-
公开(公告)号：CN103904396B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410094355.1
申请日：2014-03-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P3/16
摘要： 本发明公开了一种基于SIW的毫米波芯片气密性封装，属于半导体技术领域。本发明包括自上而下依次密封连接的底座、LTCC基板、密封环以及盖板；底座的中央凸台；LTCC基板绕凸台四周设置，且由上下排列的、上表面都涂有金属层的信号传输层和陶瓷腔体层组成，信号传输层其中一对相对的两边为传输射频信号的SIW结构；密封环位于陶瓷腔体层的上部，盖板位于密封环的上方。本发明克服了现有技术中陶瓷管壳封装在毫米波损耗大的缺陷，并且适用频率越高，封装的损耗越小，达到了解决毫米波段微波单片集成电路、尤其是功放电路的密封性问题；重要的是本发明的实现工艺简单、便于加工，可间接带来较大的经济效益，具有较佳的推广前景。
-
公开(公告)号：CN106374197A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201611068533.9
申请日：2016-11-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 清华大学
摘要： 本发明公开了一种基于MEMS工艺的硅基TEM波天线阵列及其制作方法，涉及波导天线技术领域。所述天线阵列包括从上到下依次固定连接在一起的天线层、窗口层和耦合能量层，所述天线层、窗口层和耦合能量层采用硅基介质基板制作，所述天线层的上表面设有两行以上且行内间隔设置的尺寸相同的矩形刻蚀区，所述天线层、窗口层和耦合能量层除侧面外设有金属层。所述天线阵列基于MEMS体微加工工艺中的贯穿式蚀刻和表面镀金工艺，在三层硅基介质基板上，利用两端短路的双导体TEM波传输线结合周期性的磁流抑制枝节的方式，得到了在宽频带内方向图稳定的高增益天线阵。
-
公开(公告)号：CN103904396A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410094355.1
申请日：2014-03-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P3/16
摘要： 本发明公开了一种基于SIW的毫米波芯片气密性封装，属于半导体技术领域。本发明包括自上而下依次密封连接的底座、LTCC基板、密封环以及盖板；底座的中央凸台；LTCC基板绕凸台四周设置，且由上下排列的、上表面都涂有金属层的信号传输层和陶瓷腔体层组成，信号传输层其中一对相对的两边为传输射频信号的SIW结构；密封环位于陶瓷腔体层的上部，盖板位于密封环的上方。本发明克服了现有技术中陶瓷管壳封装在毫米波损耗大的缺陷，并且适用频率越高，封装的损耗越小，达到了解决毫米波段微波单片集成电路、尤其是功放电路的密封性问题；重要的是本发明的实现工艺简单、便于加工，可间接带来较大的经济效益，具有较佳的推广前景。
-
公开(公告)号：CN115459802A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211021143.1
申请日：2022-08-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明涉及微波集成电路技术领域，尤其涉及一种毫米波变频多功能芯片及芯片测试方法，本发明毫米波收发变频多功能芯片实施方式，其基于GaAsE/D PHEMT工艺开发，将本振电路、接收通道电路和发射通道电路集成到一个芯片上，实现毫米波收发系统的一片式设计；本振电路对收发通道的切换采用GaAs FET开关电路，与传统的功分器电路形式相比，能提供给混频器更高的本振输入功率，更好的收发通道隔离度；基于GaAs FET开关电路的高隔离度特性，将接收通道的输入端和发射通道的输出端合二为一，利于前级电路的级联；采用GaAs工艺的低噪声放大器、高输出功率放大器、无源混频器等电路结构，实现了低噪声系数、高输出功率的指标特性。
-
公开(公告)号：CN114852951A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210269369.7
申请日：2022-03-18
