-
公开(公告)号：CN115396048B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202210809025.0
申请日：2022-07-11
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明提供了一种无源宽带正交信号校准电路和系统，包括：正交校准单元，所述正交校准单元设有I+输入端、I‑输入端、Q+输入端、Q‑输入端、I+输出端、I‑输出端、Q+输出端和Q‑输出端；所述正交校准单元包括第一正交耦合器、第二正交耦合器、第三正交耦合器和第四正交耦合器；上述任一正交耦合器均包括输入端、耦合端、直通端和隔离端；若干个所述正交校准单元相互级联。本发明提出一种无源宽带正交信号校准电路，能够在无校准反馈环路或电路重构的情况下，同时减小整个工作频段内正交信号的幅度、相位失配。该正交校准电路采用无源结构，不产生额外功耗，对集成电路制造工艺节点无要求，无截止频率的限制，适合用于毫米波/微波系统。
-
公开(公告)号：CN116190944B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202211411482.0
申请日：2022-11-11
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明公开了一种有源双向谐振腔移相器，包括端口P1‑P4、晶体管M1‑M4、电流源晶体管M5和M6、中心抽头电感L1和L2、耦合传输线DTL1‑DTL4，其中晶体管M1‑M4的栅极分别连接端口P1‑P4，中心抽头电感L1和L2相互缠绕，形成耦合线圈TF1，耦合传输线DTL1、DTL2和耦合线圈TF1形成发射耦合谐振腔，耦合传输线DTL3、DTL4和耦合线圈TF1形成接收耦合谐振腔，通过数字信号能够控制耦合传输线DTL1‑DTL4的对地电容，从而改变耦合谐振腔的谐振特性，实现数控移相。本发明最大限度地复用了电路单元，使接收通道和发射通道共用一套硬件资源，极大缩小了版图面积，从而降低芯片成本。
-
公开(公告)号：CN115407261A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210808702.7
申请日：2022-07-11
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明提供了一种有源片上和差器与和差波束网络，包括：信号输入转换单元，用于将输入射频信号A、B转换为差分信号A+，A‑，B+，B‑；有源和差运算单元，与信号输入转换单元相连，用于将信号输入转换单元输出的电压信号A+，A‑，B+，B‑转换为电流信号，并进行电流功分、求差、求和；信号输出转换单元，与有源和差运算单元相连，用于将电流信号转换为电压信号，并将(A+B)、‑(A+B)、(B‑A)、‑(B‑A)转换为单端信号A+B，B‑A；所述信号输入转换单元和信号输出转换单元还用于为有源和差运算单元提供直流偏置点。在原理和物理结构上保证了其具有非常理想的幅度、相位一致性；和差器不会引入插入损耗；和差器具有相对较宽的带宽；在版图上的面积开销非常小。
-
公开(公告)号：CN115396048A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210809025.0
申请日：2022-07-11
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明提供了一种无源宽带正交信号校准电路和系统，包括：正交校准单元，所述正交校准单元设有I+输入端、I‑输入端、Q+输入端、Q‑输入端、I+输出端、I‑输出端、Q+输出端和Q‑输出端；所述正交校准单元包括第一正交耦合器、第二正交耦合器、第三正交耦合器和第四正交耦合器；上述任一正交耦合器均包括输入端、耦合端、直通端和隔离端；若干个所述正交校准单元相互级联。本发明提出一种无源宽带正交信号校准电路，能够在无校准反馈环路或电路重构的情况下，同时减小整个工作频段内正交信号的幅度、相位失配。该正交校准电路采用无源结构，不产生额外功耗，对集成电路制造工艺节点无要求，无截止频率的限制，适合用于毫米波/微波系统。
-
公开(公告)号：CN114725068A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210176472.7
申请日：2022-02-24
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/552 , H01L23/538 , H01L25/18 , H01F17/00
摘要： 本发明公开了一种保持元件高Q值的低剖面三维集成射频模组，包括底层芯片和设置在底层芯片上方的高精度转接基片，所述底层芯片和高精度转接基片通过互连凸点集成在一起；所述底层芯片正面上设有滤波电路、第一信号焊盘和第一接地焊盘，所述底层芯片背面设有金属地，所述第一接地焊盘与金属地相连；所述高精度转接基片背面上设有第二信号焊盘和第二接地焊盘，所述第二信号焊盘通过互连凸点与第一信号焊盘对应互连，所述第二接地焊盘通过互连凸点与第一接地焊盘对应互连；所述高精度转接基片正面固定设有放大类芯片和混频类芯片。本发明保证了宽带射频芯片射频接地需求。
