公开(公告)号：CN107389616A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710428834.6

申请日：2017-06-08

申请人： 中国人民解放军92232部队 ,  北京理工大学

发明人： 张鹏 ,  韩守鹏 ,  韦天新 ,  孟祥尧 ,  吴小兵 ,  张炜 ,  许杰 ,  杨振宇 ,  李卉 ,  王洋

IPC分类号： G01N21/55

摘要： 本发明涉及一种传感器芯片及其制备方法，属于表面等离子体共振传感器芯片设计制备技术领域。所述芯片是由玻璃基片、金属膜、自组装膜以及金属氧化物与聚合物的复合薄膜由下至上依次排列而成的复合结构，采用聚合物包埋的方法将纳米金属氧化物成功的固定在传感器芯片表面，有效的提高了对目标气体的检测范围和灵敏度。本发明所述的方法简单，而且所制备的传感器芯片对二氧化硫具有很好的灵敏度且满足在常温条件下进行检测的要求，在5ppm～40ppm内具有良好的响应信号。

公开(公告)号：CN107389616B

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201710428834.6

申请日：2017-06-08

申请人： 中国人民解放军92232部队 ,  北京理工大学

发明人： 张鹏 ,  韩守鹏 ,  韦天新 ,  孟祥尧 ,  吴小兵 ,  张炜 ,  许杰 ,  杨振宇 ,  李卉 ,  王洋

IPC分类号： G01N21/55

摘要： 本发明涉及一种传感器芯片及其制备方法，属于表面等离子体共振传感器芯片设计制备技术领域。所述芯片是由玻璃基片、金属膜、自组装膜以及金属氧化物与聚合物的复合薄膜由下至上依次排列而成的复合结构，采用聚合物包埋的方法将纳米金属氧化物成功的固定在传感器芯片表面，有效的提高了对目标气体的检测范围和灵敏度。本发明所述的方法简单，而且所制备的传感器芯片对二氧化硫具有很好的灵敏度且满足在常温条件下进行检测的要求，在5ppm～40ppm内具有良好的响应信号。