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发明公开
一种双层宽带太赫兹频率选择表面及其制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN118825640A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202411062054.0

申请日：2024-08-05

申请人： 中国电子科技集团公司第十研究所 , 中南大学

发明人： 阎德劲 , 王聪 , 林奈 , 陈学松 , 冷杰 , 徐文卿

IPC分类号： H01Q15/00 , B23K26/00 , B23K26/064

摘要： 本发明公开了一种双层宽带太赫兹频率选择表面及其制造方法，包括N×N个频率选择表面单元，且周期性排布构成二维阵列；所述频率选择表面单元包括沿第一方向层叠设置的第一金属层、第一介质层、空气层、第二金属层以及第二介质层，所述第一金属层与第二金属层结构尺寸相同且共轴线，所述第一介质层与第二介质层结构尺寸相同且共轴线。本发明的双层宽带太赫兹频率选择表面可以实现0.5THz‑0.7THz频段电磁波的传输，具有极化稳定性，工作带宽大，带外抑制明显，结构简单，尺寸小，易于加工的特点。