公开(公告)号：CN107065175A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710354563.4

申请日：2017-05-19

申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

发明人： 杨科 ,  严鸿维 ,  晏良宏 ,  刘太祥 ,  李合阳 ,  陈静 ,  王韬 ,  李好 ,  吕海兵 ,  袁晓东

IPC分类号： G02B27/00

CPC分类号： G02B27/0006

摘要： 本发明公开了一种去除熔石英光学元件上二氧化硅增透化学薄膜的方法，包括：将带有二氧化硅增透化学薄膜的熔石英光学元件放入装有碱性清洗剂溶液的超声波槽体中进行超声处理，将超声处理后的熔石英光学元件用高纯水进行喷淋；将喷淋后的熔石英光学元件放入高纯水的超声波槽体中，进行超声处理；将熔石英光学元件放入高纯水的槽体中，慢速提拉，除去光学元件表面多余的水。该方法利用超声清洗去除二氧化硅化学薄膜的光学元件，实现了二氧化硅化学薄膜有效完全地去除，光学元件性能和镀膜前的光学元件基本一样，使光学元件能再利用、再循环。该方法具有高效、不伤害光学元件、操作简单、经济等优点。

公开(公告)号：CN107117828A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710354590.1

申请日：2017-05-19

申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

发明人： 晏良宏 ,  吕海兵 ,  严鸿维 ,  刘太祥 ,  杨科 ,  李好 ,  王韬 ,  李合阳 ,  袁晓东

IPC分类号： C03C17/30 ,  G02B1/111

摘要： 本发明公开了一种折射率渐变宽带增透膜的制备方法，包括：按重量份，取正硅酸乙酯，水，浓盐酸，乙醇，聚乙二醇混合，以200rpm的速度搅拌3小时；密封在常温常压下静止7天，得到溶胶；将熔石英光学元件垂直放在提拉镀膜机上，缓慢将元件浸入溶胶中，静止3～8分钟后，以200～500mm/min的速度提拉镀膜，形成的膜层在空气中干燥5～15分钟；将干燥的膜层浸入50～70℃的水中，浸泡20～60分钟，取出后烘干，得到折射率渐变宽带增透膜。本发明制备的增透光学薄膜透过带宽，透过率高，具有折射率渐变特点；本发明制备方法简单，处理过程快速、工艺简单、易于操作，十分容易实现在工业上大规模应用，制备的增透光学薄膜的透过率高。