一种采用低掺杂硅衬底的压电压阻型电场传感器

    公开(公告)号:CN114487546A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210043314.4

    申请日:2022-01-14

    Abstract: 本发明提供一种采用低掺杂硅衬底的压电压阻型电场传感器,包括基底;设置在基底上的低掺杂的硅衬底;设置在硅衬底上的第一氧化硅层;设置在第一氧化硅层上的半导体薄膜;设置在半导体薄膜上的第二氧化硅层;硅衬底中心区域设有一个圆台状的通孔;通孔直径大的一端与基底的上表面耦合;通孔直径小的一端与第一氧化硅层的下表面耦合;基底的上表面的中心区域还设有置于通孔内的压电晶体;压电晶体的第一端粘接在基底的上表面;压电晶体的第二端与第一氧化硅层的下表面耦合;且压电晶体的外壁与通孔的内壁均不接触;半导体薄膜的上表面设有两组离子掺杂区;同时两组离子掺杂区通过设置的四个电极通过金属线路与离子掺杂区连接并组成惠斯通电桥。

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