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种W波段多通道收发系统及制备方法，属于微波及微电子封装技术领域，包括微型化封装发射子阵封装体，并设置第一SIW结构及第一波导转换结构；微型化封装得到接收子阵封装体，并设置第二SIW结构及第二波导转换结构；采用晶圆级键合工艺，将发射子阵封装体和接收子阵封装体进行堆叠封装，并使第一波导转换结构与第二波导转换结构上下垂直连通。本发明提供的W波段多通道收发系统，通过硅基MEMS三维异构集成工艺、微组装工艺，解决W波段多通道电路的高密度封装；同时在发射前端和接收前端设计波导转换结构，通过晶圆级键合，实现W波段信号在垂直方向高品质传输，提高W波段多通道收发系统的集成度。
-
公开(公告)号：CN107611547A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710823574.2
申请日：2017-09-13
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P5/12
摘要： 本发明公开了一种毫米波功率合成器件，涉及毫米波功率器件技术领域；该功率合成器件包括第一层硅片和第二层硅片，第一层硅片顶面与第二层硅片背面晶圆级封装金金键合在一起；所述第一层硅片上设有通孔形成的功率分配网络、功率放大器芯片和功率合成网络，第一层硅片的背面功率分配网络和功率合成网络的分岔口设有湿法工艺蚀刻的盲槽；第一层硅片通过湿法刻蚀盲槽，放置放大器芯片，功率分配网络和功率合成网络利用硅基MEMS工艺蚀刻通孔形成基片集成波导结构实现，该功率合成器件易于与平面的放大器电路集成，具有较大的品质因数，使得损耗较小，合成效率高，可实现宽频带的匹配。
-
公开(公告)号：CN106374197B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201611068533.9
申请日：2016-11-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 清华大学
摘要： 本发明公开了一种基于MEMS工艺的硅基TEM波天线阵列及其制作方法，涉及波导天线技术领域。所述天线阵列包括从上到下依次固定连接在一起的天线层、窗口层和耦合能量层，所述天线层、窗口层和耦合能量层采用硅基介质基板制作，所述天线层的上表面设有两行以上且行内间隔设置的尺寸相同的矩形刻蚀区，所述天线层、窗口层和耦合能量层除侧面外设有金属层。所述天线阵列基于MEMS体微加工工艺中的贯穿式蚀刻和表面镀金工艺，在三层硅基介质基板上，利用两端短路的双导体TEM波传输线结合周期性的磁流抑制枝节的方式，得到了在宽频带内方向图稳定的高增益天线阵。
-
公开(公告)号：CN107611547B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201710823574.2
申请日：2017-09-13
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P5/12
摘要： 本发明公开了一种毫米波功率合成器件，涉及毫米波功率器件技术领域；该功率合成器件包括第一层硅片和第二层硅片，第一层硅片顶面与第二层硅片背面晶圆级封装金金键合在一起；所述第一层硅片上设有通孔形成的功率分配网络、功率放大器芯片和功率合成网络，第一层硅片的背面功率分配网络和功率合成网络的分岔口设有湿法工艺蚀刻的盲槽；第一层硅片通过湿法刻蚀盲槽，放置放大器芯片，功率分配网络和功率合成网络利用硅基MEMS工艺蚀刻通孔形成基片集成波导结构实现，该功率合成器件易于与平面的放大器电路集成，具有较大的品质因数，使得损耗较小，合成效率高，可实现宽频带的匹配。
-
公开(公告)号：CN206282961U
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201621288446.X
申请日：2016-11-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 清华大学
摘要： 本实用新型公开了一种基于MEMS工艺的硅基TEM波天线阵列，涉及波导天线技术领域。所述天线阵列包括从上到下依次固定连接在一起的天线层、窗口层和耦合能量层，所述天线层、窗口层和耦合能量层采用硅基介质基板制作，所述天线层的上表面设有两行以上且行内间隔设置的尺寸相同的矩形刻蚀区，所述天线层、窗口层和耦合能量层除侧面外设有金属层。所述天线阵列基于MEMS体微加工工艺中的贯穿式蚀刻和表面镀金工艺，在三层硅基介质基板上，利用两端短路的双导体TEM波传输线结合周期性的磁流抑制枝节的方式，得到了在宽频带内方向图稳定的高增益天线阵。
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
9 条记录 (耗时 0.041 秒)
