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公开(公告)号:CN118748140A
公开(公告)日:2024-10-08
申请号:CN202410740619.X
申请日:2024-06-09
申请人: 中国人民解放军国防科技大学
摘要: 本发明涉及高功率微波技术领域的微波源器件,具体涉及一种引入阶梯阴极的永磁封装X波段同轴速调管振荡器,利用扩大阴阳极间距和阶梯阴极抑制电子束侧发射,属于高功率微波技术领域;采用了阶梯阴极抑制侧发射产生的回流电子通过增大阴阳极间距,阶梯阴极的引入使得阴极右端电子束发射区域阴阳极间距变大,从而降低阴极侧面径向电场,并通过高频结构非均匀化,通过改变调制腔在径向上的排布,使之处于不同的半径下,形成径向非均匀化,从而提高功率效率;本发明可以克服永磁封装下电子束侧发射问题,具有低电子束侧发射特性,输出功率效率高,工作稳定等优点。