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公开(公告)号：CN117430311A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311375065.X
申请日：2023-10-23
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种微半球谐振子火焰吹制装置、系统及方法，该吹制装置包括石墨模具、火焰喷头、调节机构和若干测温机构，石墨模具呈圆柱形且竖直设置，石墨模具上端面中心设有圆环形凹槽；圆环形凹槽内均匀分布有若干抽气孔，抽气孔竖直设置且贯穿石墨模具下端面；火焰喷头设于石墨模具上方且连接有气体管道；火焰喷头与调节机构连接，便于通过调节机构升降和旋转火焰喷头，使得火焰喷头距离石墨模具有一定高度以及使得火焰喷头中心与石墨模具中心同轴；所有测温机构沿石墨模具圆周均匀嵌设在石墨模具内，且距离石墨模具中心距离相等。本发明能有效保证火焰温场对称性，提高微半球谐振子结构的对称性和一致性，从而提升微半球谐振子的加工精度。
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公开(公告)号：CN116140821A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211338627.9
申请日：2022-10-28
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种修调量可控的激光质量修调方法，具体步骤为：S101）设定加工区域面积，并绘制加工路径图形；S102）在待加工区域聚焦激光能量，并按照路径加工，去除结构一定体积；S103）测量去除区域的几何尺寸，并计算去除体积；S104）绘制不同尺寸的加工路径图形，并重复步骤S101）、步骤S102）、步骤S103)，将不同的去除体积与其图案的变量进行拟合，得到体积与加工变量的函数关系式；S105）确定实际待修调器件去除质量和体积，根据S104）中所得表达式计算加工参数。针对同一类型的谐振结构，本发明只需进行一轮修调即可得到准确的去除量，操作简单，提升质量修调效率。
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公开(公告)号：CN117629167A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311625083.9
申请日：2023-11-30
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： G01C19/5691 , G01C19/5783 , B25B11/02
摘要： 本发明涉及微机电制造技术领域，公开了一种电容间隙自适应微半球谐振子及其装配夹具和方法，该微半球谐振子包括半球体和锚柱，所述锚柱设于半球体中心，所述锚柱远离半球体一端为锚点平面，半球体端面为唇沿，其特征在于，锚柱伸出唇沿一定长度，从而使得锚点平面距离唇沿有一定高度。本发明可实现微半球谐振子与电极之间的电容间隙自适应装配，能有效保证电容间隙的均匀性以及微半球谐振子与电极的同轴度。同时，无需垫片、牺牲层等间隙控制方法，能有效避免垫片对微半球谐振子和电极表面金属膜层产生损伤，以及避免牺牲层对微半球谐振子造成污染等缺点，提高微半球陀螺的可靠性。
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公开(公告)号：CN115752410A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211517923.5
申请日：2022-11-30
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： G01C19/5656 , B81C1/00 , G01C19/5663
摘要： 本发明公开了一种高灵敏度、抗冲击微半球陀螺电极结构及制作方法，所述电极结构分为上下两层，下层为平面电极，上层是通过工艺方法制作的异形平面电极，整体呈圆孔和圆槽组合的形状，上下两层电极均是敏感谐振壳体边缘的面外运动。所述方法包括在晶圆上采用镀膜、光刻工艺实现电极的图形化后，获得下层电极；通过精密微组装，将制备的谐振壳体与下层电极进行固定；采用刻蚀或微加工工艺在晶圆上制造出上电极形状，通过镀膜、喷胶、多次光刻等工艺实现上电极对应区域的图形化；采用治具将上电极与固定了谐振壳体的下电极进行装配并固定。本发明中的电极形式提高了微半球陀螺的灵敏度，同时可以对谐振壳体的运动进行限位，起到提升陀螺环境适应性。
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公开(公告)号：CN115231512A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210557606.X
申请日：2022-05-19
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种微半球陀螺曲面电极的装配系统及装配方法，所述装配系统包括装配台、六自由度真空吸附位移装置、成像相机和控制单元；装配台水平设置且采用透明材料制成；成像相机设于装配台下方，用于采集微半球谐振子和微半球曲面电极的图像；六自由度真空吸附位移装置和成像相机分别与所述控制单元连接，控制单元通过获取微半球谐振子和微半球曲面电极的图像判断微半球谐振子和微半球曲面电极的水平姿态和水平位置，以控制六自由度真空吸附位移装置调节微半球谐振子和微半球曲面电极的水平姿态和水平位置，以完成微半球谐振子和微半球曲面电极的装配。该装配系统能有效保证微半球谐振子与微半球曲面电极装配的同轴度以及电极间隙的均匀性。
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公开(公告)号：CN114105075A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111340195.0
申请日：2021-11-12
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明涉及微机电系统制造技术领域，特别涉及一种曲面电极的微半球陀螺结构及其制备方法；所述方法包括对微半球谐振子的外表面镀膜，对微半球曲面电极的内外表面镀膜并喷涂光刻胶；采用含光学透镜结构的光刻板与微半球曲面电极的内表面对准，光刻显影并使曲面结构的光刻胶图形化；以光刻胶为掩膜使微半球曲面电极上的金属膜图形化，形成激励检测电极、屏蔽电极、锚点电极；将微半球谐振子与微半球曲面电极同轴对准，将谐振子锚点与曲面电极锚点固化导通，将曲面电极外沿基准面固定在缓冲板上，形成具有曲面电极的微半球陀螺结构；本发明可以有效降低曲面电极制作的工艺难度与成本，且具备更好的热适配性能。
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