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公开(公告)号：CN117197220A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311152195.7
申请日：2023-09-07
申请人： 中国水产科学研究院长江水产研究所 , 湖北理工学院
摘要： 本发明公开了一种自动生成河流断面及特征提取方法，包括：通过指定的数值，沿着河流中心线/深泓线生成点，并沿河流方向为点设置编号，以相邻的线递归生成中心线，并赋予这些线编号；按照编号顺序遍历点，并向其相邻的线作垂线；生成垂线段与相邻线的交点，并赋予这些交点与点一致的编号值；以交点沿着已有垂线段的方向，继续向其相邻的线作垂线；分别求垂线段与相邻线的交点，并赋予这些交点与垂线段起点一致的编号；直至垂线段到达河流边线；按中心线编号和生成垂线段交点编号生成线段，完成断面自动建立；通过生成的断面线生成信息提取点；提取断面二/三维格网数据信息。本发明实现了宽度和弯曲度变化比较剧烈的河流自动断面生成和属性提取。
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公开(公告)号：CN114429505A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111441066.0
申请日：2021-11-30
申请人： 湖北理工学院 , 中国水产科学研究院长江水产研究所
IPC分类号： G06T11/00 , G06F16/29 , G06K9/62 , G06V10/762
摘要： 本发明公开了一种快速面要素聚合方法、设备及存储设备，方法包括以下步骤：读取面要素数据；对面要素进行聚类；分别选择各个聚类簇的面要素；获取各个聚类簇的外包矩形以及各个聚类簇中心点；分别合并各个聚类簇要素，并提取外边界多边形；分别遍历各个外边界多边形的节点，连接对应聚类簇中心点与外边界节点，并延长对应聚类簇的外包矩形长对角线长度，记录该线段的外端点；连接外端点与对应聚类簇外边界多边形节点，生成线段；将对应外边界多边形与线段作相交；相交结果若为点，则记录该外边界多边形节点并按顺序连接，形成多边形；调整结果的输出形态；设备及存储设备用以实现方法；本发明有益效果是：提高自动制图效率。
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公开(公告)号：CN117833027A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410062174.4
申请日：2024-01-16
申请人： 湖北理工学院
摘要： 本发明公开了一种单片集成硅基III‑V族多波长激光器及制备方法，制备方法包括用SOI衬底的顶层硅层制备叉形耦合器和合波器，制备第一二氧化硅层，在第一二氧化硅层和SOI衬底的掩埋氧化层中制备矩形沟槽阵列，在矩形沟槽底部的SOI衬底的衬底硅层中制备V形硅沟槽，在V形硅沟槽和矩形沟槽内外延生长III‑V族亚微米线，制备N电极和P电极，制备高反射率的DBR光栅和低反射率的DBR光栅。本发明为硅上单片集成III‑V族多波长激光器提供了电注入方案和光耦合方案，有利于实现硅基光电子芯片的大规模单片集成。
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公开(公告)号：CN117833027B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410062174.4
申请日：2024-01-16
申请人： 湖北理工学院
摘要： 本发明公开了一种单片集成硅基III‑V族多波长激光器及制备方法，制备方法包括用SOI衬底的顶层硅层制备叉形耦合器和合波器，制备第一二氧化硅层，在第一二氧化硅层和SOI衬底的掩埋氧化层中制备矩形沟槽阵列，在矩形沟槽底部的SOI衬底的衬底硅层中制备V形硅沟槽，在V形硅沟槽和矩形沟槽内外延生长III‑V族亚微米线，制备N电极和P电极，制备高反射率的DBR光栅和低反射率的DBR光栅。本发明为硅上单片集成III‑V族多波长激光器提供了电注入方案和光耦合方案，有利于实现硅基光电子芯片的大规模单片集成。
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