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公开(公告)号：CN119392029A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411567407.2
申请日：2024-11-05
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种高密度高强度高熵合金及制备方法，本发明采用高密度钨粉与塑性较好的高熵合金按比例混合，通过机械合金化后热等静压的方法制备含钨高熵合金，通过控制钨粉比例显著提高合金密度，经热等静压高温高压作用形成近全致密的高熵合金，从而制备出高密度高强度的高熵合金。
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公开(公告)号：CN109396631B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201811350980.2
申请日：2018-11-14
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种钨/过渡层/不锈钢的热等静压扩散连接方法，解决了现有技术中用于面对聚变堆第一壁等离子体偏滤器模块的钨与钢连接件易于在界面形成较大的热应力和微观缺陷的问题。本发明的一种钨/过渡层/不锈钢的热等静压扩散连接方法，以纯钨、过渡层、不锈钢为原料，先经包套处理后，再经热等静压处理、去应力退火、去包套，即可获得热等静压扩散连接件。本发明操作简单，能实现无缺陷的冶金结合，接头性能优异、稳定。
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公开(公告)号：CN107215879A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710423117.4
申请日：2017-06-07
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
CPC classification number: C01B35/04 , C01P2002/72 , C01P2004/60 , C08K3/38 , G21F1/103
Abstract: 本发明公开了一种中子和γ射线综合屏蔽填料及其制备方法，属于屏蔽材料领域，目的在于解决现有的中子和γ射线综合屏蔽材料，无法从根本上解决屏蔽组元间的密度差异问题，影响材料综合屏蔽性能的提高，尤其是材料的γ射线屏蔽性能较差的问题。该填料由W和B组成，W和B的原子计量比为2︰1，其物相组成为W2B。本发明提供一种新的制备方法，通过对反应条件的控制，使得所制备屏蔽填料的密度均一性好，能够显著提升屏蔽填料的屏蔽性能，具有重要的进步意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113458394B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110552495.9
申请日：2021-05-20
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种均质高B4C含量的B4C/Al复合材料及制备方法，属于粉末冶金和材料技术领域，解决现有技术中高B4C含量的B4C/Al复合材料难以烧结致密化的问题。本发明的制备方法包括按设计要求体积比将粉末态的B4C原材料和铸锭态的Al原材料依次装入包套中进行除气‑封装处理后，在外加力场辅助作用下进行两步法烧结，其中第一步烧结温度TI低于Al原材料的熔点；第二步烧结温度TII高于Al原材料的熔点；第一步烧结时施加的力场FI大于第二步烧结施加的力场FII。本发明的方法一次致密化即可实现快速制备高B4C含量的B4C/Al三维网状结构复合材料；无需混料工序，无需压制成型工序，过程可控。
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公开(公告)号：CN113458394A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110552495.9
申请日：2021-05-20
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种均质高B4C含量的B4C/Al复合材料及制备方法，属于粉末冶金和材料技术领域，解决现有技术中高B4C含量的B4C/Al复合材料难以烧结致密化的问题。本发明的制备方法包括按设计要求体积比将粉末态的B4C原材料和铸锭态的Al原材料依次装入包套中进行除气‑封装处理后，在外加力场辅助作用下进行两步法烧结，其中第一步烧结温度TI低于Al原材料的熔点；第二步烧结温度TII高于Al原材料的熔点；第一步烧结时施加的力场FI大于第二步烧结施加的力场FII。本发明的方法一次致密化即可实现快速制备高B4C含量的B4C/Al三维网状结构复合材料；无需混料工序，无需压制成型工序，过程可控。
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公开(公告)号：CN105537329A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510978822.1
申请日：2015-12-24
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种回转曲面薄壁筒形件的制备方法，目的在于解决钛合金薄板筒形件时，机械加工装夹困难，难以保证加工质量，且原料利用率低，加工周期长，成本高，而冷弯曲成型难以满足设计要求，冲压、热胀形加工对设备和工艺要求苛刻，成本较高的问题。本发明提供一种回转曲面薄壁筒形件的简易制备方法，尤其是回转曲面钛合金薄壁筒形件的简易制备方法，其能够满足钛合金薄壁筒形件的制备需求。该方法包括如下步骤制备定形模具、原料裁剪、组装和热处理。本发明操作简单，使用方便，无需使用昂贵的设备，且原料利用率高，周期短，生产成本低，产品精度高，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109396631A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811350980.2
申请日：2018-11-14
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
CPC classification number: B23K20/001 , B23K20/021 , B23K20/026 , B23K20/22
Abstract: 本发明公开了一种钨/过渡层/不锈钢的热等静压扩散连接方法，解决了现有技术中用于面对聚变堆第一壁等离子体偏滤器模块的钨与钢连接件易于在界面形成较大的热应力和微观缺陷的问题。本发明的一种钨/过渡层/不锈钢的热等静压扩散连接方法，以纯钨、过渡层、不锈钢为原料，先经包套处理后，再经热等静压处理、去应力退火、去包套，即可获得热等静压扩散连接件。本发明操作简单，能实现无缺陷的冶金结合，接头性能优异、稳定。
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公开(公告)号：CN105537329B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510978822.1
申请日：2015-12-24
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种回转曲面薄壁筒形件的制备方法，目的在于解决钛合金薄板筒形件时，机械加工装夹困难，难以保证加工质量，且原料利用率低，加工周期长，成本高，而冷弯曲成型难以满足设计要求，冲压、热胀形加工对设备和工艺要求苛刻，成本较高的问题。本发明提供一种回转曲面薄壁筒形件的简易制备方法，尤其是回转曲面钛合金薄壁筒形件的简易制备方法，其能够满足钛合金薄壁筒形件的制备需求。该方法包括如下步骤制备定形模具、原料裁剪、组装和热处理。本发明操作简单，使用方便，无需使用昂贵的设备，且原料利用率高，周期短，生产成本低，产品精度高，具有较好的应用前景。
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