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公开(公告)号：CN104202897B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410442285.4
申请日：2014-09-02
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及材料表面处理技术领域，具体公开了一种DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法，装置包括功率源和DBD等离子体反应器，DBD等离子体反应器的反应室内设置有至少3层介质板，相邻介质板之间具有间隙；方法是采用前述DBD低温等离子体产生装置进行处理。本发明的每两层介质板之间都能够放电形成均匀良好的低温等离子体，处于中间位置的每一层介质板两侧均可处理聚合物薄膜，覆盖在两个电极上的介质板能够处理一层聚合物薄膜，能够提高单次处理的聚合物薄膜的数量和面积；应用该方法处理聚合物薄膜的单次处理量增加、处理效率高。
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公开(公告)号：CN104065296A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410329680.1
申请日：2014-07-11
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H02M9/00
CPC classification number: Y02B70/1483
Abstract: 本发明提供了一种300kV纳秒脉冲发生器。所述的300kV纳秒脉冲发生器由十六个单级平板Blumlein脉冲形成线交叉层叠构成，每个单级平板Blumlein脉冲形成线包括陶瓷固态平板传输线、GaAs光导开关、激光二极管触发系统、高压二极管以及无感陶瓷电阻负载。所述的十六个单级平板Blumlein脉冲形成线紧凑地布局在平台上，构成300kV纳秒脉冲发生器。本发明能够获得十六倍于单级平板Blumlein脉冲形成线输出电压幅值的脉宽为纳秒量级的短脉冲高压输出。实现削弱单级Blumlein脉冲形成线间的电路耦合和电磁耦合。
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公开(公告)号：CN105848403B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610416387.8
申请日：2016-06-15
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Inventor： 何小中 , 赵良超 , 庞健 , 马超凡 , 张开志 , 邓建军 , 石金水 , 刘本玉 , 章林文 , 李雷 , 李劲 , 杨国君 , 杨兴林 , 杨振 , 荆晓兵 , 董攀 , 杨安民 , 江孝国 , 唐蜜 , 龙全红
Abstract: 本发明公开了一种内离子源回旋加速器，包括：相对于一平面上下对称设置的上磁极和下磁极；分别围绕上磁极和下磁极外周面的上线圈和下线圈；多个围绕上线圈布置的上磁轭，多个围绕下线圈布置的下磁轭；位于上磁极和下磁极之间，并与上磁极和下磁极连接的真空盒；上磁极开设有从上至下贯穿上磁极，且与真空盒连通的上通道；贯穿真空盒的壁，且出射端位于真空盒内的离子源；位于上磁极上方的分子泵，分子泵的输入端朝下设置，分子泵的输入端与上通道连通。分子泵的安装方向便于调整，从而能够将分子泵的输入端朝下设置，将分子泵的输入端从上方与上磁极的上通道连通，从而避免了分子泵在运行或维护过程中容易引入杂质的问题。
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公开(公告)号：CN106211727A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610521964.X
申请日：2016-07-01
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Inventor： 何小中 , 赵良超 , 庞健 , 马超凡 , 章林文 , 李雷 , 邓建军 , 石金水 , 刘本玉 , 张开志 , 李劲 , 李晓强 , 龙继东 , 魏涛 , 李洪 , 李成刚 , 陈宇航 , 李勤 , 王韬 , 王敏鸿
IPC: H05K9/00
CPC classification number: H05K9/0003
Abstract: 本发明公开了一种屏蔽体，包括多个间隔设置的固体屏蔽层，相邻的固体屏蔽层之间设置有液体屏蔽层。屏蔽体由固体屏蔽层和液体屏蔽层组成，则可以预先制造固体屏蔽层，固体屏蔽层体积重量小，便于运输和安装，在将固体屏蔽层运输和安装到位后，即可在相邻的固体屏蔽层之间充入屏蔽液构成液体屏蔽层，如此降低屏蔽体的运输和安装难度。另外，液体屏蔽层能够填充固体屏蔽层之间的间隙，从而能够保障辐射屏蔽性能。本发明还公开了一种包含该屏蔽体的屏蔽装置。
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公开(公告)号：CN105957903A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610412978.8
申请日：2016-06-14
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01L31/02
CPC classification number: H01L31/02005
