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公开(公告)号：CN117080261A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311224198.7
申请日：2023-09-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC: H01L29/768 , H01L21/339
Abstract: 本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种CCD用片上低噪声放大器的制作工艺，包括：在CCD的P型衬底上完成常规复合栅介质和多晶硅前的功能层注入后，进行放大器耗尽型MOS管制备阶段；在已注入N型离子的区域表面，进行氮化硅刻蚀去除和湿法腐蚀漂蚀去除；进行热氧化工艺，生长纯氧化层MOS管用栅介质；进行放大器MOS管多晶硅电极和交流耦合电容下极板多晶硅电极制备；进行多晶硅氧化工艺，形成多晶硅层间介质层及电容绝缘介质层；制备交流耦合电容上极板多晶硅电极；进行高温退火工艺，并形成MOS管源漏区域，并完成常规后续工艺得到最终器件。本发明大幅抑制了放大器读出噪声；另外，器件大部分区域抗辐照能力也得以保障。
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