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公开(公告)号：CN117879506A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311553147.9
申请日：2023-11-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明涉及半导体集成电路设计领域，具体涉及一种提高功率放大器线性度的偏置电路和功率放大器；包括电阻R1、电阻R2、电容C1、电感Lbias、晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3；本发明所采用的偏置电路结构，补偿了功率放大器在温度变化以及在大功率信号输入下晶体管工作点漂移的问题，提升了电路整体的线性度，提高了输出1dB压缩点功率及效率。
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公开(公告)号：CN110247651B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201910603255.X
申请日：2019-07-05
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H03K19/0175 , H03K19/173 , H03K17/567 , H03K17/74
摘要： 本发明提供一种基于GaAs HEMT工艺的正压转负压逻辑电路，本发明的正压转负压逻辑电路通过输入电平位移电路单元、缓冲电路单元、同相逻辑输出电路单元及反相逻辑输出电路单元的结构设计，就可以将输入的正压逻辑信号转换为输出互补(一同相、一反相)的两个负压逻辑信号，转换结构简单，转换效率高；且各电路单元均基于GaAs HEMT工艺设计，使得该正压转负压逻辑电路能与射频开关、数控衰减器、数控移相器等单片微波集成电路直接单元芯片集成，促进了单片微波集成电路系统应用的简化、小型化，并降低了其功耗。
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公开(公告)号：CN117240243A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311188484.2
申请日：2023-09-14
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明属于半导体集成电路设计领域，具体涉及一种基于GaAs工艺的紧凑尺寸高精度数控移相器的信号相位控制方法，包括：第一功率分配网络、第二功率分配网络、正交网络、第一双相衰减器以及第二双相衰减器；输入信号经过第一功率分配网络转换为两路信号；将两路信号输入到正交网络进行相位调整，得到两路正交信号；将两路正交信号分别输入到第一双相衰减器和第二双相衰减器中，进行幅度调整；将第一双相衰减器输出的调整后的信号和第一双相衰减器输出的调整后的信号输入到第二功率分配网络中进行矢量相加，得到经过移相的信号；本发明的功率分配网络采用集总式威尔金森功分器结构，在保证移相精度的同时有效减小了芯片尺寸。
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公开(公告)号：CN115549609A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211272254.X
申请日：2022-10-18
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明属于半导体集成电路设计领域，特别涉及一种高增益平坦度、高线性度的宽带低噪声放大器，包括输入匹配网络、偏置网络、反馈网络、放大电路、输出匹配网络、输入端、输出端和电源端，输入端与输入匹配网络的输入端连接，输入匹配网络的输出端、偏置网络的输出端、反馈网络的输出端与放大电路的输入端相连；偏置网络的第一输入端与放大电路的第一输出端、反馈网络的输入端相连；偏置网络的第二输入端与放大电路的第二输出端相连；放大电路的第三输出端与输出匹配网络的第一输入端相连；输出匹配网络的第二输入端与电源端相连；本发明有效提升宽带低噪声放大器的增益平坦度、线性度，并在很宽的频带内获得很好的输入输出匹配特性。
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公开(公告)号：CN118763998A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410982395.3
申请日：2024-07-22
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H03D7/14
摘要： 本发明属于半导体集成电路设计领域，具体涉及一种高线性度毫米波有源双平衡上变频混频器，包括主体电路，以及与主体电路相连接的三个巴伦单元；三个巴伦单元的结构相同，其中巴伦单元1连接有中频输入端，巴伦单元2连接有本振输入端，巴伦单元3连接有射频输出端；主体电路包括晶体管、电阻和负阻单元；本发明在传统基于Gilbert单元的有源双平衡混频结构中，引入非对称差分放大结构，实现混频器1dB压缩点参数的提升；在非对称差分放大结构中加入负阻单元，实现混频器三阶交调截止点参数的提升。
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公开(公告)号：CN117728772A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311754723.6
