-
公开(公告)号：CN111225509A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911245106.7
申请日：2019-12-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所
IPC分类号： H05K3/06
摘要： 本发明公开了一种蚀刻方法，包括以下步骤：清洗待蚀刻基板的表面后，在基板的上下表面均热压感光膜；设计蚀刻图形，其中，半蚀刻部分设计为透光线条和不透光线条间隔排列的栅格状结构，根据所述蚀刻图形光绘菲林膜后，将所述菲林膜贴合在已经热压感光膜的待蚀刻基板的表面进行曝光；对曝光后的基板进行蚀刻；对蚀刻后的基板表面进行微蚀。本发明中的蚀刻方法采用一次湿法蚀刻同时实现铜片的半蚀刻和全蚀刻，减化了工序。
-
公开(公告)号：CN111225509B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201911245106.7
申请日：2019-12-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所
IPC分类号： H05K3/06
摘要： 本发明公开了一种蚀刻方法，包括以下步骤：清洗待蚀刻基板的表面后，在基板的上下表面均热压感光膜；设计蚀刻图形，其中，半蚀刻部分设计为透光线条和不透光线条间隔排列的栅格状结构，根据所述蚀刻图形光绘菲林膜后，将所述菲林膜贴合在已经热压感光膜的待蚀刻基板的表面进行曝光；对曝光后的基板进行蚀刻；对蚀刻后的基板表面进行微蚀。本发明中的蚀刻方法采用一次湿法蚀刻同时实现铜片的半蚀刻和全蚀刻，减化了工序。
-
公开(公告)号：CN113896540B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202111250167.X
申请日：2021-10-26
申请人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所 , 合肥圣达电子科技实业有限公司
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B37/00
摘要： 本发明公开了结构件的制备方法领域的一种氮化铝陶瓷结构件的制备方法，包括以下步骤：步骤1：制备各组件单元所需的AlN材质的陶瓷基板；步骤2：将各陶瓷基板加工成满足精度要求的组件单元；步骤3：选择组件单元印制银铜钛活性浆料；步骤4：将各组件单元组装焊接成结构件；步骤5：对结构件清洗检验。本发明将结构件分割为若干单元小部件，将单元部件印制银铜钛活性浆料，再通过焊接工艺组装为结构件，该方法无需CNC加工，并且单个精度容易控制、一致性好、成品率高、成本低，满足在‑55℃～400℃范围内长期使用等特点。
-
公开(公告)号：CN110736134A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911269335.2
申请日：2019-12-11
申请人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所
摘要： 本发明公开了一种高强度高导热氮化铝陶瓷基板及其制备方法，包括以下步骤：亚微米级高纯度氮化铝粉体、亚微米级氧化钇烧结助剂、粘结剂、溶剂和添加剂混合均匀；在中性或者还原气氛下脱脂，脱脂后陶瓷素坯的总杂质含量控制在4.6～8.1%之间；将脱脂后的陶瓷素坯于1800～1950℃烧结4～100h后，再于1750～1950℃热处理2-4h。本发明采用亚微米级的粉体配方结合杂质含量控制和细晶化两步烧结方法，使得制备的氮化铝基板的不仅热导率高而且抗折强度更优异，解决了现有技术中高导热氮化铝陶瓷基板抗折强度不佳的技术问题。
-
公开(公告)号：CN109467439A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811498120.3
申请日：2018-12-07
申请人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/626
摘要： 本发明公开了一种氮化铝粉体前驱体及其制备方法和氮化铝粉体，将铝源、无机碳源和粘结剂进行机械混合，得到均匀的混合产物；在所述混合产物中加入溶剂，并继续机械混合得到混合物浆料；将所述混合物浆料挤出成型，铸成圆柱形颗粒；将所述圆柱形颗粒进行排胶，得到氮化铝粉体前驱体。制得的氮化铝粉体前驱体为圆柱形多孔颗粒，克服了传统碳热还原反应的原材料混合不均匀、固-气反应不完全、装载量低无法大批量生产等缺点，原材料充分混合，在碳热还原反应过程中由于前驱体颗粒内部的微小孔洞，固-气反应完全，并且由于前驱体的强度高可以大批量堆积，满足工业化大批量生产要求，最终可以工业化大批量合成纯度很高的高性能氮化铝粉体。
-
公开(公告)号：CN113896540A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111250167.X
申请日：2021-10-26
申请人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所 , 合肥圣达电子科技实业有限公司
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B37/00
摘要： 本发明公开了结构件的制备方法领域的一种氮化铝陶瓷结构件的制备方法，包括以下步骤：步骤1：制备各组件单元所需的AlN材质的陶瓷基板；步骤2：将各陶瓷基板加工成满足精度要求的组件单元；步骤3：选择组件单元印制银铜钛活性浆料；步骤4：将各组件单元组装焊接成结构件；步骤5：对结构件清洗检验。本发明将结构件分割为若干单元小部件，将单元部件印制银铜钛活性浆料，再通过焊接工艺组装为结构件，该方法无需CNC加工，并且单个精度容易控制、一致性好、成品率高、成本低，满足在‑55℃～400℃范围内长期使用等特点。
-
公开(公告)号：CN110736134B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201911269335.2
申请日：2019-12-11
申请人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所
摘要： 本发明公开了一种高强度高导热氮化铝陶瓷基板及其制备方法，包括以下步骤：亚微米级高纯度氮化铝粉体、亚微米级氧化钇烧结助剂、粘结剂、溶剂和添加剂混合均匀；在中性或者还原气氛下脱脂，脱脂后陶瓷素坯的总杂质含量控制在4.6～8.1%之间；将脱脂后的陶瓷素坯于1800～1950℃烧结4～100h后，再于1750～1950℃热处理2‑4h。本发明采用亚微米级的粉体配方结合杂质含量控制和细晶化两步烧结方法，使得制备的氮化铝基板的不仅热导率高而且抗折强度更优异，解决了现有技术中高导热氮化铝陶瓷基板抗折强度不佳的技术问题。
-
-
-
-
-
-
搜索结果
7 条记录 (耗时 0.04 秒)
