碳化硅二次外延结构
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101246899B

    公开(公告)日:2012-02-08

    申请号:CN200810054651.3

    申请日:2008-03-20

    IPC分类号: H01L29/24 H01L21/336

    摘要: 本发明公开了一种用于碳化硅器件制备的碳化硅二次外延材料结构,包括:一碳化硅单晶体衬底,一位于衬底表面的一次同质外延层,一位于一次同质外延层表面的二次外延层,其中一次同质外延层包括p型碳化硅缓冲层、n型碳化硅有源层以及非故意掺杂的本征碳化硅层。相对于采用一般结构的MESFET(金属场效应管)而言,采用二次外延方式制备得到的MESFET具有源漏电阻小、欧姆接触面积大、管内工作区域电场分布均匀等优点,可以提高跨导,提高器件的工作电压以及功率。同时,大大简化了器件制备的工艺,保证了器件的稳定性。

    碳化硅二次外延结构
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101246899A

    公开(公告)日:2008-08-20

    申请号:CN200810054651.3

    申请日:2008-03-20

    IPC分类号: H01L29/24 H01L21/336

    摘要: 本发明公开了一种用于碳化硅器件制备的碳化硅二次外延材料结构,包括:一碳化硅单晶体衬底,一位于衬底表面的一次同质外延层,一位于一次同质外延层表面的二次外延层,其中一次同质外延层包括p型碳化硅缓冲层、n型碳化硅有源层以及非故意掺杂的本征碳化硅层。相对于采用一般结构的MESFET(金属场效应管)而言,采用二次外延方式制备得到的MESFET具有源漏电阻小、欧姆接触面积大、管内工作区域电场分布均匀等优点,可以提高跨导,提高器件的工作电压以及功率。同时,大大简化了器件制备的工艺,保证了器件的稳定性。

    防止隔离式操作装置产生二次污染的方法

    公开(公告)号:CN101612624A

    公开(公告)日:2009-12-30

    申请号:CN200910074941.9

    申请日:2009-07-21

    IPC分类号: B08B17/00

    摘要: 一种防止隔离式操作装置产生二次污染的方法,用于危险、有毒的化工原料进行隔离操作的场合,相应装置的结构中包括与外界隔离的操作间、缓冲间和配套设置的气体排放系统,关键的改进在于在隔离式操作装置的结构设计中增设了对危险逸出物的收集处理系统。使用本发明所述的方法,除了直接避免危险、有毒的化工原料对现场人员的伤害和对环境的直接污染,还可以消除直接排放形成的间接污染、二次污染,同时可以加大回收处理、二次利用提高综合经济效益。

    一种能防止产生二次污染的氮气保护操作箱

    公开(公告)号:CN101612624B

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:CN200910074941.9

    申请日:2009-07-21

    IPC分类号: B08B17/00

    摘要: 一种能防止产生二次污染的氮气保护操作箱,用于危险、有毒的化工原料进行隔离操作的场合,相应装置的结构中包括与外界隔离的操作间、缓冲间和配套设置的气体排放系统,关键的改进在于在隔离式操作装置的结构设计中增设了对危险逸出物的收集处理系统。使用本发明除了可以直接避免危险、有毒的化工原料对现场人员的伤害和对环境的直接污染,还可以消除直接排放形成的间接污染、二次污染,同时可以加大回收处理、二次利用提高综合经济效益。

    氮气保护操作箱
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN201505916U

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200920103783.0

    申请日:2009-07-21

    IPC分类号: B25J21/02

    摘要: 一种氮气保护操作箱,用于存储危险、有毒化学药品或实施操作。其结构中包括操作舱、缓冲通道、配套的支架,操作舱上设有视窗、手套接口、气体进出口,固定在支架上的操作舱侧壁上连接缓冲通道,其特征在于在操作舱带有通气孔的底板下方设置了溢出物收集装置。使用本实用新型,可减少危险、有毒化学药品对人员的伤害和对环境的污染,密封、氮气保护的环境保证化学药品的洁净,是一种使用安全、操作方便、经济、环保的操作箱。