四氯化硅冷氢化系统和四氯化硅冷氢化方法

    公开(公告)号:CN115626648A

    公开(公告)日:2023-01-20

    申请号:CN202211535292.X

    申请日:2022-12-02

    Abstract: 本发明公开了一种四氯化硅冷氢化系统和四氯化硅冷氢化方法。该四氯化硅冷氢化系统包括:立式蒸发器,立式蒸发器包括:壳体,壳体具有腔室、氢气进口、四氯化硅进口、混合气出口;上和下分配板,上和下分配板设在腔室内以便将腔室分隔为上物料腔、加热腔和下物料腔;环形分布器,环形分布器设在下物料腔内,环形分布器具有进气口和多个出气口,进气口和氢气进口连通,多个出气口沿环形分布器的周向间隔设置;和物料管,物料管的下端部与下分配板相连且上端部与上分配板相连;以及氢化反应器,氢化反应器的混合气进口与混合气出口连通。该四氯化硅冷氢化系统具有氢气分布均匀、四氯化硅和氢气混合均匀、反应转化率高、不易泄露、使用寿命长、换热效率高等优点。

    四氯化硅冷氢化系统和四氯化硅冷氢化方法

    公开(公告)号:CN115626648B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211535292.X

    申请日:2022-12-02

    Abstract: 本发明公开了一种四氯化硅冷氢化系统和四氯化硅冷氢化方法。该四氯化硅冷氢化系统包括:立式蒸发器,立式蒸发器包括:壳体,壳体具有腔室、氢气进口、四氯化硅进口、混合气出口;上和下分配板,上和下分配板设在腔室内以便将腔室分隔为上物料腔、加热腔和下物料腔;环形分布器,环形分布器设在下物料腔内,环形分布器具有进气口和多个出气口,进气口和氢气进口连通,多个出气口沿环形分布器的周向间隔设置;和物料管,物料管的下端部与下分配板相连且上端部与上分配板相连;以及氢化反应器,氢化反应器的混合气进口与混合气出口连通。该四氯化硅冷氢化系统具有氢气分布均匀、四氯化硅和氢气混合均匀、反应转化率高、不易泄露、使用寿命长、换热效率高等优点。

    用于硅基电子产品生产过程中的尾气处理系统及方法

    公开(公告)号:CN115414771B

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202210961389.0

    申请日:2022-08-11

    Abstract: 本发明公开了一种用于硅基电子产品生产过程中的尾气处理系统及方法。系统包括依次相连的通过冷却介质对尾气进行换热处理的深冷器、对未冷凝气体进行热分解的热处理装置、以及对热分解产物进行水洗并将水洗后气体排出的水洗装置;深冷器尾气入口与硅基电子产品的生产系统尾气出口相连且管道上设有与尾气出口处压力连锁的调节阀,凝液出口与生产系统入口相连。采用本发明可满足连续或间歇性操作,适用于各种硅基电子产品生产过程排放的尾气,可处理含不溶于水或微溶于水物质的尾气,处理后气体满足外排要求,处理流程简单且稳定可控,保证了硅基电子产品生产过程的稳定性,避免了尾气中物料的浪费。

    硅基电子产品的减压精馏装置及方法

    公开(公告)号:CN114669071A

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202210355468.7

    申请日:2022-04-06

    Abstract: 本发明提供一种硅基电子产品的减压精馏装置及方法,包括原料罐、精馏装置、产品罐和再冷却装置;精馏装置包括精馏塔、塔顶冷凝器和再沸器;再沸器的出口与精馏塔的塔底气相管连接;精馏塔的高低沸出料口连接有高低沸罐;塔顶冷凝器的冷凝物料出口分别与精馏塔的物料返回口和产品罐的产品入口连接;再冷却装置包括分别与所述原料罐的气体流通口、塔顶冷凝器的未冷凝气出口、产品罐的罐顶气体管道和高低沸罐的罐顶气体管道连接的冷阱、与冷阱的未冷凝气出口连接的缓冲罐、与缓冲罐连接的真空泵和与真空泵连接的深冷器。利用本发明能够解决现有技术中操作温度较高、生产过程加热介质的消耗量高、传统减压精馏装置流程长、控制不稳定等问题。

    纳米二氧化钛的制备系统
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107445200A

    公开(公告)日:2017-12-08

    申请号:CN201710692271.1

    申请日:2017-08-14

    CPC classification number: C01G23/0536 B82Y30/00

    Abstract: 本发明提供了一种纳米二氧化钛的制备系统。该制备系统包括氢气供应装置、压缩空气供应装置、四氯化钛蒸汽供应单元、燃烧反应装置和冷却装置。其中燃烧反应装置设置有气固反应物出口,燃烧反应装置与氢气供应装置经氢气供应管路相连通,燃烧反应装置与压缩空气供应装置经压缩空气供应管路相连通,燃烧反应装置与四氯化钛蒸汽供应单元经四氯化钛蒸汽供应管路相连通;冷却装置设置有气固反应物入口,且气固反应物入口与气固反应物出口相连通。通过上述制备系统制备二氧化钛时反应条件较为温和,有利于实现二氧化钛的产业化生产。由于设置了冷却装置,这使得采用本申请提供的二氧化钛装置制得的二氧化钛颗粒的粒径更小,且粒径分布更加集中。

