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公开(公告)号：CN114497948B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202210094474.1
申请日：2022-01-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人： 李晓林
IPC分类号： H01P5/08
摘要： 本发明提供了一种毫米波转换结构，属于波导转接技术领域，包括盒体、射频芯片、载体以及转换器件，盒体内设有容纳腔，盒体上开设有波导口，射频芯片安装于容纳腔内，且位于波导口的一侧，载体安装于容纳腔内，且位于波导口的正上方；载体上设有贯穿孔，且上下端均设有密封连接层，转换器件安装于载体的上端，转换器件包括上表层、信号传输层以及下表层，上表层和下表层分别设有与信号传输层连通的连接口和输出端口；射频芯片与连接口相连接，输出端口与贯穿孔相对应，信号传输层为基片介质集成制件。本发明提供的毫米波转换结构，既提高了毫米波转换结构的气密性指标，又减少了信号的损耗。
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公开(公告)号：CN114497948A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210094474.1
申请日：2022-01-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人： 李晓林
IPC分类号： H01P5/08
摘要： 本发明提供了一种毫米波转换结构，属于波导转接技术领域，包括盒体、射频芯片、载体以及转换器件，盒体内设有容纳腔，盒体上开设有波导口，射频芯片安装于容纳腔内，且位于波导口的一侧，载体安装于容纳腔内，且位于波导口的正上方；载体上设有贯穿孔，且上下端均设有密封连接层，转换器件安装于载体的上端，转换器件包括上表层、信号传输层以及下表层，上表层和下表层分别设有与信号传输层连通的连接口和输出端口；射频芯片与连接口相连接，输出端口与贯穿孔相对应，信号传输层为基片介质集成制件。本发明提供的毫米波转换结构，既提高了毫米波转换结构的气密性指标，又减少了信号的损耗。
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公开(公告)号：CN114852951A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210269369.7
申请日：2022-03-18
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种W波段多通道收发系统及制备方法，属于微波及微电子封装技术领域，包括微型化封装发射子阵封装体，并设置第一SIW结构及第一波导转换结构；微型化封装得到接收子阵封装体，并设置第二SIW结构及第二波导转换结构；采用晶圆级键合工艺，将发射子阵封装体和接收子阵封装体进行堆叠封装，并使第一波导转换结构与第二波导转换结构上下垂直连通。本发明提供的W波段多通道收发系统，通过硅基MEMS三维异构集成工艺、微组装工艺，解决W波段多通道电路的高密度封装；同时在发射前端和接收前端设计波导转换结构，通过晶圆级键合，实现W波段信号在垂直方向高品质传输，提高W波段多通道收发系统的集成度。
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公开(公告)号：CN108808237B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201810691912.6
申请日：2018-06-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种平面全向圆极化天线，属于天线装备领域，包括基板、设于基板前侧的前金属层、围绕基板中心设于前金属层外周的多个前金属辐射结构、设于基板后侧的后金属层、围绕基板中心设于后金属层外周的多个后金属辐射结构、设于基板中心处的金属化馈电孔、围绕金属化馈电孔分布且贯通前金属层和后金属层的多个金属化屏蔽通孔组及设于前金属层前侧且与金属化馈电孔通过第一键合金属丝连接的射频芯片结构。本发明提供的平面全向圆极化天线波束宽度宽、覆盖范围大，可实现任意角度、任意放置方式的通信方案，可以有效降低系统中天线的数量，降低系统的调试难度，提高系统的运行效率，还可方便的实现天线与系统的一体化集成。
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公开(公告)号：CN108808237A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810691912.6
申请日：2018-06-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种平面全向圆极化天线，属于天线装备领域，包括基板、设于基板前侧的前金属层、围绕基板中心设于前金属层外周的多个前金属辐射结构、设于基板后侧的后金属层、围绕基板中心设于后金属层外周的多个后金属辐射结构、设于基板中心处的金属化馈电孔、围绕金属化馈电孔分布且贯通前金属层和后金属层的多个金属化屏蔽通孔组及设于前金属层前侧且与金属化馈电孔通过第一键合金属丝连接的射频芯片结构。本发明提供的平面全向圆极化天线波束宽度宽、覆盖范围大，可实现任意角度、任意放置方式的通信方案，可以有效降低系统中天线的数量，降低系统的调试难度，提高系统的运行效率，还可方便的实现天线与系统的一体化集成。
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公开(公告)号：CN115784145A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211603551.8
申请日：2022-12-13
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明提供了一种基于硅基微系统的三维封装方法，属于硅基微系统微组装技术领域，包括在掩膜版上制作预设闭环图形；在第一层硅基板的上表面上和/或第二层硅基板的下表面上，涂胶、光刻、显影，形成预设闭环图形；在第二层硅基板上刻蚀第一窗口；在预设闭环图形上先溅射种子层，再电镀，获得隔离环；第二层硅基板相对堆叠在第一层硅基板上，隔离环环绕第一窗口；在隔离环区域内涂胶，将芯片胶接在第一层硅基板上。本发明在芯片周围设置了隔离环，芯片涂覆导电胶胶接时，由于隔离环能够对导电胶的溢流起到阻挡的作用，使导电胶只能在隔离环内，避免了导电胶外溢与周围的信号孔或电路图形相连导致封装器件短路的问题。
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公开(公告)号：CN219297149U
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202223357456.2
申请日：2022-12-13
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： B81B7/00
摘要： 本实用新型提供了一种基于硅基微系统的三维封装结构，属于硅基微系统微组装技术领域，包括第一层硅基板以及第二层硅基板，第一层硅基板上设有功能元件胶接区；第二层硅基板设置于第一层硅基板的上面，第二层硅基板上设有用于避让功能元件的第一窗口，第一窗口的尺寸大于功能元件胶接区的尺寸；其中，第一层硅基板或/和第二层硅基板上设有隔离环，隔离环环绕在第一窗口的外围，且连接在第一层硅基板与第二层硅基板之间。本实用新型在芯片周围设置了隔离环，芯片涂覆导电胶胶接时，由于隔离环能够对导电胶的溢流起到阻挡的作用，使导电胶只能在隔离环内，避免了导电胶外溢与周围的信号孔或电路图形相连导致封装器件短路的问题。
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