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公开(公告)号：CN119392029A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411567407.2
申请日：2024-11-05
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种高密度高强度高熵合金及制备方法，本发明采用高密度钨粉与塑性较好的高熵合金按比例混合，通过机械合金化后热等静压的方法制备含钨高熵合金，通过控制钨粉比例显著提高合金密度，经热等静压高温高压作用形成近全致密的高熵合金，从而制备出高密度高强度的高熵合金。
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公开(公告)号：CN116716527A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310696682.3
申请日：2023-06-13
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
IPC: C22C27/04 , C22C1/04 , B22F3/04 , B22F3/15 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B22F1/054 , B22F1/052 , B22F9/04 , G21B1/13
Abstract: 本发明涉及聚变堆中面向等离子体材料技术领域，公开了一种双纳米相掺杂的超细晶钨合金及其制备方法和应用，包括如下原料组分：铬：5.0wt‑10.0wt％，钇：0.5wt‑5.0wt％，钨：余量；其中，基体相粒子为钨，第二相粒子为铬和钇，基体相粒子钨的晶粒尺寸在超细晶范畴，第二相粒子的晶粒尺寸在纳米晶范畴。该双纳米相掺杂的超细晶钨合金采用如下方法制备：(1)原料球磨机械合金化；(2)冷压成型；(3)热等静压烧结。制备出的双纳米相掺杂的超细晶钨合金晶粒尺寸在超细晶范围内且致密度高、热稳定性好，满足核聚变堆中严苛的辐照服役环境；也可用于穿甲弹等武器装备上，提高毁损能力；还能够应用于制备耐高温部件。
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公开(公告)号：CN107697886B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201711103823.7
申请日：2017-11-10
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
IPC: C01B6/04
Abstract: 本发明公开了一种金属氢化物薄片制备方法，目的在于解决轻金属氢化物在大气环境极易与水发生化学反应，常规砂纸打磨方法制备的金属氢化物薄片会在其表面生成水解产物，造成太赫兹特征波失真，并影响相关材料内部缺陷无损检测效果的问题。本发明为了获得准确的金属氢化物内部缺陷无损检测结果，开发了一种用于提取太赫兹特征波的金属氢化物薄片制备方法。该方法首先利用化学气相沉积技术（CVD）在金属氢化物圆片表面形成一层致密的防水高分子膜，然后再将试件置于金相制样机进行处理，最终在薄片新磨制面化学气相沉积防水膜，获得用于提取太赫兹特征波的金属氢化物薄片。经实际测定，本发明能够有效解决前述问题，保证测定结果的准确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN105537329B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510978822.1
申请日：2015-12-24
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种回转曲面薄壁筒形件的制备方法，目的在于解决钛合金薄板筒形件时，机械加工装夹困难，难以保证加工质量，且原料利用率低，加工周期长，成本高，而冷弯曲成型难以满足设计要求，冲压、热胀形加工对设备和工艺要求苛刻，成本较高的问题。本发明提供一种回转曲面薄壁筒形件的简易制备方法，尤其是回转曲面钛合金薄壁筒形件的简易制备方法，其能够满足钛合金薄壁筒形件的制备需求。该方法包括如下步骤制备定形模具、原料裁剪、组装和热处理。本发明操作简单，使用方便，无需使用昂贵的设备，且原料利用率高，周期短，生产成本低，产品精度高，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107697886A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201711103823.7
申请日：2017-11-10
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
IPC: C01B6/04
Abstract: 本发明公开了一种金属氢化物薄片制备方法，目的在于解决轻金属氢化物在大气环境极易与水发生化学反应，常规砂纸打磨方法制备的金属氢化物薄片会在其表面生成水解产物，造成太赫兹特征波失真，并影响相关材料内部缺陷无损检测效果的问题。本发明为了获得准确的金属氢化物内部缺陷无损检测结果，开发了一种用于提取太赫兹特征波的金属氢化物薄片制备方法。该方法首先利用化学气相沉积技术（CVD）在金属氢化物圆片表面形成一层致密的防水高分子膜，然后再将试件置于金相制样机进行处理，最终在薄片新磨制面化学气相沉积防水膜，获得用于提取太赫兹特征波的金属氢化物薄片。经实际测定，本发明能够有效解决前述问题，保证测定结果的准确性和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104694774B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510120211.3
