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公开(公告)号：CN118741982B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411224126.7
申请日：2024-09-03
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H05K7/20 , G06F30/28 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了一种渐变式流道均温液冷结构及其设计方法，渐变式流道均温液冷结构包括散热冷板，散热冷板内设置有分流流道、汇流流道和若干相互平行的散热支路，散热支路的入口端和出口端分别连通分流流道和汇流流道；散热支路的入口端至出口端依次设置有内含微通道的第一流道、第二流道和第三流道，第一流道、第二流道和第三流道的微通道宽度依次减小；其中，散热支路的正上方沿长度方向放置若干热源。本发明中，渐变式流道均温液冷结构结构简单，不易受空间条件限制，可一体化集成于高密度电子设备中；渐变式流道均温液冷结构的设计方法可通过理论公式快速计算出各段微通道的宽度，能够方便根据实际需要精准控制各发热器件的温差。
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公开(公告)号：CN117976632A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410391553.8
申请日：2024-04-02
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/66 , H01L23/552 , H01L21/768
摘要： 本申请的实施例提供了一种射频芯片垂直互联结构及其制作方法，涉及半导体领域。所述结构包括：芯片本体，所述芯片本体上设置有直流信号热过孔结构、接地背孔结构以及射频信号垂直传输结构；其中，所述射频信号垂直传输结构包括环状接地屏蔽结构和射频信号传输结构，所述环状接地屏蔽结构与所述射频信号传输结构同轴布置且不互相接触；所述环状接地屏蔽结构包括环状接地屏蔽结构正面PAD和环状接地屏蔽结构背面PAD，所述环状接地屏蔽结构正面PAD和所述环状接地屏蔽结构背面PAD通过贯穿所述芯片本体的金属通孔连接。申请的技术方案解决了热过孔在传输射频信号时存在的插损大、频带内增益陷坑和信号泄露等技术问题。
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公开(公告)号：CN117600144A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311728846.2
申请日：2023-12-15
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所 , 安苏士实业(深圳)有限公司 , 成都伯鼎科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多功能清洗机及SIP产品清洗方法，该多功能清洗机包括机架、以及安装于机架的化学清洗机构、一级漂洗机构、二级漂洗机构和产品移动机构。本发明能对SIP进行多种清洗和漂洗，从而能在有效清洗掉SIP产品留存的助焊剂的同时能保护SIP产品。
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公开(公告)号：CN114256175B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202111483901.7
申请日：2021-12-07
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/46 , H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及微电子散热技术领域，公开了一种嵌入微流道的瓦片式TR组件及其制备方法，该瓦片式TR组件，包括盒体、嵌入所述盒体内的分流网络、设于所述盒体内的与所述分流网络连通的微流道、设于所述微流道上方的大功率芯片，所述分流网络连接有用以与盒体外部空间连通的进出液口，所述分流网络、所述微流道用以通过散热流体。本发明解决了现有技术存在的难以在满足组件电气功能的同时解决瓦片式TR组件散热问题等不足。
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公开(公告)号：CN114433971B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202111559057.1
申请日：2021-12-20
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明公开了一种使用磁振颗粒辅助进行堆叠焊接的装置及方法，包括磁场控制器、上磁场发生器、下磁场发生器、加热控制器、上加热器、下加热器和承载板，所述上加热器和下加热器平行设置且均与加热控制器连接，所述上加热器上方设有上磁场发生器，所述下加热器下方设有下磁场发生器，所述上磁场发生器和下磁场发生器均与磁场控制器连接，所述磁场控制器控制上磁场发生器和下磁场发生器产生交变磁场，所述下加热器上方设有承载板，在承载板上通过焊球以及焊球内部的磁振颗粒对上层器件和下层电路板进行堆叠焊接。
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公开(公告)号：CN112345111B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202011039952.6
申请日：2020-09-28
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明提供了一种大功率热源芯片，芯片表面同时具有薄膜模拟热源电阻和薄膜温度传感器；温度传感器包覆在模拟热源电阻内部或集成在模拟热源电阻底部；薄膜温度传感器的电阻值远大于模拟热源电阻，且其分布位置根据高密度集成封装的散热结构来确定。通过将温度传感器包覆在模拟热源电阻内部或集成在模拟热源电阻底部的方式，在实现大功率发热的同时，实时测量整个芯片的温度梯度，从而准确分析高密度集成封装的散热能力。
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公开(公告)号：CN112420679B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202011309710.4
申请日：2020-11-20
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/66
摘要： 本发明公开了一种射频模块三维堆叠结构及其制作方法，包括玻璃帽层、玻璃载体层、玻璃转接框层、硅基载体层、陶瓷封装层与射频芯片；玻璃载体层、玻璃转接框层、硅基载体层均设有通孔与互连线；玻璃帽层、玻璃载体层、玻璃转接框层、硅基载体层、陶瓷封装层自上而下依次堆叠互连；射频芯片位于硅基载体层的上表面和玻璃载体层的上表面，通过引线结构与载体层上的电路焊盘连接等；本发明通过多种材料高密度基板的组合与堆叠，实现射频模块性能更优，密度更高，并且集成工艺简单灵活，可靠性更好等。
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公开(公告)号：CN115602636A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211361073.4
申请日：2022-11-02
IPC分类号： H01L23/053 , H01L23/16 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
摘要： 本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种三维气密封装结构及封装方法，包括相对设置的顶部封装基板和底部封装基板，顶部封装基板与底部封装基板均设置有芯片模组；用以形成气密结构的组合围框结构，组合围框结构包括限位件和围框件，限位件与围框件的相对配合面设置有对位配合结构；设置于顶部封装基板与底部封装基板之间的微柱结构，包括微柱体与微焊球，微柱体与微焊球导通顶部封装基板与底部封装基板。本发明通精确控制围框件与微柱体结构的高度一致，满足封装内上下两面均集成芯片的互连高度以及封装气密性的要求。限位件与围框件之间的相对配合面结构，提高了顶部封装基板与底部封装基板的对位效率，避免了繁琐的高精度对位操作。
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公开(公告)号：CN113241331B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110437642.8
申请日：2021-04-22
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48 , G01N25/20
摘要： 本发明公开了一种基于阵列散热的三维集成结构及其制备方法和分析方法，该三维集成结构包括从上至下依次堆叠的芯片层、转接板层、封装层和母板层。本发明构建从芯片到封装、再到系统的高效传热路径，实现该三维集成结构原位、实时热分析，从而减小整个系统的热衰减，提升电子系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN115151024A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210776656.7
申请日：2022-07-04
申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要： 本发明涉及微电子封装技术领域，具体公开了一种悬臂式内嵌微流道印制电路板及其制备方法，其中印制电路板包括依次层叠设置的上布线层、内嵌有微流道的金属芯、下布线层；所述金属芯包括位于上布线层与下布线层之间且分别与上布线层和下布线层连接的芯本体、芯本体一体成型的悬臂；所述微流道设置在芯本体内，所述悬臂设置有与微流道连通的进液口和出液口；以及公开了印制电路板的制备方法。本发明的印制电路板同时具备高密度集成和高效散热能力，其结构和表面镀层满足与金属盒体气密焊接的需求；本发明的制备方法能够防止印制电路板制备过程中湿法溶液对印制电路板的污染。
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