Abstract: 本发明公开了砷化镓光导开关的引线连接结构以及引线焊接工艺，解决了现有砷化镓光导开关在引线连接过程中出现尖端焊点、电极与引线的接触电阻较大的问题。本发明包括具有开关电极（2）的砷化镓光导开关本体（4），以及连接在开关电极（2）上的引线（5），其特征在于，所述引线（5）通过热风熔化焊锡膏（6）焊接在开关电极（2）上。本发明具有提高砷化镓光导开关的成品率，降低制作成本，减小电极与引线的接触电阻，使电极与引线连接牢固，不出现尖端焊点等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105848403A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610416387.8
申请日：2016-06-15
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Inventor： 何小中 , 赵良超 , 庞健 , 马超凡 , 张开志 , 邓建军 , 石金水 , 刘本玉 , 章林文 , 李雷 , 李劲 , 杨国君 , 杨兴林 , 杨振 , 荆晓兵 , 董攀 , 杨安民 , 江孝国 , 唐蜜 , 龙全红
CPC classification number: H05H13/00 , A61B6/037 , H05H7/00 , H05H2277/113
Abstract: 本发明公开了一种内离子源回旋加速器，包括：相对于一平面上下对称设置的上磁极和下磁极；分别围绕上磁极和下磁极外周面的上线圈和下线圈；多个围绕上线圈布置的上磁轭，多个围绕下线圈布置的下磁轭；位于上磁极和下磁极之间，并与上磁极和下磁极连接的真空盒；上磁极开设有从上至下贯穿上磁极，且与真空盒连通的上通道；贯穿真空盒的壁，且出射端位于真空盒内的离子源；位于上磁极上方的分子泵，分子泵的输入端朝下设置，分子泵的输入端与上通道连通。分子泵的安装方向便于调整，从而能够将分子泵的输入端朝下设置，将分子泵的输入端从上方与上磁极的上通道连通，从而避免了分子泵在运行或维护过程中容易引入杂质的问题。
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公开(公告)号：CN103414369B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310364559.8
申请日：2013-08-21
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H02M9/00
Abstract: 本发明提供了一种布鲁莱恩脉冲形成线倍压器。所述的倍压器由多个单级平板布鲁莱恩脉冲形成线交叉层叠构成，每个单级平板布鲁莱恩脉冲形成线包括陶瓷固态平板传输线、GaAs光导开关、激光二极管触发系统以及无感电阻负载。所述的数个单级平板布鲁莱恩脉冲形成线紧凑地布局在平台上，构成多级层叠平板布鲁莱恩脉冲形成线倍压器。本发明能够获得多倍于单级平板布鲁莱恩脉冲形成线输出电压幅值的脉宽为纳秒量级的短脉冲高压输出，也可以通过多组多级平板布鲁莱恩脉冲形成线倍压器层叠构成多组多级平板布鲁莱恩脉冲形成线倍压器，或者设计级数更多的多级层叠平板布鲁莱恩脉冲形成线可以获得电压幅值更大、峰值功率更高的短脉冲高压。
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公开(公告)号：CN101604118B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910159404.4
申请日：2009-07-01
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 一种将高能X射线图像转换为可见光图像的装置，涉及高能物理技术。本发明由多根并行的LYSO晶柱构成阵列，入射面平行于出射面，二者与晶柱的轴向垂直。本发明的有益效果是，可以将不可见的高能X射线转换为可见光以方便测试，实现亚毫米的空间分辨能力及几十纳秒的时间分辨能力。
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公开(公告)号：CN111289545A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010191200.5
申请日：2020-03-18
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01N23/046 , G01N23/041
Abstract: 本发明公开了一种基于相衬成像的高能X射线CT装置及成像方法，所述高能X射线CT装置包括高能X射线源、样品台和成像装置；高能X射线源为高能X射线准点光源，为样品的照射光源，定向发射并辐照、透射样品；样品台用于放置样品，高能X射线源透过样品后，透射的X射线以波动方式传输并在样品后方的像平面处相干叠加而形成含相位与振幅信息的光子强度信息；成像装置设置在样品后方的像平面处，光子强度信息，并将光子强度信息转化成图像信号。本发明解决了现有基于高能X射线吸收衬度CT技术导致获取的CT图像质量不够理想，空间分辨率较差，尤其是获取的产品内部微小间隙的图像分辨率很低，微小间隙可见不可测，且难以辨别微缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN104538479A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510000901.5
申请日：2015-01-05
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供了多通道砷化镓光电导开关。所述的光电导开关中的绝缘基座上设置有平行排列的N个长条形的砷化镓，砷化镓与绝缘基座固定连接，相邻的砷化镓之间的间距相等，并在绝缘基座上构成通道，砷化镓的两端齐平，绝缘介质设置在通道中。在砷化镓两端设置合金电极，砷化镓同一端的合金电极相互连接。本发明在合适的偏置电场和红外激光触发下，N个砷化镓中将产生M个导电通道（1
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