公开(公告)号：CN118106040A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410291222.7

申请日：2024-03-14

申请人： 中国海洋大学

发明人： 陈守刚 ,  马程成 ,  王超群 ,  赵志鹏

IPC分类号： B01J31/28 ,  B01J35/39 ,  A01N59/20 ,  A01N59/16 ,  A01N43/90 ,  A01P1/00 ,  A01P3/00

摘要： 本发明提供一种全光谱驱动光催化的Ga掺杂Cu2O/有机半导体异质结构材料及其制备方法，属于纳米材料制备领域。在室温下，将有机半导体、络合剂、镓盐、铜盐、溶剂按照配比混合，然后加入一定量的还原剂，经离心、洗涤、干燥，可制得Ga掺杂Cu2O/有机半导体粉末。本发明以Ga掺杂Cu2O作为p型半导体，PDINH作为n型半导体构建Ga掺杂Cu2O/有机半导体异质结构材料，通过Ga掺杂调节Cu2O/有机半导体异质结的能带结构，优化了Ga掺杂比例、填料比例、反应温度、搅拌速度、反应时间等参数，提高光催化利用效率。利用原位合成法制备了Ga掺杂Cu2O/有机半导体异质结构材料，操作简便、原料利用率提高、成本较低。