公开(公告)号：CN117728772A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311754723.6

申请日：2023-12-19

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 聂荣邹 ,  蒲颜 ,  聂长敏 ,  黄亮 ,  熊翼通 ,  王国强

IPC分类号： H03F1/26 ,  H03F1/52 ,  H03F3/19 ,  G06F30/36

摘要： 本发明属于半导体集成电路领域，具体涉及一种基于HBT工艺的宽带低相噪的分布式放大器，包括：N个Cascode放大单元、输入隔直电容、输出隔直电容、基极人工传输线、偏置调制网络、集电极人工传输线、集电极吸收网络、集电极偏置网络、基极吸收网络、基极偏置网络、有源直流偏置网；本发明采用HBT晶体管构成的Cascode放大单元结合分布式放大器结构，能够获得更低的相位噪声和更宽的工作频段；偏置调制网络可通过改变相应电阻的阻值，调节对应Cascode放大单元中的共基极放大单元的直流偏置点，实现对每个Cascode放大单元电流分布进行控制，提高大输入功率条件下的可靠性，避免HBT晶体管烧毁。