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公开(公告)号：CN118868859A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410916537.6
申请日：2024-07-09
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 一种用于提升矢量合成移相器幅相精度的电路结构属于芯片电路设计技术领域，解决象限交汇处相位变化大导致移相精度受限及由于跨导随偏置电流的平方根非线性变化所导致幅度波动大的问题，正交信号发生器用于产生相位相差90°，幅度相等的正交信号；DAC单元用于产生随控制变化的偏置电位，调节Gilbert单元尾电流，进而实现正交信号幅度控制，合成期望相位；电流校准电路用于对相位精度和幅度波动进行校准；本发明可用于相控阵系统中，通过对高精度移相和低寄生调幅的移相器设计来实现空间目标高精度扫描和低旁瓣干扰；本发明基于矢量合成移相器结构，创新的提出采用电流校准电路，从而提升矢量合成移相器幅相精度提升。
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公开(公告)号：CN117134741A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311259844.3
申请日：2023-09-26
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： H03H11/16
摘要： 本发明公开一种幅度相位一体化调控高低通网络电路及控制方法，电路包括高低通网络移相单元电路和幅度调制单元子电路，所述高低通网络移相单元电路包括高通网络子电路和低通网络子电路，所述高通网络子电路一端经相位调控开关管M1、M3接入所述低通网络子电路的一端，所述高通网络子电路的另一端经相位调控开关管M2、M4接入所述低通网络子电路的另一端，M1的体端及M2的体端各自经一路幅度调制单元子电路后连接，M3的体端和M4的体端各自经一路幅度调制单元子电路后连接；每路所述幅度调制单元子电路包括并联连接的幅度调控开关管和电阻；本发明实现了在同一个单元结构中同时实现幅度与相位的高精度调控。
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公开(公告)号：CN114584090A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210281186.7
申请日：2022-03-21
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明公开了一种宽增益调节范围的可变增益放大器电路结构，属于可变增益放大器技术领域，包括三级宽带匹配变压器、两级数控可变增益放大器，信号先经第一级变压器的初级线圈耦合到次级线圈，再经第一级有源数控可变增益放大器由第二级变压器的初级线圈耦合到次级线圈。本发明采用两级有源数控可变增益放大器级联的形式，每级采用6位加权放大基础单元并联电路结构，能够实现宽增益调节范围；通过变压器实现输入、输出、级间匹配，进而设计实现宽带可变增益放大器电路结构；每级有源数控可变增益放大器采用大增益基础放大器并联的形式，使得在不同增益状态下实现低相位偏移。
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公开(公告)号：CN117134741B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311259844.3
申请日：2023-09-26
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： H03H11/16
摘要： 本发明公开一种幅度相位一体化调控高低通网络电路及控制方法，电路包括高低通网络移相单元电路和幅度调制单元子电路，所述高低通网络移相单元电路包括高通网络子电路和低通网络子电路，所述高通网络子电路一端经相位调控开关管M1、M3接入所述低通网络子电路的一端，所述高通网络子电路的另一端经相位调控开关管M2、M4接入所述低通网络子电路的另一端，M1的体端及M2的体端各自经一路幅度调制单元子电路后连接，M3的体端和M4的体端各自经一路幅度调制单元子电路后连接；每路所述幅度调制单元子电路包括并联连接的幅度调控开关管和电阻；本发明实现了在同一个单元结构中同时实现幅度与相位的高精度调控。
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公开(公告)号：CN115407287A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210839161.4
申请日：2022-07-18
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： G01S7/40
摘要： 本发明提供一种基于多状态流程重构的收发组件快速安全测试系统和方法，涉及相控阵雷达技术领域。本发明包括用于根据待测指标产生测试系统的第一控制信号和控制测试系统的主控制器；用于根据第一控制信号进行信号采集与分析、产生第二控制信号的数据采集与控制单元；用于根据第一控制信号和第二控制信号进行链路切换的开关矩阵，用于根据链路切换选通不同的测试仪表，对待测指标进行测试和显示的测试仪表组。本发明能够根据收发组件不同的工作状态，实现测试指标和仪表扫描设置的所有状态和流程的一次下发，然后整体读取技术，能够最大限度的减少测试过程中的状态切换和数据读取的时间，提升了测试效率。
