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公开(公告)号：CN104202897B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410442285.4
申请日：2014-09-02
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及材料表面处理技术领域，具体公开了一种DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法，装置包括功率源和DBD等离子体反应器，DBD等离子体反应器的反应室内设置有至少3层介质板，相邻介质板之间具有间隙；方法是采用前述DBD低温等离子体产生装置进行处理。本发明的每两层介质板之间都能够放电形成均匀良好的低温等离子体，处于中间位置的每一层介质板两侧均可处理聚合物薄膜，覆盖在两个电极上的介质板能够处理一层聚合物薄膜，能够提高单次处理的聚合物薄膜的数量和面积；应用该方法处理聚合物薄膜的单次处理量增加、处理效率高。
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公开(公告)号：CN105203975A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510673085.4
申请日：2015-10-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明公开了一种脉冲双线磁轴测量方法，包括两根信号测试线，一根为本底线、一根为信号线，信号线穿过螺线管线圈，本底线设置在螺线管外，本底线与信号线平行设置；本底线与信号线的一端上同步施加脉冲电流，通过线圈后测得信号值，用在信号线上测得的信号值减去在本底线上测得的信号值，得到实际需求的信号值。本发明与现有的单线测量方法相比提出是为了解决环境本底波动对测量引入的误差，即引入本底测量线来实时测量环境本底，测量时，线圈励磁，总信号线上信号减去本底线上信号即可得到磁轴偏差产生的信号；使用双线后，即使环境磁场有波动，测量过程也不受影响，而且测量受气流、地面震动等因素的影响大大减弱。
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公开(公告)号：CN105472859A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201610068608.7
申请日：2016-02-01
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H7/22
CPC classification number: H05H7/22
Abstract: 本发明公开了一种用于阻挡回流金属颗粒的旋转快门装置，包括一个高速电机，所述的高速电机带动两个同轴设置且转动方向相反的旋片，在每个旋片上均设置有一个束流通过孔。本发明通过一个高速电机作为动力元件，来带动两个旋向相反的旋片同轴转动，在每个旋片上设置一个束流通过孔，将该旋片放置在加速器束流传输管道中，调整其转速，使得当电子脉冲持续期间，两个旋向相反的旋片上的束流通过孔重合，此时的电子束恰好通过完全重叠的孔，在脉冲的间歇期，两个旋向相反的旋片上的束流通过孔处于不同位置，将运动回来的回流金属颗粒挡住，就可以将回流金属颗粒进行阻挡，避免其作用在加速腔内部，造成对加速腔的损坏。
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公开(公告)号：CN116085478A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310082655.7
申请日：2023-01-17
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: F16K1/20 , H05H9/00 , G05B19/04 , F16K31/122 , F16K37/00
Abstract: 本发明公开了一种应用于直线感应加速器的快速关闭系统和方法，本发明属于强流直线感应加速器技术领域，本发明通过在加速器下游的束流输运与聚焦系统的漂移管道内设置安装一个快速关闭阀门组件，利用外加脉冲触发信号远程加载控制系统，并由控制系统发出指令控制快速关闭阀门组件的关闭动作，从而实现电子束通过快速关闭阀门组件后，快速关闭阀门组件即开启关闭动作，在回流颗粒运动到达快速关闭阀门组件位置前就完成阀门组件的完全闭合，从而可以阻挡逆向运动回来的回流金属颗粒，避免其沉积或碰撞在加速组元内部而造成对加速器性能的破坏与影响。
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公开(公告)号：CN105472859B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610068608.7
申请日：2016-02-01
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H7/22
Abstract: 本发明公开了一种用于阻挡回流金属颗粒的旋转快门装置，包括一个高速电机，所述的高速电机带动两个同轴设置且转动方向相反的旋片，在每个旋片上均设置有一个束流通过孔。本发明通过一个高速电机作为动力元件，来带动两个旋向相反的旋片同轴转动，在每个旋片上设置一个束流通过孔，将该旋片放置在加速器束流传输管道中，调整其转速，使得当电子脉冲持续期间，两个旋向相反的旋片上的束流通过孔重合，此时的电子束恰好通过完全重叠的孔，在脉冲的间歇期，两个旋向相反的旋片上的束流通过孔处于不同位置，将运动回来的回流金属颗粒挡住，就可以将回流金属颗粒进行阻挡，避免其作用在加速腔内部，造成对加速腔的损坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104202897A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410442285.4