申请日：2023-12-19
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明属于半导体集成电路领域，具体涉及一种基于HBT工艺的宽带低相噪的分布式放大器，包括：N个Cascode放大单元、输入隔直电容、输出隔直电容、基极人工传输线、偏置调制网络、集电极人工传输线、集电极吸收网络、集电极偏置网络、基极吸收网络、基极偏置网络、有源直流偏置网；本发明采用HBT晶体管构成的Cascode放大单元结合分布式放大器结构，能够获得更低的相位噪声和更宽的工作频段；偏置调制网络可通过改变相应电阻的阻值，调节对应Cascode放大单元中的共基极放大单元的直流偏置点，实现对每个Cascode放大单元电流分布进行控制，提高大输入功率条件下的可靠性，避免HBT晶体管烧毁。
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公开(公告)号：CN113904635A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111185458.5
申请日：2021-10-12
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明属于半导体集成电路设计领域，特别涉及一种高三阶交调点的场效应晶体管射频放大器包括输入偏置网络、输入匹配网络、放大电路、输出匹配网络、输出偏置网络、输入端、输出端和电源端，输入端与输入匹配网络的输入端连接，输入匹配网络的输出端分别作为输入偏置网络以及放大电路的第一输入；输入偏置网输出端作为放大电路的第二输入；放大电路的第一输出端与输出匹配电路的第一输入端连接；放大电路的第二输出端经过输出偏置电路进行偏置处理后作为输出匹配电路的第一输入端；电源端与输出匹配电路的第二输入端连接；输出匹配电路的输出作为高三阶交调点的场效应晶体管射频放大器的输出端；本发明有效提升射频放大器的三阶交调点参数，并在很宽的频带内获得很好的功率特性及输入输出匹配特性。
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公开(公告)号：CN110380693A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910674005.5
申请日：2019-07-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明公开了一种基于HBT工艺的低压宽带中功率射频放大器，包括放大电路、电阻负反馈网络、直流温度补偿网络和扼流网络；所述放大电路用于信号放大；所述电阻负反馈网络用于实现放大电路的功率增益调整、阻抗匹配，以及为放大电路提供直流偏置；所述直流温度补偿网络用于在高低温下稳定电源电流、输出1dB压缩点；所述扼流网络用于对电源的干扰信号与输出端有用信号进行隔离。本发明通过设置直流温度补偿网络，在对电路的功率增益、噪声系数、输入驻波系数、输出驻波系数均无影响的情况下，降低了HBT工艺实现的中功率射频放大器低压下电源电流和输出1dB压缩点对温度的敏感度，提升了温度稳定性。
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公开(公告)号：CN113904635B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202111185458.5
申请日：2021-10-12
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明属于半导体集成电路设计领域，特别涉及一种高三阶交调点的场效应晶体管射频放大器包括输入偏置网络、输入匹配网络、放大电路、输出匹配网络、输出偏置网络、输入端、输出端和电源端，输入端与输入匹配网络的输入端连接，输入匹配网络的输出端分别作为输入偏置网络以及放大电路的第一输入；输入偏置网输出端作为放大电路的第二输入；放大电路的第一输出端与输出匹配电路的第一输入端连接；放大电路的第二输出端经过输出偏置电路进行偏置处理后作为输出匹配电路的第一输入端；电源端与输出匹配电路的第二输入端连接；输出匹配电路的输出作为高三阶交调点的场效应晶体管射频放大器的输出端；本发明有效提升射频放大器的三阶交调点参数，并在很宽的频带内获得很好的功率特性及输入输出匹配特性。
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公开(公告)号：CN111510089B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202010361116.3
申请日：2020-04-30
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明公开了一种带旁路功能的低噪声放大模块及控制方法，属于单片射频/微波集成电路技术领域；所述一种带旁路功能的低噪声放大模块包括第一单刀双掷射频开关、第二单刀双掷射频开关以及低噪声放大器；第一单刀双掷射频开关的第一输出端与低噪声放大器输入端相连；第一单刀双掷射频开关的第二输出端与第二单刀双掷射频开关的第一输入端相连；低噪声放大器输出端与第二单刀双掷射频开关的第二输入端相连；本发明在低噪声放大器的基础上集成了两个射频开关，从而实现旁路功能。对于输入信号范围影响明显，本发明可以处理信号幅度低于低噪声放大器输入1dB压缩点信号外，也可以处理幅度大于输入1dB压缩点的信号，有效提升了系统的动态范围。
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