公开(公告)号：CN104518013A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410515202.X

申请日：2014-09-29

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 高原良雄 ,  三浦猛

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7371

摘要： 本发明提供一种半导体元件，其能够减小接合电容并且使半导体层的侧面稳定化。半导体元件(10)具有由高浓度N型半导体层形成的集电极接触层(16)。在集电极接触层(16)上层叠有N型的集电极层(15)、层叠在集电极层(15)上并具有上表面(14a)的高浓度P型半导体层即基极层(14)、层叠在上表面(14a)的一部分上的N型的发射极层(11)。在基极层(14)与集电极层(15)的接合面形成有基极集电极层接合部(18)。惰性部(19)在俯视观察时设置在上表面(14a)上的与基极电极(13)的外侧端部相比的外侧。惰性部(19)通过从由氦以及氩构成的群中选择出的1种元素对第1、2半导体层进行离子注入而形成。惰性部(19)从上表面(14a)延伸至与基极集电极层接合部(18)相比的下方。

公开(公告)号：CN104347406A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410369333.1

申请日：2014-07-30

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 佐佐木健次

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/082 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L23/4824 ,  H01L21/30612 ,  H01L23/535 ,  H01L23/66 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0823 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7371 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00

摘要： 即使在集电极层的短边方向沿着结晶方位[011]的情况下，也能抑制基极布线的断线。本发明的双极晶体管(10)包括：俯视时具有长边方向及短边方向的集电极层(16)，该集电极层(16)的短边方向沿着结晶方位[011]，且与短边方向正交的截面形状为倒台面型，与长边方向正交的截面形状为正台面型；形成于集电极层(16)上的基极层(20)；形成于基极层(20)上的基极电极(22)；以及与基极电极(22)相连接，俯视时从集电极层(16)的短边方向的端部向集电极层(16)的外部引出的基极布线(22B)。

公开(公告)号：CN101523579B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200780037159.9

申请日：2007-09-17

申请人： 国际商业机器公司

发明人： F·佩吉特

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7378

摘要： 一种双极晶体管结构(600)包括在集电极层(104)之上形成的本征基极层(106)、在该本征基极层之上形成的发射极(110)以及在该本征层之上形成且与该发射极相邻的非本征基极层(108)。在该集电极层的上部中形成环形集电极注入结构(604)，其中该环形集电极注入结构被布置成在该发射极的周边部分之下对准。

公开(公告)号：CN102386093A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110210238.3

申请日：2011-07-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭俊聪 ,  刘世昌 ,  蔡嘉雄

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66242 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66287 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7378

摘要： 本发明提供一种双极性晶体管(bipolar junction transistor，BJT)装置及其形成方法。在一实施例中，双极性晶体管装置包括：具有集电极区(collector region)的半导体基板，及暴露在半导体基板上的材料层。材料层中具有沟槽，而暴露出集电极区的一部分。在材料层的沟槽中暴露出基极结构(base structure)、间隙物、发射极结构(emitter structure)。各间隙物具有上宽(top width)及底宽(bottom width)，上宽大体上与底宽相等。本发明提供的装置性能有提升。

公开(公告)号：CN102246284A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980150272.7

申请日：2009-10-16

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  大田一树

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/205 ,  H01L29/737

CPC分类号： H01L29/7371 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66318

摘要： 一种双极晶体管，具有发射极层、基极层和集电极层。发射极层形成在衬底上，并且是包括第一氮化物半导体的n型导电层。基极层形成在发射极层上，并且是包括第二氮化物半导体的p型导电层。集电极层形成在基极层上，并且包括第三氮化物半导体。集电极层、基极层和发射极层形成为相对于衬底表面的晶体生长方向与[000-1]的衬底方向平行。第三氮化物半导体包括InycAlxcGa1-xc-ycN(0≤xc≤1，0≤yc≤1，0＜xc+yc≤1)。第三氮化物半导体的在表面侧上的a轴长度比在衬底侧上的a轴长度短。

公开(公告)号：CN101243555B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200680030413.8