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公开(公告)号：CN114665908A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210281221.5
申请日：2022-03-21
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明公开了一种幅相精度可调节的衰减移相架构，属于芯片电路设计技术领域，包括有源数控衰减器、有源数控移相器、可查表码值寄存器。本发明在外部系统要求6位衰减6位移相的背景下，直接衰减位数和移相位数分别增加到9位，使得幅相精度进一步提升成为了可能；此外基于本架构，在系统复杂度和上电可查表码值寄存器写入数据时间允许的条件下，9位直接控制位仍可进一步增加；并随着直接控制位的增加，相应的衰减、移相位也从原来的各64位分别增加到512位，在外部6位控制位不变的条件下，每一个衰减态、移相态可从多个状态中选择；对于系统不同衰减移相精度的指标要求，可将不同的码值写入可查表码值寄存器实现幅相多功能芯片在片调节优化。
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公开(公告)号：CN116886211A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310981877.2
申请日：2023-08-03
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明公开了一种正交信号幅相自校准系统，属于芯片电路设计技术领域，包括由至少5位控制码控制的调幅电路、由至少5位控制码控制的调相电路、相位补偿电路、用于检测不同控制码状态下的幅度的功率检测电路、比较器、锁存寄存器、用于在时钟CLK信号作用下切换控制码值的状态机，其中，调幅电路包括调幅电路I和调幅电路Q，调相电路包括调相电路I和调相电路Q，相位补偿电路包括相位补偿电路I和相位补偿电路Q，功率检测电路包括第一至第四功率检测模块，比较器包括第一比较器、第二比较器，状态机包括第一状态机、第二状态机。本发明能够显著提高正交信号的相位正交性和幅度一致性。
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公开(公告)号：CN114665908B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210281221.5
申请日：2022-03-21
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明公开了一种幅相精度可调节的衰减移相系统，属于芯片电路设计技术领域，包括有源数控衰减器、有源数控移相器、可查表码值寄存器。本发明在外部系统要求6位衰减6位移相的背景下，直接衰减位数和移相位数分别增加到9位，使得幅相精度进一步提升成为了可能；此外基于本架构，在系统复杂度和上电可查表码值寄存器写入数据时间允许的条件下，9位直接控制位仍可进一步增加；并随着直接控制位的增加，相应的衰减、移相位也从原来的各64位分别增加到512位，在外部6位控制位不变的条件下，每一个衰减态、移相态可从多个状态中选择；对于系统不同衰减移相精度的指标要求，可将不同的码值写入可查表码值寄存器实现幅相多功能芯片在片调节优化。
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公开(公告)号：CN113866731A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111127955.X
申请日：2021-09-26
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明公开了一种T/R组件的热电一体测试装置，包括底座、液冷组件、压紧组件、总口测试组件和分口测试组件，所述底座上固定所述液冷组件，所述液冷组件顶部固定有用于压紧T/R组件的压紧组件，所述压紧组件两侧的底座上分别固定所述总口测试组件和分口测试组件。本发明的优点在于，该装置可以方便快速的实现T/R组件和测试仪表之间的微波适配转接，实现一次装夹即可将所有通道所有指标一次性测试完，极大提高T/R组件测试效率和准确度；同时又能将T/R组件产生的热迅速带走以避免因结温过高而被烧毁，满足高热流密度T/R组件稳定可靠工作的需求，以及高功率连续波T/R组件大批量调试和测试的场景。
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公开(公告)号：CN113114162A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110315189.3
申请日：2021-03-24
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： H03H11/24
摘要： 本发明公开了一种用于CMOS宽带幅相多功能芯片的衰减器电路，属于衰减器电路技术领域，包括依次连接的源随器电路、无源衰减器电路、共栅放大器电路，所述无源衰减器电路包括依次连接的多个基本衰减单元。本发明电路的前后级分别为源随器、共栅放大器，弥补了传统的带MOS开关管的电阻网络隔离度差、衰减器性能易受前后级负载变化的缺点；各个基态衰减单元衰减值和调相指标不随前后级负载变化，易于级联衰减性能优化；可级联到宽带幅相多功能芯片中，且不会恶化可用衰减带宽、衰减精度、寄生调相等核心指标，值得被推广使用。
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