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公开(公告)号：CN114665908B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210281221.5
申请日：2022-03-21
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明公开了一种幅相精度可调节的衰减移相系统，属于芯片电路设计技术领域，包括有源数控衰减器、有源数控移相器、可查表码值寄存器。本发明在外部系统要求6位衰减6位移相的背景下，直接衰减位数和移相位数分别增加到9位，使得幅相精度进一步提升成为了可能；此外基于本架构，在系统复杂度和上电可查表码值寄存器写入数据时间允许的条件下，9位直接控制位仍可进一步增加；并随着直接控制位的增加，相应的衰减、移相位也从原来的各64位分别增加到512位，在外部6位控制位不变的条件下，每一个衰减态、移相态可从多个状态中选择；对于系统不同衰减移相精度的指标要求，可将不同的码值写入可查表码值寄存器实现幅相多功能芯片在片调节优化。
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公开(公告)号：CN113114162A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110315189.3
申请日：2021-03-24
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： H03H11/24
摘要： 本发明公开了一种用于CMOS宽带幅相多功能芯片的衰减器电路，属于衰减器电路技术领域，包括依次连接的源随器电路、无源衰减器电路、共栅放大器电路，所述无源衰减器电路包括依次连接的多个基本衰减单元。本发明电路的前后级分别为源随器、共栅放大器，弥补了传统的带MOS开关管的电阻网络隔离度差、衰减器性能易受前后级负载变化的缺点；各个基态衰减单元衰减值和调相指标不随前后级负载变化，易于级联衰减性能优化；可级联到宽带幅相多功能芯片中，且不会恶化可用衰减带宽、衰减精度、寄生调相等核心指标，值得被推广使用。
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公开(公告)号：CN114665908A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210281221.5
申请日：2022-03-21
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明公开了一种幅相精度可调节的衰减移相架构，属于芯片电路设计技术领域，包括有源数控衰减器、有源数控移相器、可查表码值寄存器。本发明在外部系统要求6位衰减6位移相的背景下，直接衰减位数和移相位数分别增加到9位，使得幅相精度进一步提升成为了可能；此外基于本架构，在系统复杂度和上电可查表码值寄存器写入数据时间允许的条件下，9位直接控制位仍可进一步增加；并随着直接控制位的增加，相应的衰减、移相位也从原来的各64位分别增加到512位，在外部6位控制位不变的条件下，每一个衰减态、移相态可从多个状态中选择；对于系统不同衰减移相精度的指标要求，可将不同的码值写入可查表码值寄存器实现幅相多功能芯片在片调节优化。
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公开(公告)号：CN114584090A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210281186.7
申请日：2022-03-21
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明公开了一种宽增益调节范围的可变增益放大器电路结构，属于可变增益放大器技术领域，包括三级宽带匹配变压器、两级数控可变增益放大器，信号先经第一级变压器的初级线圈耦合到次级线圈，再经第一级有源数控可变增益放大器由第二级变压器的初级线圈耦合到次级线圈。本发明采用两级有源数控可变增益放大器级联的形式，每级采用6位加权放大基础单元并联电路结构，能够实现宽增益调节范围；通过变压器实现输入、输出、级间匹配，进而设计实现宽带可变增益放大器电路结构；每级有源数控可变增益放大器采用大增益基础放大器并联的形式，使得在不同增益状态下实现低相位偏移。
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