一种交直流系统电压耦合作用的衡量方法及系统

    公开(公告)号:CN106786815B

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN201710059035.6

    申请日:2017-01-23

    发明人: 邵瑶 汤涌

    IPC分类号: H02J5/00

    摘要: 本发明提供了一种交直流系统电压耦合作用的衡量方法及系统,所述方法包括依据交直流系统中各直流逆变侧换流母线与各受端系统交流母线之间的互阻抗,及各受端系统交流母线的自阻抗,计算交直流电压耦合作用因子;依据交直流电压耦合作用因子评估直流逆变侧换流母线与受端系统交流母线之间的电压耦合作用。与现有技术相比,本发明提供的一种交直流系统电压耦合作用的衡量方法及系统,不需要对电力系统进行全网故障监测,极大地减少了计算工作量进而能够快速评估直流逆变侧换流母线是否存在换相失败风险;同时,依据交直流电压耦合作用因子的数值可以直观的体现电压耦合作用的耦合程度。

    一种多回直流同时换相失败的判断方法及系统

    公开(公告)号:CN110504702A

    公开(公告)日:2019-11-26

    申请号:CN201810465797.0

    申请日:2018-05-16

    IPC分类号: H02J3/36

    摘要: 本发明提供了一种多回直流同时换相失败的判断方法及系统,包括:计算至少两个落点于同一交流系统的直流系统逆变侧换流母线之间的互阻抗,及直流系统逆变侧换流母线的自阻抗;根据所述落点于同一交流系统的直流输电系统逆变侧换流母线之间的互阻抗,及直流系统逆变侧换流母线的自阻抗计算多馈入交互作用因子;根据所述多馈入交互作用因子和预先设置的通用临界多馈入交互作用因子判断多回直流系统是否会同时换相失败。本发明提供的技术方案,根据给出的通用临界多馈入交互作用因子,即可判断是否会发生多回直流同时换相失败,大大简化了计算分析过程,缩短了耗时,使用更加方便。

    一种基于时域仿真的戴维南等值参数跟踪的计算方法

    公开(公告)号:CN101505061B

    公开(公告)日:2011-07-13

    申请号:CN200910080018.6

    申请日:2009-03-17

    IPC分类号: H02J3/00 G06F17/13

    摘要: 本发明提供一种跟踪求解电力系统暂态过程中的戴维南等值参数的方法,该方法利用暂态稳定计算程序每一个计算步中生成的网络代数方程,使用补偿法来求解任意一个负荷母线处的系统戴维南等值参数。本方法没有基于任何假设前提,具有较好的可操作性和适应性,计算得到的戴维南等值参数精度非常高。本发明的成果可以应用于任何需要形成戴维南等值系统的电力系统分析计算中。

    一种基于扩展雅克比矩阵计算交直流系统电压耦合作用因子的方法和系统

    公开(公告)号:CN109245097B

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN201811237027.7

    申请日:2018-10-23

    IPC分类号: H02J3/00

    摘要: 本发明提供一种基于扩展雅克比矩阵计算交直流系统电压耦合作用因子的方法和系统,所述方法和系统基于交直流系统的每条母线的功率平衡方程,建立基于扩展雅克比矩阵的确定电压耦合作用因子的方程式X,再根据采集的所述多馈入交直流系统每条母线的网络参数值和动态元件参数值求解扩展雅克比矩阵中每个元素的值,并基于扩展雅克比矩阵中每个元素的值,采用稀疏技术对方程式X求解,确定每条直流输电系统换流母线对所述故障的受端交流母线的电压耦合作用因子,所述方法和系统使多直流落点受端电网支撑能力的快速评估结果更为准确,将本发明应用于交直流系统规划、设计及运行等领域,对于指导大电网的规划和维护大电网的安全稳定运行具有重要意义。

    一种适用于MOSFET器件的仿真模型装置

    公开(公告)号:CN112906327A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202110069292.4

    申请日:2021-01-19

    IPC分类号: G06F30/33

    摘要: 本发明公开了一种适用于MOSFET器件的仿真模型装置,属于电力电子与电力传动技术领域。本发明装置,包括:控制信号延时子电路,所述控制信号延时子电路接入控制信号及电流,并根据控制信号控制电流流入稳态子电路;稳态子电路,所述稳态子电路接入电流后,模拟MOSFET器件的开通及关断过程中漏源极电压及电流的变化,输出断态时漏源极电压及通态时漏源极电流;开通暂态子电路,所述开通态子电路以断态时漏源极电压作为控制对象,模拟MOSFET器件开通过程的漏源极电压;关断暂态子电路,所述关断暂态子电路以通态时漏源极电流作为控制对象,模拟MOSFET器件关断过程的漏源极电流。本发明体现了SIC MOSFET稳态工作特性及开通瞬态特性与关断瞬态特性。