种全固态百纳秒方波脉冲发生器

    公开(公告)号:CN111313867B

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN201911173843.0

    申请日:2019-11-26

    IPC分类号: H03K3/021

    摘要: 本发明公开了一种全固态百纳秒方波脉冲发生器,目的是解决现有全固态脉冲发生器输出脉宽长的问题。本发明由初级储能模块、脉冲升压模块、压缩整形模块、脉冲形成模块以及触发控制器、复位电路组成;触发控制器中有两路信号传输通道,按时延t分别触发初级储能模块的2个晶闸管开关;初级储能模块中的能量补充电容Cf的电容量远大于原边电容C0的电容量;压缩整形模块由主电容C、隔离电感Li以及主开关MS构成;主开关MS为磁开关,在C、脉冲升压模块、复位电路的配合控制下完成非饱和态和饱和态之间的切换以完成对脉冲发生器的输出信号的压缩,使得输出脉宽只有几百纳秒,可以直接作为驱动高功率微波产生器件的高功率脉冲驱动源用在HPM系统。

    一种紧凑型双层次级的Tesla型脉冲变压器

    公开(公告)号:CN113555198A

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202110776001.5

    申请日:2021-07-08

    摘要: 本发明公开了一种紧凑型双层次级的Tesla型脉冲变压器,目的是实现变压器的紧凑化和高升压比,保证可靠性。本发明由外壳、磁芯、初级绕组、次级绕组、绝缘支撑、绝缘介质、绝缘纸组成。外壳由边缘压环、主体外壳、端部盖板组成;磁芯由外磁芯和内磁芯组成;初级绕组由多个外接铜柱、左端初级线圈、中部初级线圈和右端初级线圈组成;次级绕组由外次级线圈、屏蔽环、内次级绕组、输出端子组成;绝缘支撑由绝缘筒、外次级线圈支撑、组合绝缘套筒、内次级线圈支撑、支撑板、支撑杆、绝缘子构成。次级绕组采用双层结构,在同等长度下增加了次级绕组总匝数,实现了高升压比,且使得变压器小型紧凑,保证装置高功率重频运行可靠性,增加整体寿命。

    一种驱动多路晶闸管的触发控制器

    公开(公告)号:CN110830019A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201911173877.X

    申请日:2019-11-26

    IPC分类号: H03K17/691

    摘要: 本发明公开了一种驱动多路晶闸管的触发控制器,目的是解决现有晶闸管触发方式不能触发多路晶闸管的问题。本发明由光接收模块、N个MOSFET驱动器、N个功率MOSFET、(N-1)个集成单稳态触发器组成;光接收模块、第一MOSFET驱动器与第一功率MOSFET构成第一路信号传输通道;光接收模块、第一集成单稳态触发器、第二MOSFET驱动器以及第二功率MOSFET构成第二路信号传输通道;……;光接收模块、第(N-1)集成单稳态触发器、第N MOSFET驱动器、第N功率MOSFET构成第N路信号传输通道;N路信号传输通道分别触发N个晶闸管;本发明通过调节(N-1)个集成单稳态触发器的时延,可弥补现有触发方式中多路脉冲变压器的输出一致性难以解决的不足,实现N路晶闸管的精确控制。

    一种驱动多路晶闸管的触发控制器

    公开(公告)号:CN110830019B

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN201911173877.X

    申请日:2019-11-26

    IPC分类号: H03K17/691

    摘要: 本发明公开了一种驱动多路晶闸管的触发控制器,目的是解决现有晶闸管触发方式不能触发多路晶闸管的问题。本发明由光接收模块、N个MOSFET驱动器、N个功率MOSFET、(N‑1)个集成单稳态触发器组成;光接收模块、第一MOSFET驱动器与第一功率MOSFET构成第一路信号传输通道;光接收模块、第一集成单稳态触发器、第二MOSFET驱动器以及第二功率MOSFET构成第二路信号传输通道;……;光接收模块、第(N‑1)集成单稳态触发器、第N MOSFET驱动器、第N功率MOSFET构成第N路信号传输通道;N路信号传输通道分别触发N个晶闸管;本发明通过调节(N‑1)个集成单稳态触发器的时延,可弥补现有触发方式中多路脉冲变压器的输出一致性难以解决的不足,实现N路晶闸管的精确控制。

    一种紧凑型双层次级的Tesla型脉冲变压器

    公开(公告)号:CN113555198B

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202110776001.5

    申请日:2021-07-08

    摘要: 本发明公开了一种紧凑型双层次级的Tesla型脉冲变压器,目的是实现变压器的紧凑化和高升压比,保证可靠性。本发明由外壳、磁芯、初级绕组、次级绕组、绝缘支撑、绝缘介质、绝缘纸组成。外壳由边缘压环、主体外壳、端部盖板组成;磁芯由外磁芯和内磁芯组成;初级绕组由多个外接铜柱、左端初级线圈、中部初级线圈和右端初级线圈组成;次级绕组由外次级线圈、屏蔽环、内次级绕组、输出端子组成;绝缘支撑由绝缘筒、外次级线圈支撑、组合绝缘套筒、内次级线圈支撑、支撑板、支撑杆、绝缘子构成。次级绕组采用双层结构,在同等长度下增加了次级绕组总匝数,实现了高升压比,且使得变压器小型紧凑,保证装置高功率重频运行可靠性,增加整体寿命。

    一种强流高压真空二极管

    公开(公告)号:CN112768328B

    公开(公告)日:2022-05-03

    申请号:CN202110110840.3

    申请日:2021-01-27

    IPC分类号: H01J19/44 H01J19/54 H01J21/04

    摘要: 本发明公开了一种强流高压真空二极管,目的是解决真空二极管绝缘子易产生沿面闪络问题。本发明由绝缘子、阳极、阴极、屏蔽环、法兰、密封圈构成,阴极、屏蔽环、绝缘子、阳极从内到外同轴嵌套,绝缘子外沿通过法兰与密封圈紧压在阳极内壁,屏蔽环拧在阴极的右端;阳极接地,侧面开有气孔,气孔外接真空机组。绝缘子为长锥形中空结构,隔离高功率脉冲驱动源的介质区与阳极筒内的真空区,绝缘子的中空部分插有阴极。屏蔽环为带有圆管的圆盘状金属结构,由圆管、圆盘、圆筒组成,屏蔽环能阻挡一部分沿磁力线回流的电子束,避免电子束轰击绝缘子表面。本发明解决了真空二极管绝缘子易产生沿面闪络,磁场导引下电子束易沿磁力线回流轰击阴极的问题。

    一种全固态百纳秒方波脉冲发生器

    公开(公告)号:CN111313867A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN201911173843.0

    申请日:2019-11-26

    IPC分类号: H03K3/021

    摘要: 本发明公开了一种全固态百纳秒方波脉冲发生器,目的是解决现有全固态脉冲发生器输出脉宽长的问题。本发明由初级储能模块、脉冲升压模块、压缩整形模块、脉冲形成模块以及触发控制器、复位电路组成;触发控制器中有两路信号传输通道,按时延t分别触发初级储能模块的2个晶闸管开关;初级储能模块中的能量补充电容Cf的电容量远大于原边电容C0的电容量;压缩整形模块由主电容C、隔离电感Li以及主开关MS构成;主开关MS为磁开关,在C、脉冲升压模块、复位电路的配合控制下完成非饱和态和饱和态之间的切换以完成对脉冲发生器的输出信号的压缩,使得输出脉宽只有几百纳秒,可以直接作为驱动高功率微波产生器件的高功率脉冲驱动源用在HPM系统。