申请日：2015-03-19
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种高致密度细晶钛合金的热等静压制备方法，目的在于解决目前采用传统粉末冶金法所制备的钛合金存在致密度较低，显微组织较为粗大的问题。该方法包括制备钛合金混合粉末、冷等静压成型、致密体烧结、热等静压致密化、脱模等步骤。本发明制备钛合金的致密度可达到100%，且具有晶粒尺寸细小、力学性能优异、比强度高的特点，能够满足航空、航天领域对高致密度、高性能钛合金的需求。本发明设计合理，能够有效解决前述问题，对于钛合金的制备具有重要意义。
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公开(公告)号：CN107215879A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710423117.4
申请日：2017-06-07
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
CPC classification number: C01B35/04 , C01P2002/72 , C01P2004/60 , C08K3/38 , G21F1/103
Abstract: 本发明公开了一种中子和γ射线综合屏蔽填料及其制备方法，属于屏蔽材料领域，目的在于解决现有的中子和γ射线综合屏蔽材料，无法从根本上解决屏蔽组元间的密度差异问题，影响材料综合屏蔽性能的提高，尤其是材料的γ射线屏蔽性能较差的问题。该填料由W和B组成，W和B的原子计量比为2︰1，其物相组成为W2B。本发明提供一种新的制备方法，通过对反应条件的控制，使得所制备屏蔽填料的密度均一性好，能够显著提升屏蔽填料的屏蔽性能，具有重要的进步意义。
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公开(公告)号：CN104694774A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510120211.3
申请日：2015-03-19
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种高致密度细晶钛合金的热等静压制备方法，目的在于解决目前采用传统粉末冶金法所制备的钛合金存在致密度较低，显微组织较为粗大的问题。该方法包括制备钛合金混合粉末、冷等静压成型、致密体烧结、热等静压致密化、脱模等步骤。本发明制备钛合金的致密度可达到100%，且具有晶粒尺寸细小、力学性能优异、比强度高的特点，能够满足航空、航天领域对高致密度、高性能钛合金的需求。本发明设计合理，能够有效解决前述问题，对于钛合金的制备具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104308161A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410547374.5
申请日：2014-10-16
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种低成本的碳化硼/铝复合板材制备方法，目的在于简化B4C/Al中子吸收板材的制备工艺，降低成本。其包括如下步骤：混合料制备、粉坯成型、轧制。相对于常规B4C/Al复合材料制备技术，本发明无需采用长时间烧结，将压坯在真空加热除气后直接热轧，通过热轧工艺的控制，使压坯形成致密胚体，获得复合材料板材。本发明在保证板材质量的前提下，能有效缩短工艺流程，降低生产成本及能源消耗，具有生产周期短、能源消耗低的优点。同时，本发明所制备的复合板材质量高，杂质含量低、B4C分布均匀性好，强度和韧性匹配优异，能够满足中子屏蔽领域的需要，适用于作为反应堆乏燃料水池和运输容器中的中子吸收材料，用以控制乏燃料储存环境的临界安全。
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公开(公告)号：CN104308161B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410547374.5
申请日：2014-10-16
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种碳化硼/铝复合板材制备方法，目的在于简化B4C/Al中子吸收板材的制备工艺，降低成本。其包括如下步骤：混合料制备、粉坯成型、轧制。相对于常规B4C/Al复合材料制备技术，本发明无需采用长时间烧结，将压坯在真空加热除气后直接热轧，通过热轧工艺的控制，使压坯形成致密胚体，获得复合材料板材。本发明在保证板材质量的前提下，能有效缩短工艺流程，降低生产成本及能源消耗，具有生产周期短、能源消耗低的优点。同时，本发明所制备的复合板材质量高，杂质含量低、B4C分布均匀性好，强度和韧性匹配优异，能够满足中子屏蔽领域的需要，适用于作为反应堆乏燃料水池和运输容器中的中子吸收材料，用以控制乏燃料储存环境的临界安全。
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