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公开(公告)号：CN108173522A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711491291.9
申请日：2017-12-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明涉及放大器技术领域，提供了栅极电源偏置电路和功率放大器。该栅极电源偏置电路应用于毫米波功率放大器，包括：微带线，一端与毫米波功率放大器中的高电子迁移率晶体管HEMT的栅极连接；第一电阻单元，一端与所述微带线的另一端连接；第二电阻单元，第一端与所述第一电阻单元的另一端连接，第二端与外部栅极电源连接；去耦电容，一端与所述第二电阻单元的第一端连接，另一端接地；其中，所述第二电阻单元用于对所述去耦电容未能处理的低频信号形成高阻，抑制低频耦模振荡。采用上述栅极电源偏置电路的功率放大器低频信号下的稳定性较好。
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公开(公告)号：CN104333335B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201410618509.2
申请日：2014-11-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路，涉及为提高效率和线性而对放大器进行改进的电路技术领域。偏置电路的电源输入端经电阻Rbias0分为四路，第一路与晶体管QA1的基极连接，第二路与晶体管QA2的集电极连接，第三路经电容Cin接地，第四路与晶体管QB1的基极连接；晶体管QA1和晶体管QB1的集电极接VCC，晶体管QA1的发射极经电阻RA1接晶体管QA2的基极，晶体管QA2的发射极接地，晶体管QB1的发射极电流经电阻Rp后分别输出给一个以上的射频功率放大管支路。电路采用自适应偏置线性结构，能够有效实现高线性和高功率附加效率，同时具有温补作用，而且简化了电路，降低制作难度，提高成品率。
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公开(公告)号：CN108111134A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711491635.6
申请日：2017-12-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明涉及放大器技术领域，提供了功率放大装置和微波电路。该功率放大装置包括：输入子电路包含功分器、主功率放大单元输入匹配网络、辅助功率放大单元输入匹配网络、第一等效网络，功分器将第一输入端接收到的功率信号分成至少两路功率信号；主功率放大单元放大主路的信号；辅助功率放大单元放大辅路的信号；输出子电路包含主功率放大单元输出匹配网络、辅助功率放大单元输出匹配网络、第二等效网络，主功率放大单元输出匹配网络、辅助功率放大单元输出匹配网络用于实现阻抗匹配，第二等效网络用于实现1/4波长阻抗变换。上述功率放大装置和微波电路结构简单且尺寸较小。
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公开(公告)号：CN115242190A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210994196.5
申请日：2022-08-18
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03B5/12
摘要： 本申请适用于电子电路装置技术领域，提供了一种功率振荡器及其设计方法。该功率振荡器包括：GaN管芯，栅极与反馈环路的第一端相连接，漏极分别与反馈环路的第二端、负载匹配电路的第一端连接，源极接地；反馈环路的第三端分别与栅极偏置电路的第一端、调谐电路的第一端相连；调谐电路的第二端用于接入调谐电源信号；负载匹配电路的第二端与漏极偏置电路的第一端连接；栅极偏置电路的第二端用于接入栅极电源信号，漏极偏置电路的第二端用于接入漏极电源信号；负载匹配电路的第三端用于输出射频信号。本申请能够节省元器件，缩短射频源的级联链路，大幅度降低体积和成本，可提升功率附加效率7％～12％。
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公开(公告)号：CN104392923B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410556014.1
申请日：2014-10-20
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/737 , H01L29/06 , H01L29/36
摘要： 本发明公开了一种异质结双极型晶体管的制作方法，涉及半导体微波器件的制作方法技术领域。所述方法通过调整多层低-高-低非均匀掺杂浓度和厚度的复合集电区，调节基极-集电区电场分布；优化匹配基极浓度和发射极浓度及对应厚度，利用寄生电阻形成一定程度上的负反馈；实施干法和湿法相结合腐蚀工艺、发射区侧棱工艺、发射区侧墙保护工艺和集电区横向钻蚀工艺等一整套针对性工艺技术，提高了发生Kirk效应的最大电流密度，降低了基极-集电区电容随偏压变化率，降低器件表面漏电和改善电流增益等，从而达到了提高双极型晶体管的功率、效率以及线性的目的。
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公开(公告)号：CN104333335A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410618509.2
申请日：2014-11-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路，涉及为提高效率和线性而对放大器进行改进的电路技术领域。偏置电路的电源输入端经电阻Rbias0分为四路，第一路与晶体管QA1的基极连接，第二路与晶体管QA2的集电极连接，第三路经电容Cin接地，第四路与晶体管QB1的基极连接；晶体管QA1-QA2的集电极接VCC，晶体管QA1的发射极经电阻RA1接晶体管QA2的基极，晶体管QA2的发射极接地，晶体管QB1的发射极电流经电阻Rp后分别输出给一个以上的射频功率放大管支路。电路采用自适应偏置线性结构，能够有效实现高线性和高功率附加效率，同时具有温补作用，而且简化了电路，降低制作难度，提高成品率。
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公开(公告)号：CN104392923A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410556014.1
申请日：2014-10-20
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/737 , H01L29/06 , H01L29/36
CPC分类号： H01L29/66318
摘要： 本发明公开了一种异质结双极型晶体管的制作方法，涉及半导体微波器件的制作方法技术领域。所述方法通过调整多层低-高-低非均匀掺杂浓度和厚度的复合集电区，调节基极-集电区电场分布；优化匹配基极浓度和发射极浓度及对应厚度，利用寄生电阻形成一定程度上的负反馈；实施干法和湿法相结合腐蚀工艺、发射区侧棱工艺、发射区侧墙保护工艺和集电区横向钻蚀工艺等一整套针对性工艺技术，提高了发生Kirk效应的最大电流密度，降低了基极-集电区电容随偏压变化率，降低器件表面漏电和改善电流增益等，从而达到了提高双极型晶体管的功率、效率以及线性的目的。
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公开(公告)号：CN204168242U
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201420658234.0
申请日：2014-11-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本实用新型公开了一种自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路，涉及为提高效率和线性而对放大器进行改进的电路技术领域。偏置电路的电源输入端经电阻Rbias0分为四路，第一路与晶体管QA1的基极连接，第二路与晶体管QA2的集电极连接，第三路经电容Cin接地，第四路与晶体管QB1的基极连接；晶体管QA1-QA2的集电极接VCC，晶体管QA1的发射极经电阻RA1接晶体管QA2的基极，晶体管QA2的发射极接地，晶体管QB1的发射极电流经电阻Rp后分别输出给一个以上的射频功率放大管支路。电路采用自适应偏置线性结构，能够有效实现高线性和高功率附加效率，同时具有温补作用，简化了电路，降低制作难度，提高成品率。
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公开(公告)号：CN201773168U
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201020521051.6
申请日：2010-09-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 一种半导体功率器件的热阻测试仪，解决了由于单台热阻测试仪只能测量单类型的器件热阻的技术问题，采用的技术方案是，电路结构中包括带有配套管理程序的CPU、热阻测试电路、以及热阻测试参数采集电路，上述的热阻测试仪的电路结构中增设插件接口电路以及开关转换电路。本实用新型的关键是，通过在热阻测试仪中增设插件接口电路和开关转换电路，借助插件接口电路识别被测器件类型，由开关转换电路切换相应的测试子电路接入被测器件测试引脚端进行测试，实现了单台热阻测试仪能够对不同类型的器件进行热阻测试，节约了测试成本。
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