-
公开(公告)号：CN113054392B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110210541.7
申请日：2021-02-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01P5/12
摘要： 本发明提供了一种可调耦合度双向耦合器，包括平行的主微带线与副微带线，主微带线一端为输入端，另一端为直通端，还包括耦合微带线，所述耦合微带线垂直于副微带线且一端连接在副微带线中点处，另一端形成耦合端；所述耦合微带线中设有两个电阻a、b；耦合微带线一侧设有阻抗开路线。与传统结构相比，此对称结构保证了信号不论流向，都能在耦合端实现相同的耦合度；同时调节电阻的设计方式可以便捷的在一定范围内调节耦合度，从而适应不同用户的需求，能广泛适用于收发电路中，同时可以进行灵活的调节，从而拓宽了这种耦合器的应用范围。
-
公开(公告)号：CN113224492A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110416427.X
申请日：2021-04-19
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明提供一种基于互感耦合的超宽带功分器芯片，包括：由两个电感相互缠绕形成的第一级互感耦合线圈，连接所述第一级互感耦合线圈功分两路的第一级RC串联网络；由两个电感相互缠绕形成的第二级互感耦合线圈，连接所述第二级互感耦合线圈功分两路的第二级RC串联网络；所述第一级互感耦合线圈与第二级互感耦合线圈前后相连，并在连接点设置有第一级互感耦合线圈与第二级互感耦合线圈共享并接入到地的调谐电容。本发明能够极大的减小超宽带功分器芯片的尺寸，并实现超宽的工作频带。
-
公开(公告)号：CN114725068B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210176472.7
申请日：2022-02-24
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/552 , H01L23/538 , H01L25/18 , H01F17/00
摘要： 本发明公开了一种保持元件高Q值的低剖面三维集成射频模组，包括底层芯片和设置在底层芯片上方的高精度转接基片，所述底层芯片和高精度转接基片通过互连凸点集成在一起；所述底层芯片正面上设有滤波电路、第一信号焊盘和第一接地焊盘，所述底层芯片背面设有金属地，所述第一接地焊盘与金属地相连；所述高精度转接基片背面上设有第二信号焊盘和第二接地焊盘，所述第二信号焊盘通过互连凸点与第一信号焊盘对应互连，所述第二接地焊盘通过互连凸点与第一接地焊盘对应互连；所述高精度转接基片正面固定设有放大类芯片和混频类芯片。本发明保证了宽带射频芯片射频接地需求。
-
公开(公告)号：CN114070286B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111237938.1
申请日：2021-10-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H03K17/62
摘要： 本发明提供了一种任意路由射频开关矩阵，由N*N个2态开关IP单元以矩阵形式构成，每个2态开关IP单元具有上下左右四个端口，矩阵形式内的2态开关IP单元通过相邻端口连接形成开关矩阵，开关矩阵上下左右均N个端口用于对外连接；所述2态开关IP单元具有1态和0态两种状态，处于1态时，上端口与左端口连通；处于0态时，左端口与右端口连通，上端口与下端口连通。本发明提出的方案可以实现毫米尺度的平面结构射频开关矩阵，能够方便的进行系统封装集成。
-
公开(公告)号：CN111654255B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010447539.7
申请日：2020-05-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H03H7/01
摘要： 本发明涉及微波电路技术领域，公开了一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路，包括GaAs基FET、平板电容、平面电感或高阻抗传输线、微带传输线及接地金属通孔。所述GaAs基FET开关管起直通或高通滤波器选择的功能，通过控制信号实现其处于导通或截止的工作状态，从而实现直通或高通滤波等功能的可重构；所述平板电容、平面电感或高阻抗传输线、接地金属通孔等组成高通滤波电路的基本单元，起高通滤波的功能；所述控制信号为GaAs基FET开关管控制信号，起控制GaAs基FET开关工作状态的作用，从而实现超宽带直通/高通滤波器电路的可重构。本发明提供的电路具有结构简单、低插损、低功耗、小型化及可重构等优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
45 条记录 (耗时 0.052 秒)
