公开(公告)号：CN117865663A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410064079.8

申请日：2024-01-16

申请人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所

发明人： 吕洋 ,  兰耀海 ,  王明明 ,  魏启鹏 ,  王飞 ,  马涛

IPC分类号： C04B35/16

摘要： 本发明涉及一种低介低损耗LTCC材料及其制备方法和生瓷带，所述低介低损耗LTCC材料由陶瓷填充相和玻璃低烧助剂混合制备而成，其中，所述陶瓷填充相为镧硼硅酸盐系微波介质陶瓷LaBSiO5，所述玻璃低烧助剂为La2O3‑B2O3玻璃。本发明低介低损耗LTCC材料以具有低介低损耗特性且烧结温度较低(＜1200℃)的镧硼硅酸盐系微波介质陶瓷为陶瓷填充相，以La2O3‑B2O3玻璃为玻璃低烧助剂，降低了陶瓷玻璃体系的损耗，降低了低介低损耗LTCC材料的烧结温度，使得LaBSiO5系材料能够在低于900℃的温度范围内烧结，且具有优异的微波介电性能，使得采用LTCC生瓷带制备成的LTCC基板材料具有较低的介电常数和介电损耗。

公开(公告)号：CN118666501A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410648080.5

申请日：2024-05-23

申请人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所

发明人： 吕洋 ,  王明明 ,  兰耀海 ,  马涛

IPC分类号： C03C14/00 ,  C03B19/06 ,  C03C10/02 ,  C03C12/00 ,  C03B5/16

摘要： 本发明公开了一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法，所述低温共烧陶瓷材料包括复相陶瓷粉体，所述复相陶瓷粉体由La2O3‑MgO‑B2O3微晶玻璃、陶瓷填充相和掺杂相混合而成，其中，所述陶瓷填充相为微波介质陶瓷，所述掺杂相为CuO。该低温共烧陶瓷材料具有低介低损耗的特性，并且具有优异的抗折强度和微波介电性能，可应用于高频封装基板领域。