申请日：2014-09-02
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及材料表面处理技术领域，具体公开了一种DBD低温等离子体产生装置及聚合物薄膜表面处理方法，装置包括功率源和DBD等离子体反应器，DBD等离子体反应器的反应室内设置有至少3层介质板，相邻介质板之间具有间隙；方法是采用前述DBD低温等离子体产生装置进行处理。本发明的每两层介质板之间都能够放电形成均匀良好的低温等离子体，处于中间位置的每一层介质板两侧均可处理聚合物薄膜，覆盖在两个电极上的介质板能够处理一层聚合物薄膜，能够提高单次处理的聚合物薄膜的数量和面积；应用该方法处理聚合物薄膜的单次处理量增加、处理效率高。
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公开(公告)号：CN105203975B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510673085.4
申请日：2015-10-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明公开了一种脉冲双线磁轴测量方法，包括两根信号测试线，一根为本底线、一根为信号线，信号线穿过螺线管线圈，本底线设置在螺线管外，本底线与信号线平行设置；本底线与信号线的一端上同步施加脉冲电流，通过线圈后测得信号值，用在信号线上测得的信号值减去在本底线上测得的信号值，得到实际需求的信号值。本发明与现有的单线测量方法相比提出是为了解决环境本底波动对测量引入的误差，即引入本底测量线来实时测量环境本底，测量时，线圈励磁，总信号线上信号减去本底线上信号即可得到磁轴偏差产生的信号；使用双线后，即使环境磁场有波动，测量过程也不受影响，而且测量受气流、地面震动等因素的影响大大减弱。
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公开(公告)号：CN205067710U
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201520805764.8
申请日：2015-10-13
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01R33/12
Abstract: 本实用新型公开了一种脉冲双线磁轴测量装置，包括两根信号测试线，一根为本底线、一根为信号线，信号线穿过螺线管线圈，本底线设置在螺线管外，本底线与信号线平行设置；本底线与信号线的一端上同步施加脉冲电流，通过线圈后测得信号值，用在信号线上测得的信号值减去在本底线上测得的信号值，得到实际需求的信号值。本实用新型与现有的单线测量方法相比提出是为了解决环境本底波动对测量引入的误差，即引入本底测量线来实时测量环境本底，测量时，线圈励磁，总信号线上信号减去本底线上信号即可得到磁轴偏差产生的信号；使用双线后，即使环境磁场有波动，测量过程也不受影响，而且测量受气流、地面震动等因素的影响大大减弱。
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公开(公告)号：CN205336644U
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201620098829.4
申请日：2016-02-01
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H7/22
Abstract: 本实用新型公开了一种用于阻挡回流金属颗粒的旋转快门装置，包括一个高速电机，所述的高速电机带动两个同轴设置且转动方向相反的旋片，在每个旋片上均设置有一个束流通过孔。本实用新型通过一个高速电机作为动力原件，来带动两个旋向相反的旋片同轴转动，在每个旋片上设置一个束流通过孔，将该旋片放置在加速器束流传输管道中，调整其转速，使得当电子脉冲持续期间，两个旋向相反的旋片上的束流通过孔重合，此时的电子束恰好通过完全重叠的孔，在脉冲的间歇期，两个旋向相反的旋片上的束流通过孔处于不同位置，将运动回来的回流金属颗粒挡住，就可以将回流金属颗粒进行阻挡，避免其作用在加速腔内部，造成对加速腔的损坏。
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公开(公告)号：CN204014246U
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201420501783.7
申请日：2014-09-02
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H1/52
Abstract: 本实用新型涉及材料表面处理技术领域，具体公开了一种多层介质阻挡放电低温等离子体产生装置，包括功率源和DBD等离子体反应器，DBD等离子体反应器的反应室内设置有2个金属电极，其中一个金属电极连接功率源的高压输出端，另一个金属电极接地，2个金属电极相对的两个端面相互平行，两个金属电极之间设置有至少3层介质板，相邻介质板之间具有间隙。本实用新型的每两层介质板之间都能够放电形成均匀良好的低温等离子体，处于中间位置的每一层介质板两侧均可处理薄膜材料，覆盖在两个电极上的介质板能够处理一层薄膜，能够提高单次处理的薄膜的数量和面积；处理效率高。
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