一种非线性光导开关测试装置及方法

    公开(公告)号:CN104166091B

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201410430777.1

    申请日:2014-08-28

    IPC分类号: G01R31/327 G01R31/12

    摘要: 本发明涉及非线性光导开关参数测试领域,尤其是涉及一种非线性光导开关测试装置及方法。本发明针对现有技术存在的问题,提供一种非线性光导开关测试装置及方法。通过延时同步机、激光器、光纤、光电探头、第一高压探头等配合克服在高压、大电流、超快脉冲的条件下对非线性光导开关进行准确测试的困难,实现非线性光导开关导通延迟时间、抖动、导通电阻、耐压和寿命等参数。本装置包括延时同步机、激光器、光纤、光电探头、高压探头、示波器、高压脉冲电源、Blumlein传输线、匹配负载、有机玻璃盒、变压器绝缘油、限位夹具。待测非线性光导开关、Blumlein传输线、匹配负载置于有机玻璃盒内,并且浸没于变压器绝缘油中。

    一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管

    公开(公告)号:CN104485576A

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201410761110.X

    申请日:2014-12-12

    IPC分类号: H01S5/02 H01S5/40 H01S5/06

    摘要: 本发明涉及高功率脉冲半导体激光二极管领域,尤其是涉及一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管。本发明针对现有技术存在的问题,提供一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管,通过调节半导体激光二极管芯组的数量M、芯组的间距D、每个半导体激光二极管芯组中半导体激光二极管芯片的数量N、芯片的间距H来调节半导体激光二极管输出的激光脉冲的激光能量、激光功率、光斑的面积和分布,以适应不同尺寸、不同结构的光导开关对激光脉冲参数的不同要求,显著提高在高功率半导体激光二极管驱动下的光导开关的导通性能和使用寿命,同时可降低光导开关的使用成本,减小光导开关触发系统的体积和重量,推动光导开关技术的进一步发展。

    一种布鲁莱恩脉冲形成线倍压器

    公开(公告)号:CN103414369A

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:CN201310364559.8

    申请日:2013-08-21

    IPC分类号: H02M9/00

    摘要: 本发明提供了一种布鲁莱恩脉冲形成线倍压器。所述的倍压器由多个单级平板布鲁莱恩脉冲形成线交叉层叠构成,每个单级平板布鲁莱恩脉冲形成线包括陶瓷固态平板传输线、GaAs光导开关、激光二极管触发系统以及无感电阻负载。所述的数个单级平板布鲁莱恩脉冲形成线紧凑地布局在平台上,构成多级层叠平板布鲁莱恩脉冲形成线倍压器。本发明能够获得多倍于单级平板布鲁莱恩脉冲形成线输出电压幅值的脉宽为纳秒量级的短脉冲高压输出,也可以通过多组多级平板布鲁莱恩脉冲形成线倍压器层叠构成多组多级平板布鲁莱恩脉冲形成线倍压器,或者设计级数更多的多级层叠平板布鲁莱恩脉冲形成线可以获得电压幅值更大、峰值功率更高的短脉冲高压。

    一种基于玻纤板的单级和多级脉冲形成线及其感应叠加器

    公开(公告)号:CN110190834B

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN201910501567.X

    申请日:2019-06-11

    IPC分类号: H03K3/57

    摘要: 本发明公开了一种基于玻纤板的单级和多级脉冲形成线及其感应叠加器,包括:MOSFET驱动电路、MOSFET开关、玻纤板基材、若干层覆铜电极;MOSFET驱动电路和MOSFET开关均焊接在玻纤板基材上表面;MOSFET驱动电路与MOSFET开关连接,用于驱动MOSFET开关;MOSFET开关与Blumlein脉冲形成线产生MHz重复频率、ns级脉宽的幅值数百伏的脉冲电压;利用层叠Blumlein脉冲电压叠加技术和感应电压叠加技术手段,实现叠加器MHz重复频率、ns级脉宽、数十kV幅值的脉冲电压输出;本发明中的感应电压叠加器可以产生MHz重复频率、ns级脉宽的高幅值的叠加电压输出,用于驱动电阻负载,也可以在二极管区产生高梯度电场,用于高能加速器电子束的引出。

