-
公开(公告)号:CN110176439B
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN201910457970.7
申请日:2019-05-29
申请人: 中国电子科技集团公司第四十三研究所
IPC分类号: H01L23/492 , H01L23/49 , H01L21/60
摘要: 本发明涉及一种模块SiP结构及其制造方法,包括密封的管壳及设于管壳内的电路组件,所述电路组件包括水平设于管壳内的多层基板,相邻基板之间相互隔开,所述基板上设有电路元器件,各个基板上电路元器件之间通过连接线连接导通,所述管壳上还设有与电路组件连通的连接端。本发明所述的模块SiP结构及其制造方法,通过HTCC、LTCC多层布线和精密的电路布局,实现高度集成一体化,体积较现有功能模块缩小较多;通过设计优化、多层布线和高精度组装,在缩小模块体积的同时,重量可减轻30%以上。
-
公开(公告)号:CN110176439A
公开(公告)日:2019-08-27
申请号:CN201910457970.7
申请日:2019-05-29
申请人: 中国电子科技集团公司第四十三研究所
IPC分类号: H01L23/492 , H01L23/49 , H01L21/60
摘要: 本发明涉及一种模块SiP结构及其制造方法,包括密封的管壳及设于管壳内的电路组件,所述电路组件包括水平设于管壳内的多层基板,相邻基板之间相互隔开,所述基板上设有电路元器件,各个基板上电路元器件之间通过连接线连接导通,所述管壳上还设有与电路组件连通的连接端。本发明所述的模块SiP结构及其制造方法,通过HTCC、LTCC多层布线和精密的电路布局,实现高度集成一体化,体积较现有功能模块缩小较多;通过设计优化、多层布线和高精度组装,在缩小模块体积的同时,重量可减轻30%以上。
-
公开(公告)号:CN107937876A
公开(公告)日:2018-04-20
申请号:CN201711476458.4
申请日:2017-12-29
申请人: 中国电子科技集团公司第四十三研究所
发明人: 聂丽丽
CPC分类号: C23C14/30 , C23C8/36 , C23C8/38 , C23C14/024 , C23C14/0641 , C23C28/042
摘要: 本发明公开一种具有硬度梯度层支撑的TiAlN复合超硬涂层及其制备方法,所述超硬涂层为自下到上分别为基体材料、扩伸层及沉积层的三层结构;所述基体材料为导电材料;所述的扩伸层为等离子氮碳共渗层;所述的沉积层为氮铝钛涂层。致密TiAlN超硬膜层赋予基材充分的耐磨能力;等离子氮碳共渗层具有硬度梯度,可显著增强对表面硬脆层的支撑,有效地提升TiAlN超硬膜层的承载能力。并且,氮碳还增大了零件表层的残余应力值,赋予了其更大的疲劳抗力。同时,氮碳共渗层的氮化物、碳化物在热物理性能上与TiAlN膜层更匹配,膜/基界面更融合,因而使膜层具有更牢固、可靠的结合力,也具有更高的抗热疲劳性能。
-
公开(公告)号:CN210403713U
公开(公告)日:2020-04-24
申请号:CN201920792050.6
申请日:2019-05-29
申请人: 中国电子科技集团公司第四十三研究所
IPC分类号: H01L23/492 , H01L23/49 , H01L21/60
摘要: 本实用新型涉及一种模块SiP结构,包括密封的管壳及设于管壳内的电路组件,所述电路组件包括水平设于管壳内的多层基板,相邻基板之间相互隔开,所述基板上设有电路元器件,各个基板上电路元器件之间通过连接线连接导通,所述管壳上还设有与电路组件连通的连接端。本实用新型所述的模块SiP结构,通过HTCC、LTCC多层布线和精密的电路布局,实现高度集成一体化,体积较现有功能模块缩小较多;通过设计优化、多层布线和高精度组装,在缩小模块体积的同时,重量可减轻30%以上。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号:CN207738838U
公开(公告)日:2018-08-17
申请号:CN201721898437.7
申请日:2017-12-29
申请人: 中国电子科技集团公司第四十三研究所
发明人: 聂丽丽
摘要: 本实用新型公开一种具有硬度梯度层支撑的TiAlN复合超硬涂层,所述超硬涂层为自下到上分别为基体材料、扩伸层及沉积层的三层结构;所述基体材料为导电材料;所述的扩伸层为等离子氮碳共渗层;所述的沉积层为氮铝钛涂层。致密TiAlN超硬膜层赋予基材充分的耐磨能力;等离子氮碳共渗层具有硬度梯度,可显著增强对表面硬脆层的支撑,有效地提升TiAlN超硬膜层的承载能力。并且,氮碳还增大了零件表层的残余应力值,赋予了其更大的疲劳抗力。同时,氮碳共渗层的氮化物、碳化物在热物理性能上与TiAlN膜层更匹配,膜/基界面更融合,因而使膜层具有更牢固、可靠的结合力,也具有更高的抗热疲劳性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-