    喷嘴
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104401998B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201410690909.4

    申请日:2014-11-25

    Abstract: 本发明提供了一种喷嘴,包括:喷嘴本体,喷嘴本体内设置有供流体流通的腔体;浮子,浮子包括浮子本体,浮子本体的外周面与腔体的内周面形成供流体流出的流通间隙;其中,腔体呈锥形,浮子相对于喷嘴本体沿腔体的进口端和腔体的出口端的连线的方向可移动地设置并具有朝向腔体的进口端移动的趋势,浮子沿进口端至出口端的方向移动的过程中流通间隙逐渐增大。当由腔体的进口端进入的流体的流量较大时,浮子在流体的冲击力的作用下沿进口端至出口端的方向移动,流通间隙逐渐增大,有效地减小了流速,当流体的流量较小时流通间隙也较小,有利于保证经流通间隙流出的流体的流速,实现了喷嘴根据流体的流量大小自行调节流速的功能。

    无关联塔差压热耦合提纯氯硅烷的方法

    公开(公告)号:CN103950936B

    公开(公告)日:2016-02-24

    申请号:CN201410125902.8

    申请日:2014-03-31

    CPC classification number: Y02P20/129

    Abstract: 本发明公开了无关联塔差压热耦合提纯氯硅烷的方法,包括:(1)将第一氯硅烷进行第一精馏提纯得到第一塔顶蒸汽和第一塔底液;(2)将第一塔顶蒸汽进行第一冷凝处理,并将得到第一氯硅烷冷凝液返回至第一精馏塔内;(3)将第一塔底液进行第一再沸处理并将得到第一再沸蒸汽回至第一精馏塔内;(4)将第二氯硅烷进行第二精馏提纯得到第二塔顶蒸汽和第二塔底液;(5)将第二塔顶蒸汽用于第一再沸处理并将得到第二氯硅烷冷凝液返回至第二精馏塔;(6)将第二塔底液进行第二再沸处理并将得到第二再沸蒸汽返回至第二精馏塔。采用本发明的提纯氯硅烷的方法可以实现不同塔组之间的塔差压热耦合,扩大了差压热耦合的使用范围,解决了多晶硅系统中提纯工序高能耗的问题。

    多晶硅还原尾气的处理方法和系统

    公开(公告)号:CN103599672B

    公开(公告)日:2015-08-05

    申请号:CN201310553078.1

    申请日:2013-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种多晶硅还原尾气的处理方法和系统,该方法包括:将多晶硅还原尾气进行除尘处理,以便获得经过除尘的还原尾气;将所述经过除尘的还原尾气进行压缩处理,以便得到压缩后气;将压缩后气进行一系列冷却处理,以便得到冷凝液和经过冷却处理的压缩后气,并且将后者冷却处理所产生的冷凝液和经过冷却处理的压缩后气用于前者冷却处理过程中的冷却液或冷却气使用。根据本发明实施例的多晶硅还原尾气的处理方法可以节省大量的冷量,从而显著降低多晶硅还原尾气的处理成本和还原尾气对环境的污染。

    用于制备硅烷的方法
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103408024B

    公开(公告)日:2015-08-05

    申请号:CN201310323046.2

    申请日:2013-07-29

    Abstract: 本发明公开了用于制备硅烷的方法,该方法包括:在存在阴离子交换树脂作为催化剂的条件下,使二氯二氢硅发生歧化反应,以便获得含有三氯氢硅和硅烷的反应产物;以及从所述反应产物分离硅烷。利用本发明的方法,能够安全、高效地制备硅烷,并且该方法成本低,反应温度、压力低,安全,宜操作,适应性强,无污染,二氯二氢硅转化率高,制备获得的硅烷质量非常好。

    用于制备硅烷的设备
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103408020B

    公开(公告)日:2015-08-05

    申请号:CN201310322935.7

    申请日:2013-07-29

    Abstract: 本发明公开了用于制备硅烷的设备,该设备包括:歧化反应器,所述歧化反应器设置有阴离子交换树脂,用于在存在阴离子交换树脂作为催化剂的条件下,使二氯二氢硅发生歧化反应,以便获得含有二氯二氢硅和四氯化硅的反应产物;以及分离装置,所述分离装置与所述歧化反应器相连,用于从所述反应产物分离硅烷。利用该设备能够安全、高效地制备硅烷,并且该设备造价低,涉及反应温度、压力低,适应性强,安全,宜操作,无污染,二氯二氢硅转化率高,制备获得的硅烷质量非常好。

Patent Agency Ranking