    一种同轴高压脉冲形成线柔性电缆

    公开(公告)号:CN114373570B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202210073684.2

    申请日:2022-01-21

    IPC分类号: H01B7/02 H01B7/17

    摘要: 为解决传统的柔性同轴电缆卷绕使用时由于脉冲形成过程中两根同轴电缆之间发生电磁耦合效应导致输出的波形发生畸变或衰减的技术问题,本发明实施例提供一种同轴高压脉冲形成线柔性电缆,包括:内导体层;内绝缘层,套设于内导体层外;中导体层,套设于内绝缘层外;中绝缘层,套设于中导体层外;外导体层,套设于中绝缘层外;以及外绝缘层,套设于外导体层外;其中,内导体层的外径d1、中导体层的内径d2、中导体层的外径d3、外导体层的内径d4,满足:d4/d3=d2/d1。本发明实施例实现了在脉冲形成过程中即使卷绕使用,其输出波形也不会发生畸变。

    一种基于玻纤板的单级和多级脉冲形成线及其感应叠加器

    公开(公告)号:CN110190834A

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201910501567.X

    申请日:2019-06-11

    IPC分类号: H03K3/57

    摘要: 本发明公开了一种基于玻纤板的单级和多级脉冲形成线及其感应叠加器,包括:MOSFET驱动电路、MOSFET开关、玻纤板基材、若干层覆铜电极;MOSFET驱动电路和MOSFET开关均焊接在玻纤板基材上表面;MOSFET驱动电路与MOSFET开关连接,用于驱动MOSFET开关;MOSFET开关与Blumlein脉冲形成线产生MHz重复频率、ns级脉宽的幅值数百伏的脉冲电压;利用层叠Blumlein脉冲电压叠加技术和感应电压叠加技术手段,实现叠加器MHz重复频率、ns级脉宽、数十kV幅值的脉冲电压输出;本发明中的感应电压叠加器可以产生MHz重复频率、ns级脉宽的高幅值的叠加电压输出,用于驱动电阻负载,也可以在二极管区产生高梯度电场,用于高能加速器电子束的引出。

    一种300kV纳秒脉冲发生器
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104065296A

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:CN201410329680.1

    申请日:2014-07-11

    IPC分类号: H02M9/00

    CPC分类号: Y02B70/1483

    摘要: 本发明提供了一种300kV纳秒脉冲发生器。所述的300kV纳秒脉冲发生器由十六个单级平板Blumlein脉冲形成线交叉层叠构成,每个单级平板Blumlein脉冲形成线包括陶瓷固态平板传输线、GaAs光导开关、激光二极管触发系统、高压二极管以及无感陶瓷电阻负载。所述的十六个单级平板Blumlein脉冲形成线紧凑地布局在平台上,构成300kV纳秒脉冲发生器。本发明能够获得十六倍于单级平板Blumlein脉冲形成线输出电压幅值的脉宽为纳秒量级的短脉冲高压输出。实现削弱单级Blumlein脉冲形成线间的电路耦合和电磁耦合。

    一种低能重离子加速器及加速方法

    公开(公告)号:CN113099601B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202110355910.1

    申请日:2021-04-01

    IPC分类号: H05H7/18 H05H7/22 H05H7/02

    摘要: 本发明公开了一种低能重离子加速器及加速方法,涉及离子加速器领域,该加速器包括带有时序控制功能的脉冲功率源以及多个连续设置的加速单元,加速单元具有加速腔,所有加速腔相互连通并形成离子的加速传输通道;该加速方法将脉冲功率源按照一定时序控制对所有加速单元逐级加载电压,并在对应加速单元的加速腔内形成电场,以使刚好运动至该形成电场的加速腔内的离子得到加速。本发明提供的加速器及加速方法对待加速离子种类的兼容性高,可以通过控制输出高压脉冲的时序实现任意离子束的加速,使离子束始终处于加速相位;并且可根据实际应用需要,通过控制加速电压幅值或控制加载功率的数目,实现束流能量的调节。