一种薄层页岩微构造刻画方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119616470A

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202311174091.6

    申请日:2023-09-12

    Abstract: 本发明属于油气田勘探和开发技术领域,具体涉及一种薄层页岩微构造刻画方法。具体步骤包括:本发明在水平井页岩靶窗内部划分标志层,利用随钻自然伽马和岩屑特征即时判断标志层,在标志层间地层厚度变化的基础下,根据标志层与井轨迹的交切关系计算地层倾角及倾向,进而对目标区进行微构造刻画,具有成本更为低廉、资料来源充足、准确性高的特点,不仅能够实现薄层页岩微构造刻画,还能在水平井的钻进过程中为井轨迹的调整提供有力的依据,此外还能为井工厂模式下相邻待钻水平井井轨迹的优化提供依据。

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