申请日：2006-07-18

申请人： 国立科学研究中心 ,  S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司

发明人： 让-卢卡·珀卢阿尔 ,  梅兰伊亚·利杰阿迪 ,  克里斯托夫·迪普伊 ,  法布里克·帕尔多 ,  菲利普·博韦

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/201 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L29/201 ,  H01L29/7371

摘要： 本发明涉及一种异质结双极晶体管，包括载体以及从该载体外延生长的至少：一个集电极层或发射极层；至少一个基极层(B)；以及至少一个发射极层或集电极层；所述集电极或发射极层包括：至少一个第一亚层(C1)，所述第一亚层与所述基极层接触，与所述发射极或集电极层的成分基本相同；以及至少一个第二亚层(C2)，第二亚层相对于所述第一亚层位于与所述基极层的相对侧。

公开(公告)号：CN1988172B

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200610169050.8

申请日：2006-12-19

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 村山启一 ,  田村彰良 ,  宫本裕孝 ,  宫岛贤一

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7371 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66318

摘要： 本发明的目的在于提供可以再现性良好且高成品率地制造的、在抗击穿性上优良的异质结双极晶体管，其特征在于，具备辅助集电极层、集电极层、以及具有比构成基极层的半导体还大的能带间隙的发射极层；集电极层具有形成在辅助集电极层上的第1集电极层、形成在第1集电极层上的第2集电极层、以及形成在第2集电极层和基极层之间的第3集电极层；构成第1集电极层的半导体不同于构成第3集电极层以及第2集电极层的半导体；第2集电极层的杂质浓度比辅助集电极层的杂质浓度还低，且比第3集电极层的杂质浓度还高。

公开(公告)号：CN101523579A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037159.9

申请日：2007-09-17

申请人： 国际商业机器公司

发明人： F·佩吉特

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7378

摘要： 一种双极晶体管结构(600)包括在集电极层(104)之上形成的本征基极层(106)、在该本征基极层之上形成的发射极(110)以及在该本征层之上形成且与该发射极相邻的非本征基极层(108)。在该集电极层的上部中形成环形集电极注入结构(604)，其中该环形集电极注入结构被布置成在该发射极的周边部分之下对准。

公开(公告)号：CN100530684C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200710091367.9

申请日：2007-03-30

申请人： 国际商业机器公司

发明人： F·帕基特

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/12 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7378 ,  H01L29/66318

摘要： 本发明公开了一种改进的异质结双极型晶体管(HBT)结构以及形成结合具有递变的锗分布的硅锗层发射极层的结构的方法。递变的锗浓度在发射极层的中性区中形成准漂移场。该准漂移场引起发射极层内的价带隙梯度，以加速从基极层穿过发射极层的空穴的运动。从基极层穿过发射极层的空穴的加速运动减小了发射极的延迟时间并因此增加了形成的HBT的截止频率(fT)和最大振荡频率(fMAX)。

公开(公告)号：CN100521208C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200480013612.9

申请日：2004-03-20

申请人： 杰斯半导体公司纽波特工厂

发明人： A·卡尔博格 ,  M·拉卡内利

IPC分类号： H01L27/082

CPC分类号： H01L29/66287 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66318

摘要： 根据一个示例性实施例，一种双极晶体管包括具有顶面的基极。所述双极晶体管还包括位于所述基极的所述顶面上的第一和第二连接隔离物。所述双极晶体管还包括位于所述基极的所述顶面上所述第一与所述第二连接隔离物之间的牺牲柱。所述第一和第二连接隔离物的高度可例如约等于，或者在另一个实施例中，显著小于所述牺牲柱的高度。根据该示例性实施例，所述双极晶体管还包括位于所述牺牲柱、所述第一和所述第二连接隔离物以及所述基极上的非牺牲平坦化层。所述非牺牲平坦化层可包括例如硅酸盐玻璃。所述牺牲平坦化层的高度可例如约等于，或者在另一个实施例中，大于所述第一和所述第二连接隔离物的高度。