半导体传感器及沙林气体或者沙林模拟剂气体的定量检测方法

    公开(公告)号:CN108169290B

    公开(公告)日:2020-10-13

    申请号:CN201711105899.3

    申请日:2017-11-10

    IPC分类号: G01N27/12

    摘要: 本发明提供一种半导体传感器,包括敏感材料层,所述敏感材料层包括氧化铟,所述半导体传感器用于定量检测沙林气体或沙林模拟剂气体。本发明还提供一种沙林气体或沙林模拟剂气体的定量检测方法,包括提供所述的任意一种半导体传感器;将所述半导体传感器的敏感材料层暴露在被检测的沙林气体或者沙林模拟剂气体氛围中,加热所述半导体传感器,获取所述半导体传感器在所述被检测的沙林气体或者沙林模拟剂气体氛围中的第一响应值;以及根据获取的所述第一响应值计算所述被检测的沙林气体或者沙林模拟剂气体的浓度。

    气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN107941859A

    公开(公告)日:2018-04-20

    申请号:CN201711107304.8

    申请日:2017-11-10

    IPC分类号: G01N27/12

    CPC分类号: G01N27/12

    摘要: 本发明提供一种气体传感器及其制备方法。所述气体传感器包括基底以及多个气敏元件。所述基底设置有多个间隔设置的镂空部。每个所述气敏元件设置于一个所述镂空部中。多个所述气敏元件与多个所述镂空部一一对应设置,同时切除了所述基底上多余的部分,从而使得所述基底镂空。由于镂空后的所述基底的面积变小,减小了所述气敏元件阵列封装结构的发热面积,进而降低了所述气敏元件阵列封装结构的热功耗。

    半导体传感器及沙林气体或者沙林模拟剂气体的定量检测方法

    公开(公告)号:CN108169290A

    公开(公告)日:2018-06-15

    申请号:CN201711105899.3

    申请日:2017-11-10

    IPC分类号: G01N27/12

    摘要: 本发明提供一种半导体传感器,包括敏感材料层,所述敏感材料层包括氧化铟,所述半导体传感器用于定量检测沙林气体或沙林模拟剂气体。本发明还提供一种沙林气体或沙林模拟剂气体的定量检测方法,包括提供所述的任意一种半导体传感器;将所述半导体传感器的敏感材料层暴露在被检测的沙林气体或者沙林模拟剂气体氛围中,加热所述半导体传感器,获取所述半导体传感器在所述被检测的沙林气体或者沙林模拟剂气体氛围中的第一响应值;以及根据获取的所述第一响应值计算所述被检测的沙林气体或者沙林模拟剂气体的浓度。

    金属氧化物气体传感器
    6.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208109742U

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:CN201721503666.4

    申请日:2017-11-10

    IPC分类号: G01N27/12

    摘要: 本实用新型提供一种金属氧化物气体传感器。所述金属氧化物气体传感器包括基底以及多个气敏元件。所述基底设置有多个间隔设置的镂空部。每个所述气敏元件设置于一个所述镂空部中。多个所述气敏元件与多个所述镂空部一一对应设置,同时切除了所述基底上多余的部分,从而使得所述基底镂空。由于镂空后的所述基底的面积变小,减小了所述气敏元件阵列封装结构的发热面积,进而降低了所述气敏元件阵列封装结构的热功耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利